1.2.2. Моделируемый технологический маршрут
Лабораторная работа состоит из трех частей: A, B и C. В части A необходимо подготовить 2-D командный файл в оболочке Ligament Flow, а затем выполнить его в SWB и графически проанализировать в Inspeсt и Tecplot_SV. В части B необходимо провести 1-D расчет прямой задачи для готового проекта Lab_1b, состоящего из двух сценариев, а в части С – решить обратную задачу о подборе параметров технологических процессов, обеспечивающих заданную глубину p-n перехода по готовому проекту Lab_1с.
Технологический маршрут и варианты заданий приведены в таблицах 1 и 2 соответственно.
Таблица 1. Моделируемый технологический маршрут
|
№ |
Описание операции |
Параметры операции в частях A, B, C |
|||
|
A |
B |
C |
|||
|
D_E |
T_t |
||||
|
1 |
Исходная подложка |
КДБ-20 (100) |
КДБ-20 (100) |
КДБ-20 (100) |
Подложка * |
|
2 |
Осаждение маски из SiO2 |
Dox=0,3 мкм |
– |
– |
– |
|
3 |
Ионная имплантация |
Фосфор D=1014 см-3 Е=30 КэВ |
Фосфор D=* E=* |
Фосфор D=1014 см-3 Е=30 КэВ |
Примесь –* D=??? Е=??? |
|
4 |
Отжиг |
T=1100C t=0,5 мин |
T=500C t=1 мин |
T=* t=* |
T=??? t=??? |
Примечание:
– операция отсутствует; * – определяется вариантом задания; ??? – требуется вычислить.
Таблица 2 Варианты заданий по бригадам
|
Часть |
Параметры |
Номера бригад |
||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
||
|
B D_E |
D1 |
1012 см-3 |
21012 см-3 |
31012 см-3 |
41012 см-3 |
51012 см-3 |
|
D2 |
1013 см-3 |
21013 см-3 |
31013 см-3 |
41013 см-3 |
51013 см-3 |
|
|
D3 |
1014 см-3 |
21014 см-3 |
31014 см-3 |
41014 см-3 |
51014 см-3 |
|
|
E1 |
15 КэВ |
11 КэВ |
13 КэВ |
10 КэВ |
18 КэВ |
|
|
E2 |
25 КэВ |
25 КэВ |
33 КэВ |
30 КэВ |
30 КэВ |
|
|
E3 |
45 КэВ |
50 КэВ |
48 КэВ |
53 КэВ |
45 КэВ |
|
|
B T_t |
T1 |
1010C |
1020C |
1030C |
1040C |
1050C |
|
T2 |
1110C |
1120C |
1130C |
1140C |
1150C |
|
|
T3 |
1210C |
1220C |
1230C |
1240C |
1250C |
|
|
t1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
|
|
T2 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
|
T3 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
|
|
C |
Подложка |
КДБ-20 (100) |
КДБ-20 (111) |
КДБ-10 (100) |
КЭФ-4,5 (111) |
КЭФ-7,5 (100) |
|
Примесь |
Phosphorus |
Phosphorus |
Phosphorus |
Boron |
Boron |
|
|
Глубина p-n перехода Xj(мкм) |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
|
Рис. 1.1. Двумерный профиль распределения примесей с сеткой в p-n переходе