25 Операция или

0 V0=0

1V1 =1

1V0= 1

1V1=1

Самостоятельное значение имеет логическая операция эаикы, которая символически записывается в виде

Логические элементы, реализующие операцию ИЛИ, называют элементами ИЛИ и обозначают на функциональных схемах, как пока­зано на рис. Выходной сигнал F элемента ИЛИ равен единице, если хотя бы на один из п входов подан сигнал «1».

Простейшие логические элементы ИЛИ могут быть построены на основе диодных ключей. В качестве элемента НЕ обычно служит транзисторный ключ, обладающий инвертирующими свойствами.

В зависимости от компонентов, из которых построены логические элементы И или ИЛИ, различают четыре типа логических элементов (четыре типа «логики»):

1) резисторно-транзисторные (РТЛ);

2) диодно-транзисторные (ДТЛ);

3) транзисторно-транзисторные (ТТЛ);

4) транзисторные (ТЛ).

В логических элементах первых трех типов при выполнении логн. ческих операций в силу особенности применяемых схем происходит ослабление сигналов, поэтому на их выходах включают транзисторные ключи, которые компенсируют это ослабление благодаря своим усилительным свойствам. Таким образом достигается нормализация логических уровней U(0) и U(1), т.е. доведение выходного напряжения до установленного уровня.

В логических элементах четвертого типа транзисторы, используемые для выполнения операций И и ИЛИ, работают в режиме усиления напряжения, поэтому нормализации логических уровней не требуется. В настоящее время логические элементы выполняют в основном на интегральных микросхемах.

П ри включении по схеме рис.10.23,а диодная сборка служит элементом ИЛИ, если кодирование сигналов соответствует рис.10.23,б.При воздействии сигнала »1»(-Е) хотя бы на один вход(например, Х₁=1) открывается соответствующий диод(Д₁) и выход соединяется с входом (F=1). Остальные диоды закрыты, т.е. выходной сигнал попадает на входы, на которых U_вх=0.

26.

Техническая реализация логической операции И-НЕ

На практике используют ТТЛ-элементы со сложным инвертором, позволяющим увеличить нагрузочную способность элемента. На рис. 10.27 приведена схема такого элемента И — НЕ (типа 1ЛБ344А). Транзистор Т₃ выполняет функции эмиттерного повторителя с нагру­зочным устройством в виде транзистора Т₄. При воздействии сигнала «1» на все входы транзистор Т_г насыщен, как показано ранее. Следовательно, транзистор Т₄ также насыщен из-за высокого потенциала на входе (точка а). Благодаря низкому потенциалу коллектора тран­зистора Т_г (точка б) транзистор Т₃ закрыт. При воздействии сигнала «0» хотя бы на один из входов транзистор Т₂ закрывается, а транзис­тор Т₉ открывается из-за повышения потенциала точки б и работает как эмиттерный повторитель. Диод Д служит для обеспечения режима смещения транзистора Т₃, т. е. для того, чтобы этот транзистор был закрыт при насыщенном транзисторе Т_г. Прямое напряжение на диоде Д порядка 0,5 В и служит для запирания транзистора Т₃. Это напря­жение создается даже при очень малых (порядка микроампер) токах закрытого транзистора Т₃.

28. Трансформатор –э то устройство предназначенное для преобразования напряжения (тока) одной величины в напряжение(ток) другой величины. Состоит из двух и более индуктивных обмоток.

Если обмотка разомкнута –холостой ход.

, - действующие значения эдс.

Уравнение мдс:

Мгновенное значение эдс первичной обмотки:

29. . Режим холостого хода. Холостым ходом трансформатора (хх) называется режим работы, когда его первичная обмотка присоединена к сети переменного тока, а вторичная - разомкнута.

I₂=0

U₂

I₀

U₁

w₁ w₂

Ф

Ф_1р

Рис. 27. Холостой ход трансформатора.

По первичной обмотке протекает ток хх Io, создающий магнитный поток, имеющий две составляющие. Первая из них Ф замыкается по магнитопроводу и сцеплена как с первичной, так и со вторичной об- мотками. Поток Ф индуктирует в обмотках ЭДС Е1 и Е2. Вторая составляющая Ф_1р проходит частично по магнитопроводу и частично по воздуху. Она называется потоком рассеяния, который сцеплен только с первичной обмоткой и вызывает появление в ней дополнительной ЭДС, которая учитывается понятием индуктивного сопротивления рассеяния первичной обмотки Х₁. Магнитное сопротивление для потока рассеяния в основном определяется сопротивлением пути потока по воздуху, по этому поток рассеяния Ф_1р пропорционален току I_о и совпадает с ним по фазе. На диаграмме: E₂ = k E₂ = (w₁ /w₂ ) E₂ = E₁ – приведенное значение вторичной ЭДС.

Рис. 28. Векторная диаграмма для хх.

Ток хх имеет две составляющие - реактивную (намагничивающую) Ip и активную I_a. I_p - намагничивающий ток совпадает по фазе с Ф. I_р по закону магнитной цепи связано с Ф_m соотношением: Ф_m = 2 w₁ Ip / R_м, где R_м - магнитное сопротивление стального магнитопровода. Полный ток хх I_о:

I_o = . I_о хх силовых трансформаторов мал и обычно не превышает нескольких процентов от I₁ ном. Падение напряжения от I_о х.х. невелико. Поэтому U₁ ≈ -E₁ и U_{1 ≈} E_1. I_а xx определяется потерями в стальном магнитопроводе I_a = p_c/E₁. Сдвиг фаз близок к 90⁰. У маломощных трансформаторов I₀ может быть (0,3-0,5)I _ном. Т.к. U₁ ≈ const и U₁ ≈ E₁ , то Ф_m ≈ const, т.е.:

Ф_m = E₁ / 4,44 w₁ f ≈ U₁ / 4,44 w₁ f.

При хх с достаточной точностью U₁ /U₂ = E₁ /E₂ = w₁ /w₂ = k.