- •Глава V
- •§V.I. Показатель эффективности при стрельбе по воздушным целям
- •§ V.2. Оценка эффективности рв при стрельбе по наземным целям
- •§ V.3. Определение области срабатывания
- •§ V.4. Определение области срабатывания для инерционных рв
- •§ V.5. Пример расчета области срабатывания
- •§ V.6. Упрощенный метод расчета эффективности
- •§ V.8. Определение области срабатывания рв с остронаправленными антеннами
- •§ V.10. Анализ влияния радиуса действия
- •§ V. 12. Исполнительные каскады
§ V. 12. Исполнительные каскады
Учитывая, что на эффективность действия РВ существенное
влияние оказывает инерционность исполнительного каскада
(ИК), рассмотрим его энергетические и временные характеристики.
Исполнительная схема, в общем случае, должна выполнять следующие функции: предохранение, дальнее взведение, самоликвидацию и инициирование.
пгуш™ИИ "РедохРанения и самоликвидации на практике 2 J Не Т0ЛЬК0 электрическим путем. Обычно эти
ЙйгТя" тГага1?т На панические и пиротехнические*** llTuLlnTM °бразом' непосредственно перед исполнительным каскадом стоят две задачи-
вания ЙКИе электРИческого импульса для иинциирЫ вания капсюля детонатора (КД);
-
осуществление дальнего вэяц^ёния.
Рассмотрим, как решаются
эти задачи.
Исходя из функционального назначения ИК, его можно представить в виде ключа (рис. V.42).
Учитьив а я п ар а»м етр ы К Д, можно определить необходимую мощность источника Литания (ИП), которая вызывает срабатывание КД:
Ч
|
|
|
|
|
|
Рис. V.42
* ип.мин
W
ср
!ср
(V.65)
Обычно величина этой мощности — десятки ватт, что особенно трудно обеспечить в малогабаритных РВ. В качестве источника энергии для исполнительного каскада используют так называемый запальный конденсатор (рис. V.43). Эта емкость определяется энергией срабатывания КД, а напряжение, до которого следует ее заряжать, определяется напряжением срабатывания.
c=2Wcp
и*
ср
(V.6G)
ФяаэЬа
\
'; ■"» i LI—■
Рис. V.43
При этом возникает возможность использования маломощного источника питания с повышенной величиной выходного сопротивления.
В качестве ключа можно использовать электровакуумные, газонаполненные и полупроводниковые приборы. При выборе ключа следует учитывать большие токи, необходимые для срабатывания КД, величина которых 4ожет достигать единиц и даже десятков ампер. Это условие скльно сокращает диапазон возможного применения электронных приборов. В практике
155
дайрой
ания И К находят nf
жмснение только,
'.Возможные схемы №Щ у 45; „е нокаавиы па рнс. V.44 н рнс
К на тиратроне и тирис
Jw 0- |г-----
Рис. V.44
А. о—-||-
-—--Т :тс
й
-С Э—° ^*
Яиг. V.45
Вторая задача И К — дальнее взведение. Оно осуществляется электрическим способом, благодаря наличию резистора r ™ЛфЯЛа запального конденсатора С. При использовании
иу^ппТ тиратрона эквивалентную схему зарядной цепи можно представить в виде (рис. V. 46).
ИК^ио^^ ВЗведения Щ Дннной эквивалентной схеме *ii\ мо/кно определить:
д Я/+л,-й?1Гс,п
1
Ро,
Яу,
156
I
" Л/ + ®Щ
(V.67
Как видно из этого выражения, время дальнего взведения Ограничено сверху величиной сопротивления утечки конденсатора при фиксированном значении коэффициента использования напряжения литания Ке»
Щ КЕ«-*-. .(V.68)
Практически Ке выбирают в пределах Ке*30,7-4-0,8. Учитывая, что сопротивление утечки современных конденсаторов имеет порядок /?ут^ ЮМОм, можно определить максимально возможную величину времени дальнего взведения
Ыс]~5С[мкФ], (V.69)
где С — емкость запального конденсатора в микрофарадах.
При использовании в качестве ключа тиристора эквивалентная, схема имеет вид такой же, как для тиратронного варианта, однако под сопротивлением. /?уг следует понимать не сопротивление утечки конденсатора 7?ут.с , а сопротивление утечки запертого тиристора. Это обусловлено тем, что
Аут.с ^> *\ут.тир •
Сопротивление утечки тиристора является нелинейной функцией приложенного напряжения. Ее можно представить в виде /ут=/(Е) (рис.У.47). Тогда
Яут-у-. , (V.70)
' ут х
Для случая КЕ = 0,7-f0,8 у тиристоров типа 2У201, 2У101
*д..[с]о*10-2С [мкФ]Ц | |||'
Ня основе вышеизложенного можно произвести сравнительную оценку лампового и тиристорного вариантов схемы
построения И К: * ,
а) энергия, потребляемая от источника питания и необходимая для функционирования лампового ИК больше, чем ллш^Щ ристорного. Это объясняется наличием подогревателя^* Для импульсных тиратронов, обычно применяемых в ИК, потреб* ляемая мощность подогревателем лежит в пределах единицы-десятки ватт;
б) тиратронный вариант позволяет при прочих равных условиях обеспечивать большую величину времени дальнего взведения;
в) тиристорный вариант позволяет обеспечить меньшую величину времени дальнего взведения по сравнению с тира,-тронным. Минимальное значение /дв обусловливается вре!||| нем прогрева катода, которое имеет величину порядка нескор ких секунд. Задача минимизации времени дальнего взведения особенно остро стоит при проектировании взрывателей,^; авн|^ ционным бомбам для бомбометания с малых высот, при !проЩ| тировании РВ к реактивным снарядам класса «воздухйЦШ дух», а также в целом ряде других боеприпасов. Ш
Сложность схемного решения обоих вариантов примера! одинаковая и не позволяет отдать предпочтение как! варианту. Ifi
Как следует из сравнительного анализа в петом ШВ перспективным является использование тиристооно|ё%1^
Единственным существенным недостатком являемся обеспечения большой величины /д.„ . Исследования что этот недостаток принципиально устраним, если ввести! ^зарядную цепь запального конденсатора дополнительное не-] линейное сопротивление. В качестве такой нелинейности мдж-но использовать, например, диод (рис. V.48). Тогда эквивалентная схема зарядной цепи будет иметь вид (рис. V.49). -
fit
с-И—г
CZJ—о if/
п
=?с
Рис. V.48
Я1
Rym
Koty
^И1^
% in
Рис. V.49
В этом случае
R, + /?1+#ут
П
1
U
ср
Е„
R
Ут
&>бр#
^обо + Л
обр
СУ
/?,. 4- 1Ш1
(V.7I)
Так как в этой схеме можно выбрать /?i</?)T, а для совре\и% пых диодов /?обР имеет тот же порядок величин, что и сопро-
mmmm vimKH мждеисшоров, то можно утверждать, что t^ptmmcm пШк&ШШ# эквивалентна i нратроинон по сшйм
учении больших величин /1н.
' м- *' |н!НПЫС схемы И ОС Я Т Ч И СТО ИКЗЯбМИЧССКИИ
ХШродтер к HfuiKt ическое воплощение их связано С lfp$~
ведением :л?о<>м>го анализа влияния паразитных-одрамдерозд и к: и* г- :-vpifo.i стабильности на функционирование схщы. В Шкшм | одшемных требовании к точности отработки ърщ меми жалыто^шзведения возникает необходимость разработки -таких схем ИК которые в состоянии удовлетворить всем:тр:И ^мнмнч, предъявляемые к подобного рода устройствам. йштт.1-ик -ми схемы б\дут характеризоваться больше!