- •Оглавление
- •Раздел 1 Теоретическая часть 3
- •Раздел 2 Индивидуальное задание 11
- •Цели и задачи
- •Раздел 1 Теоретическая часть
- •1.1 Общий вид и элементы диаграммы трехкомпонентных систем
- •1.2 Основные понятия диаграммы трехкомпонентных систем
- •1.3 Основные правила диаграммы трехкомпонентных систем
- •Раздел 2 Индивидуальное задание
- •2.1 Система СаО-Al2o3-SiO2
- •2.2 Исходные данные и метод определения задания
- •Список литературы
1.3 Основные правила диаграммы трехкомпонентных систем
Правило 1 – Метод нанесения понижения температурных пограничных кривых:
Температура всегда понижается от точки пересечения пограничной кривой (или ее продолжения) с соединительной линией (или ее продолжения), соединяющей точки составов фаз, поля первичной кристаллизации которых разделяет данная пограничная кривая. На пограничной кривой в точке ее пересечения с соединительной линией будет находиться температурный максимум.
Правило 1 (рисунок 3), позволяет определить направление понижения температуры на пограничных кривых диаграммы - будет определяться следующим образом. На кривой Е1- Е температура понижается от точки Е1 к точке Е, так как точка Е1 - точка пересечения соединительной линии АВ (совпадающая в данном случае со стороной проекционной диаграммы) и пограничной кривой Е1- Е, то есть точка Е1 является точкой температурного максимума на кривой Е1- Е.
Рисунок 3 - Диаграмма состояния трехкомпонентной системы с точкой тройной эвтектики
Правило 2 – Определение первично выпадающей фазы и дальнейшего пути распада кристалла:
-
При кристаллизации расплава, первично выпадающей фазой будет тa, в поле первичной кристаллизации которой находится точка исходного состава. Если точка исходного состава принадлежит пограничной кривой, то первичными фазами будут тe поля первичной кристаллизации, которые разделяет данная пограничная кривая.
-
При кристаллизации из расплава одной твердой фазы состав жидкой фазы изменяется по продолжению прямой, проходящей в поле кристаллизации этой фазы и проведенной через точку состава первично выпадающей фазы и точку исходного состава в сторону понижения температуры.
После начала кристаллизации компонента А (рисунок 3) состав расплава будет изменяться по отрезку M-m прямой А-М в сторону точки М. Как только состав расплава дойдет до пограничной кривой Е1 -Е расплав становится пересыщенным по отношению к двум твердым фазам: А и В. Причем кристаллы этих фаз будут одновременно выпадать из расплава (степень свободы системы равна единице).
Независимым термодинамическим параметром будет температура, а состав расплава будет изменяться при дальнейшем понижении температуры строго по пограничной кривой, то есть от точки М по кривой Е1 -Е в сторону точки Е. При достижении температуры точки тройной эвтектики tЕ начинается кристаллизация компонента С, так как в этом случае расплав становится пересыщенным по отношению сразу к трем компонентам. Нонвариантное состоянии, характерное для этого случая, заканчивается полной кристаллизацией расплава и дальнейшее возможное охлаждение системы приводит к охлаждению трех кристаллических фаз: А, В, С. Таким образом, путь кристаллизации исходного состава М: М→m→Е. Изменение фазового равновесия при нагревании будет обратным, нежели при охлаждении.
Правило 3 – Определение точки окончания кристаллизации:
Окончание кристаллизации произвольного состава системы произойдет в точке, где пересекаются поля первичной кристаллизации фаз, находящихся в вершинах элементарного треугольника, которому принадлежит точка исходного состава.
Из этого правила следует, что все составы (смотри рисунок 4), находящиеся в элементарном треугольнике А-В-АС закончат свою кристаллизацию в точке Е, а конечными продуктами кристаллизации будут соответственно кристаллы компонентов А и В и кристаллы химического соединения АС.
Если исходный состав (точка 3 на диаграмме) расположен на соединительной прямой В-АС, то этот случай рассматривается как диаграмма двухкомпонентной системы В-АС, для которой точка К является точкой двойной эвтектики и именно там окончится кристаллизация указанного состава.
Рисунок 4 - Диаграмма
трехкомпонентной системы с двойным
химическим соединением, плавящимся
конгруентно
Правило 4 – Путь кристаллизации точки системы, покидающую инконгруэнтную кривую и продолжающую дальше плавится:
-
Двойное химическое соединение в трехкомпонентной системе плавится с разложением, если точка состава этого соединения не принадлежит полю его первичной кристаллизации, а последнее примыкает к стороне проекционной диаграммы, на которой находится состав химического соединения.
-
Путь кристаллизации покидает инконгруентную кривую в точке ее пересечения с продолжением прямой, соединяющей точку исходного состава с точкой состава химического соединения. После этого путь кристаллизации пересекает поле первичной кристаллизации химического соединения по продолжению указанной выше кривой.
При плавлении с разложением химическое соединение будет выделять расплав, состав которого определяется проекцией точки перитектики двухкомпонентной системы на сторону проекционной диаграммы, то есть состава U и кристаллы (в нашем случае компонента А).
Рисунок 5 - Диаграмма
трехкомпонентной системы с двойным
химическим соединением, плавящимся
инконгруэнтно
Точка G на диаграмме носит название точки двойного подъема. Это нонвариантная точка диаграммы, признаком которой является то, что по двум подходящим к ней пограничным кривым температура понижается к точке G и по одной пограничной кривой температура понижается от точки G. Дальнейший путь кристаллизации из точки двойного подъема возможет при уменьшении числа фаз.
