Федеральное агентство связи

ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

Уральский технический институт связи и информатики (филиал)

А. Н. Курушин

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

Тесты с разбивкой на дидактические единицы

для преподавателей

Екатеринбург

2011

УДК 621.38

ББК 32.85я723

Рецензент: Матвиенко В. А. - к.т.н., доцент кафедры ОПД ТС

Курушин А. Н.

Электронная техника [Текст] : тесты с разбивкой на дидактические единицы для преподавателей, обучающих студентов очной и заочной форм обучения по специальностям 210709 - «Многоканальные телекоммуникацион-ные системы», 210723 - «Сети связи и системы коммутации» среднего профес-сионального образования / А. Н. Курушин.- Екатеринбург : Изд-во УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ», 2011.- 29 с.

Тесты содержат 100 вопросов с разбивкой на 2 дидактические единицы для закрепления, углубления и расширения теоретических знаний студентов, а также литературу, которую можно рекомендовать студентам для подготовки к данным тестам.

Рекомендовано НМС УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ» в качестве тестовых заданий для преподавателей, обучающих студентов очной и заочной форм обучения по специальностям 210709 - «Многоканальные телекоммуника-ционные системы», 210723 - «Сети связи и системы коммутации» среднего профессионального образования.

УДК 621.38

ББК 32.85я723

Цикловая комиссия (секция) Электротехнических дисциплин при кафедре Общепрофессиональных дисциплин технических специальностей

© УрТИСИ ФГОБУ ВПО «СибГУТИ», 2011

Содержание

Пояснительная записка 4

ДЕ 1 Полупроводниковые приборы 5

ДЕ 2 Электронные устройства 14

Литература 29

Пояснительная записка

Тестовые задания по учебной дисциплине «Электронная техника» составлены в соответствии с Государственными требованиями, обязательными при реализации основных профессиональных образовательных программ среднего профессионального образования.

Тестовые задания предназначены для преподавателей, обучающих студентов очной и заочной форм обучения по специальностям 210709 - «Многоканальные телекоммуникационные системы», 210723 - «Сети связи и системы коммутации» среднего профессионального образования.

Целью тестовых заданий является формирование у студентов знаний и представлений в рамках дисциплины «Электронная техника» в соответствии с дидактическими единицами, включающими следующие темы:

ДЕ 1 Полупроводниковые приборы

1.1 Физические основы полупроводниковых приборов

1.2 Полупроводниковые диоды

1.3 Биполярные транзисторы

1.4 Полевые транзисторы

1.5 Тиристоры

1.6 Основы микроэлектроники

1.7 Элементы оптоэлектроники

1.8 Приборы отображения информации

ДЕ 2 Электронные устройства

2.1 Структурная схема и основные качественные показатели усилителя

2.2 Обратная связь в усилителях

2.3 Режимы работы усилительных каскадов. Межкаскадные связи

2.4 Резистивный каскад предварительного усиления

2.5 Широкополосные усилители

2.6 Оконечные и предоконечные каскады

2.7 Усилители постоянного тока

2.8 Операционные усилители

ДЕ 1 Полупроводниковые приборы

1 Какие носители зарядов являются основными в полупроводниках n-типа?

1. + ионы

2. Электроны

3. дырки

4. – ионы

2 Каков тип проводимости полупроводника с донорной примесью?

1. n-тип

2. р-тип

3. i-тип

4. собственный

3 Каков тип проводимости полупроводника с акцепторной примесью?

1. n-тип

2. р-тип

3. i-тип

4. собственный

4 Указать основное свойство р-n перехода.

1) односторонняя проводимость

2) туннельный эффект

3) барьерная емкость

4) правильного ответа нет

5 Как изменяется потенциальный барьер при обратном смещении p-n перехода?

1) Увеличивается

2) уменьшается

3) не изменяется

4) правильного ответа нет

6 Указать участок, соответствующий прямому включению р-n перехода.

1) ОА

2) ОВ

3) ВС

4) СД

7 Указать участок, соответствующий обратному включению р-n перехода.

1) ОА

2) ОВ

3) ВС

4) СД

8 Указать условно-графическое обозначение диода с участком отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике.

1) 2) 3) 4)

9 Указать условно-графическое обозначение диода, в котором используется барьерная емкость р-n перехода.

1) 2) 3) 4)

10 Указать вольтамперную характеристику выпрямительного диода.

1) 2) 3)

4)

11 Указать вольтамперную характеристику туннельного диода.

1) 2) 3)

4)

12 Указать значение напряжения U_P-N перехода для переходов, сделанных на базе Si и Ge (кремния и германия).

1) U_{P-N Ge} < 1В, U_{P-N Si} > 1В

2) U_{P-N Ge} = 1,7B, U_{P-N Si} = 1,8B

3) U_{P-N Ge} ≈ 0,3 – 0,4В, U_{P-N Si} ≈ 0,6 – 0,7B

4) U_{P-N Ge} > 1В, U_{P-N Si} < 1В

13 Какие диоды, точечные или плоскостные, и почему, применяются в более высокочастотных схемах?

1) плоскостные, так как у них большая емкость P-N перехода

2) точечные, так как у них маленькая емкость P-N перехода

3) точечные и плоскостные, так как для их изготовления применяют кремний и германий

4) плоскостные, так как они могут пропускать большие по значению токи: mA, A

14 Параллельное соединение выпрямительных диодов применяется для…

1) увеличения допустимого обратного напряжения Uобр.max

2) уменьшения допустимого обратного напряжения Uo6p.max

3) увеличения допустимого прямого тока Inp.mах

4) уменьшения допустимого прямого тока Iпр.mах

15 Последовательное соединение выпрямительных диодов применяется для…

1) увеличения допустимого обратного напряжения Uобр.mах

2) уменьшения допустимого обратного напряжения Uобр.max

3) увеличения допустимого прямого тока Iпр.mах

4) уменьшения допустимого прямого тока Iпр.max

16 Указать условно-графическое обозначение диода для стабилизации напряжения.

1) 2) 3) 4)

17 Какой материал используется для изготовления стабилитронов и почему?

1) арсенид галлия, так как ΔW_з > 1В

2) кремний, так как у него ΔW_з больше, чем у германия

3) германий, так как у него ΔW_з меньше, чем у кремния

4) стабилитроны делают из любого полупроводникового материала

18 Указать формулу для расчета коэффициента передачи тока .

1) 2) 3) 4)

19 Указать формулу для расчета коэффициента усиления транзистора .

1) 2) 3) 4)

20 Как включаются в режиме усиления эмиттерный и коллекторный переходы?

1) оба перехода включаются в прямом направлении

2) эмиттерный переход включается в прямом направлении, коллек-торный – в обратном

3) оба перехода включаются в обратном направлении