Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника 1.1 / Лабы / Лабораторная работа 7.docx
Скачиваний:
87
Добавлен:
15.04.2019
Размер:
259 Кб
Скачать
☆

Опыт 4. Регистрация характеристики транзисторной оптопары

В таблице 4 представлены данные зависимости выходного тока от входного транзисторной оптопары.

IВХ, мА

0,3

0,35

0,4

0,45

0,5

0,55

0,6

0,65

0,7

IВЫХ, мА

0,015

0,02

0,027

0,036

0,045

0,056

0,068

0,079

0,1

IВХ, мА

0,75

0,8

IВЫХ, мА

0,179

0,350

Таблица 4

Рисунок 9 - График зависимости выходного тока от входного тока транзисторной оптопары

Вывод: Характеристика фототранзистора идентична характеристике биполярного транзистора.

Опыт 5. Регистрация характеристики тиристорной оптопары мос3010

В таблице 5 приведены данные открывающего тока управления и остаточного напряжения тиристорной оптопары при прямой и обратной полярности питания.

Таблица 5

Питание нагрузки U, В

Остаточное напряжение Uост, В

Остаточный ток управления, Iоткр.у., мА

+15

1,41

2,56

-15

-1,41

-2,51

Вывод: Iоткр.у=2,56 - ток, зафиксированный в момент включения лампы, после достижения этого значения, остаточное напряжение не изменяется, симистор перешел в открытое состояние и при уменьшении тока управления не выключится. Далее при обратной полярности можно наблюдать те же значения тока управления и остаточного напряжения, разница в этих измерениях возникает из-за погрешности лабораторного оборудования.

Общий вывод: в данной лабораторной работе с помощью экспериментов были установлены основные свойства оптопар и определены и построены их характеристики. Говоря о резисторной оптопаре, по ее характеристики видно из закона Ома, что с увеличением выходного сопротивления входной ток уменьшается. Вольтамперная характеристика диодной оптопары в фотогенераторном режиме сильно похожа на вольтамперную характеристику обычного p-n-перехода. В фотодиодном же режиме мы наблюдаем линейную зависимость выходного тока от входного, которая очень похожа на характеристику фототранзистора. Характеристика же фототранзистора идентична характеристике биполярного транзистора. Но если говорить о разнице между фототранзисторами и фотодиодами, то первые имеют большую интегральную чувствительность благодаря усилению фототока. Симисторная оптопара при прямой и обратной полярности имеет одинаковые значения тока управления и остаточного напряжения.