- •Определение основных характеристик оптопар
- •Исследуемые схемы
- •Ход экспериментов
- •Опыт 2. Регистрация характеристик диодной оптопары зод101б в фотогенераторном режиме
- •Опыт 3. Регистрация характеристики диодной оптопары зод101б в фотодиодном режиме
- •Опыт 4. Регистрация характеристики транзисторной оптопары
- •Опыт 5. Регистрация характеристики тиристорной оптопары мос3010
- •Ответы на контрольные вопросы
Опыт 4. Регистрация характеристики транзисторной оптопары
В таблице 4 представлены данные зависимости выходного тока от входного транзисторной оптопары.
IВХ, мА |
0,3 |
0,35 |
0,4 |
0,45 |
0,5 |
0,55 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
||||||
IВЫХ, мА |
0,015 |
0,02 |
0,027 |
0,036 |
0,045 |
0,056 |
0,068 |
0,079 |
0,1 |
||||||
IВХ, мА |
0,75 |
0,8 |
|
|
|
|
|
|
|||||||
IВЫХ, мА |
0,179 |
0,350 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Таблица 4
Рисунок 9 - График зависимости выходного тока от входного тока транзисторной оптопары
Вывод: Характеристика фототранзистора идентична характеристике биполярного транзистора.
Опыт 5. Регистрация характеристики тиристорной оптопары мос3010
В таблице 5 приведены данные открывающего тока управления и остаточного напряжения тиристорной оптопары при прямой и обратной полярности питания.
Таблица 5
Питание нагрузки U, В |
Остаточное напряжение Uост, В |
Остаточный ток управления, Iоткр.у., мА |
+15 |
1,41 |
2,56 |
-15 |
-1,41 |
-2,51 |
Вывод: Iоткр.у=2,56 - ток, зафиксированный в момент включения лампы, после достижения этого значения, остаточное напряжение не изменяется, симистор перешел в открытое состояние и при уменьшении тока управления не выключится. Далее при обратной полярности можно наблюдать те же значения тока управления и остаточного напряжения, разница в этих измерениях возникает из-за погрешности лабораторного оборудования.
Общий вывод: в данной лабораторной работе с помощью экспериментов были установлены основные свойства оптопар и определены и построены их характеристики. Говоря о резисторной оптопаре, по ее характеристики видно из закона Ома, что с увеличением выходного сопротивления входной ток уменьшается. Вольтамперная характеристика диодной оптопары в фотогенераторном режиме сильно похожа на вольтамперную характеристику обычного p-n-перехода. В фотодиодном же режиме мы наблюдаем линейную зависимость выходного тока от входного, которая очень похожа на характеристику фототранзистора. Характеристика же фототранзистора идентична характеристике биполярного транзистора. Но если говорить о разнице между фототранзисторами и фотодиодами, то первые имеют большую интегральную чувствительность благодаря усилению фототока. Симисторная оптопара при прямой и обратной полярности имеет одинаковые значения тока управления и остаточного напряжения.
