
- •1.Особенности радиоконструкций аиус
- •2.Требования к конструкциям аиус
- •3.Элементная база и поколения
- •5.Виды конструкций интегральных схем (ис), используемых в аиус.Полупроводниковая ис, пленочная ис, гибридная интегральная схема (гис)(определения).
- •6.Элемент, компонент ис. Микросборка, микроблок (определения).
- •7.Возможности реализации резисторов и конденсаторов, транзисторов и диодов в полупроводниковом и пленочном исполнении. (?!?!)
- •8.Тонкопленочные и толстопленочные гис. Характеристики, области использования.
- •9.Методы изготовления тонкопленочных и толстопленочных гис.
- •10.Подложки гис. Требования, материалы.
- •11., 13 Проводники и контактные площадки тонкопленочных гис.
- •12. Пасты толстопленочных гис. Последовательность нанесения слоев.
- •14. Тонкопленочные резисторы. Основные характеристики. Коэффициент формы. Возможные формы резисторов.
- •17.Полная относительная погрешность изготовления тонкопленочного резистора.
- •18. Последовательность расчета тонкопленочного резистора.
- •20.Тонкопленочные и толстопленочные конденсаторы. Форма, материалы. Расчет конденсатора.
- •21. Компоненты гис. Бескорпусные полупроводниковые приборы. Виды выводов.
- •22.Компоненты гис. Навесные конденсаторы, используемые в гис. Формы, характеристики, группы по температурному коэффициенту емкости (тке).
- •23.Выбор размеров подложки.
- •24.Размещение компонентов на плате. Операции крепления на подложке и присоединения компонентов к контактным площадкам.
- •25.Корпуса гис. Операции при размещении гис в корпусе.
- •26. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата».
- •27. Конструкторская документация гис. Особенности оформления чертежа «Плата. Сборочный чертеж».
14. Тонкопленочные резисторы. Основные характеристики. Коэффициент формы. Возможные формы резисторов.
Топологический расчет пленочного резистора заключается в определении его формы, геометрических размеров и площади, занимаемой резистором на подложке.
Исходные данные для расчета:
номиналы резисторов Ri , Ом ;
мощности рассеяния Ррас i , Вт;
- технологические ограничения
- допустимые отклонения сопротивления резисторов от номинала Ri , %.
Конструкция резисторов определяется по коэффициенту формы Кфi = Ri / s (1)
При 1Кф10 рекомендуется конструировать резистор прямоугольной формы, изображенной на рис. 4а; при Кф>10 резистор сложной формы типа меандр (см. рис. 4б); при 0,1< Кф < 1 резистор прямоугольной формы, у которого длина меньше ширины. Конструировать резистор Кф<0,1 нецелесообразно. В этом случае рекомендуется выбрать материал с меньшим значением s.
16.Тонкопленочные резисторы типа «полоска». Понятия: сопротивление квадрата пленки, коэффициент формы. Расчет ширины тонкопленочного резистора.
Конструкция резисторов определяется по коэффициенту формы Кфi = Ri / s
Расчетная длина l = bKф (4)
Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок lполн = l+2e (5)
Площадь, занимаемая резистором на подложке: S = lполнb (6)
Для резисторов, имеющих Kф<1, сначала определяют длину, а затем ширину.
Расчетную длину резистора находят из условия: l = max{ lтехн, lр } где lтехн - минимальная длина резистора, определяемая разрешающей способностью выбранного метода изготовления (масочный, фотолитографический) (см. табл. 3);
lр
- минимальная
длина резистора, при которой рассеивается
заданная мощность:
lр=
Расчетная ширина резистора b = l / Kф
Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок и площадь резистора определяют соответственно по формулам .
Для расчета
сопротивления тонких пленок пользуются
понятием удельного поверхностного
сопротивления rs , под которым понимается
сопротивление тонкой пленки, имеющей
в плане форму квадрата. Величина rs
связана с величиной r и легко может быть
получена, если принять s = dw , где w -
ширина резистивной пленки, d - толщина
резистивной пленки.
где
- удельное поверхностное сопротивление(удельное
сопротивление квадрата), зависящее от
толщины пленки d и имеющее размерность
Ом/ (Ом/квадрат). Если l = w, то R=rs, причем
величина сопротивления не зависит от
размеров сторон
17.Полная относительная погрешность изготовления тонкопленочного резистора.
Полная относительная погрешность резистора ℵR = ΔR/R определяется суммой всех погрешностей изготовления и погрешностей, возникающих при его эксплуатации
Еще
\
зависит от материала пленок, эффективности
их защиты, а также от условий хране-
ния и эксплуатации. Коэффициент старения пленочного резистора практически равен коэффициенту старения удельного поверхностного сопротивления, обусловленному изменением структуры пленки и ее окислением
Погрешность
зависит от технологических условий
напыления металлических пленок,
удельного сопротивления резистивных
пленок и геометрических размеров
перекрытия контактных площадок. При
правильном
материалов и геометрии контактных площадок величиной можно пренебречь.