Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
tsu.docx
Скачиваний:
6
Добавлен:
18.04.2019
Размер:
1.85 Mб
Скачать

Мультивибраторы с коллекторно – базовыми связями.

Исходное состояние.

V1 – открыт и насыщен, V2 – заперт.

Условие насыщения V1: iб1= ; т.е. и при Е=Ек это условие принимает вид: .

Условие запирания V2, также как и для триггера .

напряжение на коллекторе V1: Uk1=Ukн≈0, а на коллекторе V2: , конденсатор С заряжается до напряжения .

Запуск и квазиустойчивое состояние.

Схемы запуска мультивибратора аналогичны схемам запуска триггеров.

В результате запуска в схеме возникает лавинообразный процесс, который завершается запиранием V1 и насыщением V2. В результате опрокидывания напряжения коллектора V2 увеличивается скачок до уровня Uкн≈0, а напряжение на базе V2 становится отрицательным Uб2<0.

Т.к. ёмкость С»С1, то за время опрокидывания напряжение на ёмкости не успевает измениться и останется равным Uc(0), а напряжение на базе увеличится скачком от исходного уровня до уровня Uб1(0)≈-Uc(0)=Ek-Ik02Rk2. конденсатор разряжается через сопротивление Rб1 и насыщенный транзистор V2, поддерживая запертое состояние V1: Еэкв=-Ек-Ik01Rб1. напряжение на конденсаторе С изменяется по экспоненциальному закону от Uc(0)≈+Ek до Еэкв≈-Е. Когда напряжение на конденсаторе превысит нулевой уровень транзистор V1 открывается и формирование длительности импульсоа прекращается. Таким образом процесс разряда конденсатора С является основным.

Длительность импульса рассчитывается по формуле:

при Е=Ек, то .

В квази устойчивом состоянии происходит и второй процесс (сравнительно быстрый) – заряд ускоряющего конденсатора С1. Напряжение на конденсаторе в устойчивом состоянии равно: , а в квази устойчивом состоянии заряжается от источника –Е через резистор Rk1 c постоянной времени: обычно R1»Rк1 и , время установления напряжения на коллекторе .

Второй скачок и стадия восстановления.

С момента отпирания транзистора V1 в мультивибраторе развивается второй лавинообразный процесс, после которого V1 – насыщается, а V2 закрывается и транзисторы переходят в длительно устойчивое состояние. Различия состоит только в значениях напряжений на ёмкостях. Напряжение на ёмкости С1 через к.з. участок к.э. приложено своим (+) к базе V2 и создает скачок (+) напряжения на Uб2. Конденсатор С1 разряжается и напряжение на нем стремится к установившемуся Uб2 с постоянной времени: .

Процесс восстановления напряжения на конденсаторе С происходит по схеме: (здесь пренебрегаем влиянием обратных токов).

и - время восстановления. В связи с этим изменением напряжения в схеме следующие:

  1. Экспоненциальное изменение напряжения на коллекторе V2. Т.к. С включен между к. и э. Закрытого транзистора V2, поэтому напряжение на коллекторе повторяет напряжение конденсатора .

  2. Отрицательный выброс на базе V1 обусловлен конечным сопротивлением насыщенного транзистора . Т.к. в первый момент ток базы определяется (напряжение на С Uc≈0) и отрицательный скачёк равен: . По мере заряда ёмкости С напряжение на базе V1 приближается к стационарному.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]