Добавил:
linker.pp.ua Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЛЬТРОВ НА ПАВ

.doc
Скачиваний:
17
Добавлен:
15.12.2018
Размер:
1.15 Mб
Скачать

Лабораторная работа №1

ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЛЬТРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

  1. Цель работы

Изучить назначение, конструкции и основы технологии фильтров на поверхностных акустических волнах (ПАВ), а также их основные характеристики. Исследо­вать амплитудно-частотные характеристики фильтров для УПЧИ и УПЧЗ современных телевизоров, влияние температуры на их характеристики.

  1. Краткие сведения из теории

Одним из важных направлений функциональной электроники является акустоэлектроника, где значительное место занимают устройства и эле­менты на поверхностных акустических волнах (ПАВ). К ним можно отнести фильтры электрических сигналов, линии задержки, резонаторы, акус­тические фазовращатели, аттенюаторы, генераторы сигналов на ПАВ, уст­ройства пространственно-временной обработки сигналов и др.

Во всех этих устройствах и элементах используются преобразовате­ли ПАВ, служащие для преобразования электрических сигналов в акус­тические и наоборот. Известны преобразователи ПАВ, использующие трансформацию объемных акустических волн, и электродные, преобразова­тели ПАВ, причем последние более технологичны и обеспечивают возмож­ность расширения частотного диапазона до сотен мегагерц - единиц гигагерц.

Принцип работы электродных преобразователей ПАВ основан на упругой деформации участков пьезоэлектрического кристалла под действием прикладываемого на электроды, находящиеся на его поверхности, пере­менного напряжения. В однофазном преобразователе (рис. 1.1) период расположения электродов выбирается равным длине поверхностной акус­тической волны подложке из заданного материала, а ширина их, обычно составляет величину . Чем меньше толщина подложки, тем выше эффективность акустоэлектрического преобразования. На практике толщина подложки обычно превышает несколько единиц . В двухфаз­ном преобразователе электроды имеют встречно-штыревую геометрию.

Рис. 1.1. Однофазный (а) и двухфазный (б) преобразователи поверх­ностных акустических волн; 1 - электроды; 2 - подложка (звукопровод)

Рабочая частота однофазного преобразователя при равном периоде расположения электродов a вдвое выше, чем двухфазного. Следует отметить также, что однофазный преобразователь может работать при более высоких рабочих напряжениях, чем двухфазный. Последний, одна­ко, имеет некоторые конструкторско-технологические преимущества.

Преобразователи ПАВ характеризуются электрической и акустической добротностью:

, (1.1)

, (1.2)

где , - коэффициент электромеханической связи звукопровода; п - число пар электродов двухфазного преобразователя.

Оптимальное значение n имеет место при , когда полоса пропускания согласующего электрического контура, в котором используется последовательная индуктивность с целью компенсации статической емкости встречно-штыревого преобразователя, соответствует полосе акустического тракта, т.е. достигается электроакустическое согласование и низкий уровень отраженного сигнала.

Помимо рассмотренных существуют также однонаправленные преобразователи ПАВ, которые излучают и способны принимать акустическую волну только в одном направлении. Примером может служить преобразователь состоящий из двух встречно-штыревых структур, сдвинутых от­носительно друг друга по фазе на 90° или же на расстояние , где m - целое число. Вблизи резонансной частоты волны, излучаемые в одном направлении, складываются, а в другом - компенсируются.

В линии задержки на ПАВ также имеется два преобразователя на подложке -звукопроводе, расстояние между которыми задает величину задержки сигнала

, (1.3)

где L - расстояние между преобразователями, преодолеваемое волной по звукопроводу; - скорость распространения ПАВ в данном материале.

На практике . С целью ослабления отражений и подавления стоячих волн по обеим сторонам преобразователей в линии задержки наносится поглощающее покрытие.

Большое практическое значение имеют полосовые фильтры на ПАВ, при­меняемые в настоящее время, в частности, в телевизионных приемниках в трактах УПЧИ и УПЧЗ. Они отличаются небольшими габаритами, малыми потерями (10...20 дБ), подавлением отраженных сигналов до уровня 30...40 дБ, хорошей температурной и временной стабильностью, высокой воспроизводимостью параметров при использовании современных методов производства. Схематически простейший вариант фильтра на ПАВ показан на рис. 1.2. При таком симметричном расположении выходных преобразо­вателей до отношению к входному используются обе части ПАВ, излу­чаемые по направлениям, показанным стрелками.

Рис. 1.2. Полосовой фильтр на ПАВ

Определяемая преобразователями полоса частот может изменяться в некоторых приделах при использовании промежуточных пассивных электродов. В известных преобразователях типа дифракционной решетки ряд пассивных электродов шириной , расположенных с шагом (рис. 1.3), относительная полоса частот за­висит от числа пассивных электродов. При этом зачастую улучшается форма частотной характеристики.

Рис1.3. Преобразователь ПАВ типа дифракционной решетки

Кроме того, для получения заданной частотной характеристики может приме­няться метод анодизации структур со встречно-штыревыми преобразователями, который заключается в изменении степени перекрытия штырей, достигаемом измене­нием их длины. Различают несимметрич­ную анодизацию, когда изменена длина электродов лишь одной гребенки, и симметричную. При этом происходит амплитудная модуляция импульсного отклика, а также, как нежелательные явления, наблюдаются дифракция акустической волны, излучаемой участ­ками с малыми перекрытиями штырей, и фазовые искажения фронта волны.

Учитывая разнообразные возможности формирования ПАВ, нетрудно понять достаточно широкое распространение других элементов на ПАВ: резонато­ров, полосовых усилителей, генераторов, активных фильтров, ответвителей и других, о которых упоминалось ранее.

Рассмотрим теперь особенности конструкции и технологии фильтров УПЧИ и УПЧЗ современных телевизионных приемников.

Так, основными элементами конструкции фильтров являются платы, соединенные клеевым швом, и крышка (рис. 1.4). Платы изготавливаются по типовым методам, широко используемым в микроэлектронике. Ис­пользуются, в частности, технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме, фотолитография, нанесение и вжигание паст, термокомпрессия и др. Кроме того, большое место в технологии занимают процессы прецизионной механической обработки деталей малых размеров.

п.1. Клей токопроводящий

п.2. Клей ВТ-25-200, состав I,

наполнитель - нитрид бора

ОСТ4 ГО.029.204

п.3. Сварка термокомпрессионная

п.4. Грунтовка

Рис.1.4. Общий вид фильтра УПЧИ: 1 - плата из монокристаллического ниобата лития; 2 - керамическая плата; 3 - металлическая крышка

Плата поз.2 изготавливается методами толстопленочной технологии. Материалом подложки служит керамика, как правило, марки 22ХС. Про­цесс изготовления подложки удовлетворяет ТУ 11-76. Перед нанесением паст проводится подготовка поверхности подложек, которая включает промывку в теплой мыльной воде, а затем в проточной дистиллирован­ной воде. Следующими операциями являются сушка и обжиг в конвейерной печи при 600°С. Проводящая и диэлектрическая пасты наносятся методом сеткографической печати с целью формирования заданного ри­сунка. Топология участка платы с контактной площадкой 1 показана на рис. 1.5. Проводящая плата представляет собой смесь мелкодисперсных порошков 6лагородных металлов, чаще всего Ag и Pd, окислов металлов и стекла, взвешенных в органической, например, скипидарно-канифолевой связке.

1 - проводники и контактные площадки.

Паста проводниковая марки 4350,

0,05 Ом/□

2 - изолирующий слой. Паста диэлектрическая

марки 0025, Ом

Допускается замена на лак ЭП-730,

ГОСТ 20824-81

Рис. 1.5. Участок платы о проводниковым (1) и диэлектрическим (2)

покрытием

Толщина слоя ~ 20 мкм. После печати пасты для постепенного удаления органической связки и исключения процесса появления пустот, раковин и других дефектов слоя проводится сушка, на­пример, инфракрасная, при температуре 80...125°С в течение 15...20 мин. Последующая операция - вжигание проводящего слоя в инертной среде, например, в туннельной печи в атмосфере азота, при темпера­туре 800°С в течение 900...100 мин. Скорость изменения температуры при этом не должна превышать 60...70°С/мин, а максимальная темпера­тура должна выдерживаться с погрешностью не более 1°С. Диэлектриче­ская пленка формируется однократной или двукратной печатью с промежуточной сушкой. Вжигание производится при температуре ~700°С.

Электроды на плате поз.1 изготавливаются по тонкопленочной техно­логии. При этом используется монокристаллическая подложка Пл-20-1,5-32 Нл из ниобата лития для фильтров УПЧИ и поликристаллическая под­ложка из пьезокерамики ЦГССт-5 для фильтров УПЧЗ. С целью борьбы с объемными волнами с тыльной стороны подложек под углом - 45° к оси y фрезеруются специальные пазы (рис. 1.6), которые заполняются свинцовым суриком для подложек фильтров УПЧИ и замазываются клеем для подложек фильтров УПЧЗ. Таким образом формируются акустопоглотители. Исключение составляет паз 4 под экраном, прозрачный по оси у, кото­рый замазывается проводящим клеем - контактолом. Преобразователи 1 и 2 имеют различное количест­во электродов в гребенке и различную их ширину. Так, ши­рина электродов во входном преобразователе ~20 мкм, а в выходном - около 100 мкм. Металлические электроды пре­образователей со встречно-штыревой геометрией, экран и вспомогательные элементы на угловых участках подлож­ки выполняются двухслойными: нижний слой толщиной 0,045±0,005 нм - из ванадия ТУ48-3-4-373-76, а верхний слой толщиной 1050±50 нм - из алюминия ЕТО.021.051 ТУ.

Рис.1.6. Плата фильтра УПЧИ; 1 - вход­ной преобразователь ПАВ; 2 - выходной преобразователь ПАВ; 3 - экран; 4 -паз, заполненный контактолом

Слои наносятся на подложу пос­ле ее тщательной отмывки термическим испарением в вакууме не выше 10-3 Па в одном или двух вакуумных циклах. Температура подложки во время нанесения пленок составляет около 140°С. Слой ванадия может также наноситься методом ионно-плазменного распыления, обеспечивающим, как правило, более высокую адгезию пленки к подложке. Заданный рисунок двухслойной пленки получают методом фотолитографии при ис­пользовании фоторезиста ФП-383 или ФПРН-7, либо других марок и про­цесса химического травления в комплексном травителе (воздействующем на Al и V ) или последовательно в травителях для алюминия и вана­дия. После промывки и сушки следует контроль с целью отбраковки струк­тур с короткими замыканиями гребенок обрывами вследствие возможного "перетрава" и другими дефектами, приводящими к ухудшению амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) фильтров. Проводится как электричес­кий, так и визуальный контроль под бинокулярным микроскопом. Платы фильтров УПЧЗ имеют иные размеры и топологию, но по технологии мало отличаются от фильтров УПЧИ. По концам платы УПЧЗ (по оси Х) краской наносятся каплевидные акустопоглотители, а посадка их на керамическую плату (поз.2) производится с помощью клея на эпоксидной основе, но не токопроводящего, как для фильтров УПЧИ.

Следует отметить, что конструкция и технология линий задержки на ПАВ в значительной степени аналогичны описанным фильтрам на ПАВ. Кри­тичным является расстояние между преобразователями, рассчитываемое в первом приближении из выражения (1.3).

Пример применения фильтра на ПАВ в схеме УПЧИ современного цвет­ного телевизора показан на рис 1.7.

Контроль фильтров на ПАВ в основном сводится к проверке на соответствие АЧХ требуемой. Полоса частот фильтра УПЧИ лежит в пределах 32,5...38 МГц раз­брос уровня сигнала а пределах полосы пропускания не шире 6±1 дБ, а подавление на соседних частотах (31,5 и 39,5 МГц) не более 36 дБ.

Рис.1.7. Часть принципиальной схемы УПЧИ, содержащей фильтр на ПАВ У1

Боковые всплески, например, в диапазоне частот 39,5...43 МГц подавляются отно­сительно сигнала на центральной частоте или частоте 36,5 МГц не более чем на 34 дБ, Полоса частот фильтра УПЧЗ значительно более узкая - 250 кГц, а центральная частота составляет 6,5 МГц±0,5%.

3. Схема измерений

Рис.1.8. Схема снятия АЧХ фильтров

4. Приборы и оборудование, применяемые в работе

1. Генератор Г4 - 102.

2. Осциллограф С1-75.

3. Макет с 4 фильтрами и термостатом.

5. Порядок выполнения работы

5.1. Снять АЧХ трёх фильтров.

Для этого изменяя частоту сигнала генератора на 6 диапазоне (4-10 Мгц) для фильтров 1,3 и на 8 диапазоне(20-50 Мгц) для фильтра 2 снять зависимость амплитуды выходного сигнала фильтра от частоты.

5.2. Исследовать влияние температуры на форму АЧХ и уход цент­ральной частоты.

Для этого необходимо получить АЧХ фильтра 4, помещенного в термостат, при комнатной и повышенной температуре на 6 диапазоне (4-10 Мгц) генератора.

5.2.1.Снять АЧХ фильтра 4 при комнатной температуре.

5.2.2. Установить максимально возможную амплитуду на выходе фильтра 4. Записать значения центральной частоты и амплитуды сигнала. Тумблер "Нагрев" включить. Загорится лампочка на макете. Нагреть на 30°С от комнатной температуры (соответствует маленьким 5 делениям на встроенном индикаторе макета). Снова найти и записать значения центральной частоты и амплитуды сигнала на выходе фильтра.

5.2.3. Снять АЧХ фильтра 4 при повышенной температуре.

5.3. Методика получения данных.

Установить максимально возможную амплитуду на выходе фильтра изменением частоты на выходе генератора. Записать значения центральной частоты и амплитуды сигнала. Изменить частоту на генераторе в меньшую и большую сторону от центральной до момента получения амплитуды сигнала на выходе фильтра 0,707 от максимальной амплитуды. Записать значения этих частот. Эти данные используются для расчета добротности и полосы пропускания фильтра. Провести дополнительно 10-15 измерений в указанном диапазоне частот для качественного построения АЧХ фильтра.

6. Контрольные вопросы

6.1. Перечислите элементы функциональной электроники на ПАВ.

6.2. Какие существуют типы преобразователей ПАВ?

6.3. Как определяется время задержки сигнала линией задержки на ПАВ?

6.4. Изобразите схематически один из вариантов фильтра на ПАВ.

6.5. Из каких элементов конструкции состоит фильтр УПЧИ или УПЧЗ?

6.6. Как изготавливается активная плата фильтра?

6.7. Как изготавливается пассивная плата фильтра?

6.8. Каким образом изготавливаются акустопоглотители?

6.9. Объясните влияние температурных воздействий на характерис­тики фильтров.

7.Содержание практической части отчета

7.1 Функциональная схема лабораторного исследования. Приборы, их основные параметры и погрешности измерений. Конструктивные и электрические параметры исследуемых фильтров.

7.2.Таблицы экспериментальных и расчетных данных.

7.3 Графики АЧХ фильтров.

7.4 Расчет добротности и полосы пропускания фильтров.

7.5 Выводы с анализом результатов.

8. Рекомендуемая литература

8.1. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. - М.:Сов. радио, 1980.

8.2. Достанко А.П. Технология интегральных схем. - Минск: Вышэйшая школа, 1982,

8.3. Парфенов О.Д. Технология микросхем. - М.: Высшая школа, 1977.

Приложение 1.

Пьезоэлектрический эффект.

При механической деформации некоторых кристаллов в определенных направлениях на их поверхностях образуются электрические заряды противоположных знаков, а внутри кристалла возникает электрическое поле. При изменении направления деформации изменяются и знаки зарядов. Это явление называют пьезоэлектрическим эффектом. Пьезоэлектрический эффект обратим, т. е. при помещении кристалла в электрическое поле он будет изменять свои линейные размеры. Заряд, возникающий при пьезоэлектрическом эффекте, определяется соотношением

где F - величина силы, вызвавшей деформацию, - постоянные для данного кристалла коэффициенты, называемые пьезоэлектри­ческими модулями; зависят от типа кристаллической решетки, вида деформации и температуры.

8

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.