Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

laba_3_Bogdanova

.doc
Скачиваний:
4
Добавлен:
28.02.2019
Размер:
849.41 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра РТЭ

отчет

по лабораторной работе №3

по дисциплине «Вакуумная и плазменная электроника»

Тема: Изучение закономерностей токораспределения в триодах

Студент(ка) гр. 6209

Богданова М.В.

Преподаватель

Шевченко С.А.

Санкт-Петербург

2018

Цель работы.

Исследование режимов и характеристик токораспределения в различных типах электронных ламп (триодах).

Справочные данные исследуемых триодов.

Ia max=18мА

Ua max=150B

Ic max=5мА

Схемы измерительных установок.

Рисунок 1 – Измерительная схема для установки с триодом

Основные теоретические положения.

Многие режимы работы триодов и других многоэлектродных ламп предусматривают подачу положительных потенциалов, по крайней мере, на два электрода – анод и одну из сеток. В связи с этим поток электронов, движущийся от катода к аноду, частично оседает на положительно заряженной сетке. Такой процесс получил название процесса токораспределения в лампе. Процесс токораспределения можно характеризовать двумя основными параметрами: коэффициентом токопрохождения и коэффициентом токораспределения . Учитывая, что катодный , анодный и сеточный токи связаны между собой равенством , легко показать, что , .

Возьмем триод и измерим зависимости и от при двух значениях (рисунок 2). Сплошными линиями показаны анодные характеристики, пунктирными  сеточно-анодные.

Рисунок 2 – зависимости и от

Если по этим характеристикам рассчитать и построить зависимости от , то полученные кривые будут иметь вид, приведенный на рисунок 3.

Рисунок 3 – зависимость от

На рисунке 4 приведены фрагменты плоского триода, представляющие собой триодные ячейки, одинаковые по геометрическим размерам, но различающиеся картинами электрических полей и траекторий, полученными при разных потенциалах сетки (слева направо – 1 В; 3,5 В; 6 В; 20 В) и неизменном потенциале анода 10 В.

Рисунок 4 – фрагменты плоского триода

На рис. 4 потенциал сетки 3,5 В выбран равным «естественному» потенциалу , т. е. потенциалу, при котором картина электрического поля в триоде сохраняется такой же, какой она была в исходном диоде до помещения в него сетки. В этом случае электроны летят от катода к аноду по прямым линиям и на сетку попадают лишь те из них, которые вышли с участков катода, расположенных непосредственно под витками сетки. При этом

, где  коэффициент заполнения поверхности сетки проволокой. Типичными значениями являются . Снижение потенциала сетки вызывает провисание эквипотенциалей к катоду (рис.4–1В), фокусировку потока электронов и уменьшение поверхности катода, с которой выходят электроны, попадающие на сетку. Коэффициенты и при этом растут. При возникает провисание эквипотенциалей в сторону анода (рис. 4– 6В), расфокусировка электронного потока и к увеличение поверхности катода, с которой выходят электроны, перехватываемые сеткой. Коэффициенты и при этом уменьшаются. Режим токораспределения, при котором сила сеточного тока в основном определяется электронами, перехватываемыми сеткой при их движении к аноду (прямое направление движения), получил название режима прямого перехвата. Режим токораспределения, при котором сеточный ток определяется в основном электронами, возвращающимися из области анода, получил название режима возврата.

Условная граница режимов токораспределения определяется значением (см. рис. 3). Слева от этой границы преобладает режим возврата, справа  режим прямого перехвата.

Обработка результатов эксперимента.

  1. Статистические характеристики триода

Таблица 1 - Анодная характеристика при Uc=0В

Ia,мА

0,2

0,4

0,8

1

2

3

4,2

5,5

Ua,B

10

20

30

40

50

60

70

80

Таблица 2 - Анодная характеристика при Uc=1B

Ia,мА

0,8

1,6

3,4

4,4

6

7,8

9,8

10,2

Ua,B

10

20

30

40

50

60

70

75

Таблица 3 - Анодная характеристика при Uc=2В

Ia,мА

2

3,8

5

7

8,4

10,4

12

13

Ua,B

10

20

30

40

50

60

70

75

Таблица 4 - Анодная характеристика при Uc=3В

Ia,мА

2

5

7

9

11

13

15

16

Ua,B

10

20

30

40

50

60

70

75

Таблица 5 - Анодная характеристика при Uc=4В

Ia,мА

4,4

6,5

8,6

10,7

12,8

14,9

17

18

Ua,B

10

20

30

40

50

60

70

75

Рисунок 5 - анодные характеристики триода

Таблица 6 - Сеточно-анодные характеристики для Uc=0 B

Ua,В

0

10

20

30

40

50

60

70

80

Ic,мА

0

0

0

0

0

0

0

0

0

Таблица 7 - Сеточно-анодные характеристики для Uc=1 B

Ua,В

0

10

20

30

40

50

60

70

80

Ic,мА

0,4

0,35

0,3

0,25

0,25

0,2

0,2

0,15

0,15

Таблица 8 - Сеточно-анодные характеристики для Uc=2 B

Ua,В

0

10

20

30

40

50

60

70

75

Ic,мА

0,9

0,9

0,85

0,8

0,8

0,75

0,75

0,7

0,7

Таблица 9 - Сеточно-анодные характеристики для Uc=3B

Ua,В

0

10

20

30

40

50

60

70

75

Ic,мА

1,75

1,6

1,5

1,45

1,4

1,4

1,35

1,3

1,3

Таблица 10 - Сеточно-анодные характеристики для Uc=4 B

Ua,В

0

10

20

30

40

50

60

70

75

Ic,мА

2,5

2,25

2,15

2,05

2

2

2

2

2

Рисунок 6 - Сеточно-анодные характеристики триода

  1. Расчет коэффициента токопрохождения

Ik=Ia+Ic=0,8+0,35= 1,15 mA (Uc= 1 B, Ua= 10 B)

Коэффициент токопрохождения

При этом

коэффициентом токораспределения ;

Таблица 11 - Коэффициент токопрохождения для Uc= 1 B

Ik,mA

1,15

1,9

3,65

4,65

6,2

8

9,95

10,35

b

0,6957

0,8421

0,9315

0,9462

0,9677

0,975

0,9849

0,9855

Ua/Uc

10

20

30

40

50

60

70

75

k

2,2857

5,3333

13,6

17,6

30

39

65,333

68

Таблица 12 – Коэффициент токопрохождения для Uc= 2 B

Ik,mA

2,9

4,65

5,8

7,8

9,15

11,15

12,7

13,7

b

0,6897

0,8172

0,8621

0,8974

0,918

0,9327

0,9449

0,9489

Ua/Uc

5

10

15

20

25

30

35

37,5

k

2,22

4,47

6,25

8,75

11.20

13,87

17,14

18,57

Таблица 13 – Коэффициент токопрохождения для Uc= 3 B

Ik,mA

4,6

6,5

8,45

10,4

12,4

14,35

16,3

17,3

b

0,6522

0,7692

0,8284

0,8654

0,8871

0,9059

0,9202

0,9249

Ua/Uc

3,3333

6,6667

10

13,333

16,667

20

23,333

25

k

1,88

3,33

4,83

6,43

7,86

9,63

11,54

12,31

Таблица 14 – Коэффициент токопрохождения для Uc= 4 B

Ik,mA

6,65

8,65

10,65

12,7

14,8

16,9

19

20

b

0,6617

0,7514

0,8075

0,8425

0,8649

0,8817

0,8947

0,9

Ua/Uc

2,5

5

7,5

10

12,5

15

17,5

18,75

K

1,96

3,02

4,20

5,35

6,40

7,45

8,50

9,00

Рисунок 7 - зависимость коэффициента токопрохождения от Ua/Uc

7

Соседние файлы в предмете Вакуумная и плазменная электроника