- •60.Система статических и динамических параметров интегральных схем.
- •62.Первый и второй закон Мура.
- •63 .Зависимость параметров полевого транзистора от температуры.
- •64.Способы включения полевого транзистора.
- •65.Структура интегрального конденсатора, изготовленного по биполярному технологическому процессу и его параметры.
- •67.Основные параметры моп - транзисторов.
- •69.Классификация моп - транзисторов.
- •70. Понятие «жизненного» цикла полупроводниковых изделий.
69.Классификация моп - транзисторов.
МОП-транзистор с индуцированным каналом
Транзистор с индуцированным каналом имеет области истока n+ и стока n+, выводы от которых выполнены путем металлизации через отверстия в двуокиси кремния. На слой двуокиси окиси кремния напыляют слой алюминия, служащий затвором. Можно считать, что алюминиевый затвор и полупроводниковый материал p-типа образуют плоский конденсатор с окисным диэлектриком.
Если на затвор подать положительное напряжение, то положительный заряд обкладки затвора индуцирует соответствующий отрицательный заряд в полупроводниковой области канала. С возрастанием положительного напряжения этот заряд, созданный притянутыми из глубины p-области проводника электронами, которые являются неосновными носителями, превращает поверхностны слой полупроводника p-типа в проводящий канал n-типа, соединяющий исходные n+-области истока и стока. Поэтому уменьшается сопротивление материала между истоком и стоком, что ведет к увеличению тока стока. Таким образом, благодаря электростатической индукции между истоком и стоком при достижении напряжения UЗИ ПОР происходит инверсия типа проводимости полупроводника. Слой полупроводника p-типа превращается в полупроводник n-типа. До инверсии сопротивление между истоком и стоком определяется сопротивлением закрытого перехода, так как до инверсии имеет место структура n+-р-n+. После инверсии образуется n-проводимость и структура становится n+-n-n+. Меняя напряжение на затворе, можно управлять током стока. Если взять подложку n-типа, то можно построить МДП-транзистор с индуцированным p-каналом, который управляется отрицательным напряжением на затворе.
МОП-транзистор со встроенным каналом
Транзистор
с встроенным каналом имеет конструкцию,
подобную предыдущей. Между истоком и
стоком методом диффузии создают
слаболегированный канал c проводимостью
n--типа при проводимости подложки p-типа.
Возможно другое сочетание. Канал имеет
проводимость p-типа, а подложка —
проводимость n-типа. В отсутствие
напряжения на затворе (рис. 4.4, б) ток
между истоком и стоком определяется
сопротивлением n--канала. При отрицательном
напряжении на затворе концентрация
носителей заряда в канале уменьшится
(канал обедняется носителями) и в нем
появляется обедненный слой. Сопротивление
между истоком и стоком увеличивается
и ток уменьшается. При положительном
напряжении на затворе в канале индуцируется
дополнительный отрицательный заряд
(канал обогащается носителями) и ток
стока увеличивается, потому что,
увеличивается его проводимость.
70. Понятие «жизненного» цикла полупроводниковых изделий.
Жизненный цикл изделия (продукции) — это совокупность процессов, выполняемых от момента выявления потребностей общества в определенной продукции до момента удовлетворения этих потребностей и утилизации продукта.
Жизненный цикл продукции (ЖЦП) включает период от возникновения потребности в создании продукции до её ликвидации вследствие исчерпания потребительских свойств. Основные этапы ЖЦП: проектирование, производство, эксплуатация, утилизация. Применяется по отношению к продукции с высокими потребительскими свойствами и к сложной наукоёмкой продукции высокотехнологичных предприятий.
