- •Санкт-Петербургский Государственный Технический Университет
- •Санкт-Петербург
- •1. Электрические сигналы и их модели
- •1.1. Вводная часть
- •1.2. Аналоговые и цифровые сигналы
- •1.3. Основные характеристики Электрических сигналов
- •1.3.1. Частотный спектр сигналов.
- •1.3.2. Временные характеристики сигналов
- •Глава вторая
- •2. Основные положения теории электрических и магнитных цепей
- •2.1. Электрические цепи. Схемные и математические модели
- •2.1.1. Законы теории электрических цепей
- •Глава третья
- •3. ТЕоретические основы электронных цепей.
- •3.1. Основные характеристики и параметры электронных компонент и систем
- •3.2. Амплитудно-частотная характеристика систем.
- •3.3.Теоретическое обоснование процедуры проектирования электронных устройств.
- •3.4. Связь качества электронных устройств с относительной чувствительностью характеристик к изменению параметров элементов
- •В частотную область уравнение (12) переводят с помощью преобразования Фурье формально заменяя оператор s на jω
- •3.4.1. Качество систем и принципы их построения
- •3.4.3. Связь функции относительной чувствительности с запасом
- •3.5. Структурный метод повышения качества систем
- •3.6.Основные положения теории графов
- •3.6.1. Типы графов и их элементы
- •3.6.2. Изоморфизм графов
- •3.6.3.Синтез графов.
- •3.6.3. Методика синтеза графа по смежностно-степенным таблицам .
- •Глава четвёртая
- •4. Источники питания электронных схем
- •4.1. Функциональный аспект.
- •4.2. Магнитные цепи
- •4.3. Структурный аспект. Принципы построения выпрямителей.
- •4.5.Полупроводниковый p-n переход и полупроводниковые выпрямительные диоды
- •4.6. Силовые выпрямители
- •4.7.Стабилитроны и их применение в параметрических стабилизаторах
- •4.8. Схемы диодных ограничителей
- •4.9.Специальные типы диодов
- •4.9.1.Модели светодиодов и фотодиодов и их применение
- •4.9.2.Диоды Шоттки
- •Глава пять
- •5. Однокаскадные усилители
- •4.1. Принципы построения однокаскадных усилителей
- •5.2. Транзисторы и их модели
- •5.2.1.Биполярные транзисторы
- •4.4. Оконечные каскады усиления
- •5. 3. Операционные усилители (оу) постоянного тока
- •5.3.1. Способы построения дифференциального усилителя и его модели
- •5.3.2. Дифференциальный каскад с повышенным коэффициентом усиления
- •Глава шесть
- •6. Элементы цифрОвых устройств
- •6.1. Реализация основных логических функций и эталонов.
- •6.1.1. Диодные логические компоненты «и».
- •6.1.2. Диодно-транзисторный компонент «и-не»
- •6.1.3. Транзисторно-транзисторные компоненты (ттл) «и-не»
4.8. Схемы диодных ограничителей
Ограничители — это электронные устройства, обладающие хотя бы одним из следующих свойств: 1) в те моменты времени, когда входное напряжение становится ниже некоторого уровня , ток через нагрузку прекращается; 2) в те моменты времени, когда входное напряжение становится выше некоторого уровня U+огр, через нагрузку идет только тот ток, который соответствует заданному уровню. Ограничители изменяют форму сигнала, срезая либо верхнюю, либо нижнюю часть. При промежуточных значениях входного напряжения (меньших U+огр или больших ток через нагрузку должен следовать за изменениями входного сигнала с минимальным искажением формы. Возможно и одновременное ограничение напряжения сверху и снизу.
Реализуют ограничители в зависимости от необходимой точности на диодах или диодах с операционными усилителями (ОУ). Применение диодов объясняется их нелинейной, с пороговыми свойствами вольтамперной характеристикой.
Последовательное включение диода с нагрузкой (рис. 3.7, а), осуществляет ограничение первого рода. При напряжении uД>Uотп и Uсм через диод идет ток, который создает напряжение на нагрузке
uН=(uc-Uотп)Rн/(Rн+rдин), (3.4)
близкое к uc, если rдин<<Rн и uc>>Uотп (рис. 3.7, б, в). Когда амплитуда входного напряжения меньше напряжения отпирания, т. е. uд<Uопт, имеем
i2=(uд-Uотп+ Uотп- uд)/(2rдин)=0, (3.5)
т. е. ток через диод не идет. Следовательно, напряжение Uотп является уровнем ограничения. Возможность его регулировки связана со схемным способом изменять Uотп. Включив последовательно с диодом дополнительный источник Uсм, можно уменьшать или увеличивать напряжение отпирания диода, соответственно смещая уровень ограничения в область отрицательных (рис. 3.7, г) или положительных (рис. 3.7, д) полуволн напряжения сигнала.
Рис.3.7
Включение диода параллельно нагрузке (рис. 3.8, а) реализует ограничение второго рода (рис. 3.8, б, в). Диод открывается только при uн>Uотп (Uсм=0) и ограничивает выходное
напряжение, но из-за конечного дифференциального сопротивления открытого диода напряжение
uн=ucgбал/(gбал+gдин+gн) (3.6)
будет несколько возрастать.
Рис. 3.8
Очевидно, что ограничение будет тем лучше, чем больше проводимость диода gдин и меньше проводимость нагрузки gн и балластного резистора gбал. При отрицательной полуволне напряжения сигнала диод закрыт и uн повторяет его форму.
Подключение к диоду положительного напряжения обратного смещения Uсм увеличивает напряжение ограничения =Eсм+Uотп (рис. 3.8, г), а отрицательного Uсм - уменьшает (рис. 3.8, д).
Схемы ограничителей широко применяются для защиты входов устройств от перенапряжений или для формирования прямоугольных колебаний из синусоидальных. Последовательный ограничитель применяют для передачи в нагрузку сигнала одной полярности, в частности в схемах укорочения импульсов.
4.9.Специальные типы диодов
4.9.1.Модели светодиодов и фотодиодов и их применение
Светодиоды - преобразуют электрическую энергию в световое излучение за счет рекомбинации электронов и дырок. Излучение света не когерентное. В обычных диодах рекомбинация (объединение) электронов и дырок происходит с выделением тепла, т. е. без светового излучения. В светодиодах преобладает рекомбинация с излучением света. Как правило, такое излучение бывает резонансным и лежит в узкой полосе частот. Для изменения длины волны излучения можно менять материал, из которого изготовлен светодиод, или изменять ток. На рис. 3.12, а показано условно-графическое изображение светодиода.
Рис. 3.12
Яркость свечения светодиода (В) определяется проходящим через него током Iд в соответствии с характеристикой, показанной на рис. 3.12, б.
Дифференциальное сопротивление светодиодов на линейном участке весьма мало (меньше 1 Ом), поэтому их можно использовать и как стабилитроны для малых напряжений стабилизации. Наибольший ток, проходящий через светодиод, не превосходит нескольких десятков миллиампер.
Промышленность выпускает светодиоды, как в дискретном, так и в интегральном исполнении. Дискретные элементы применяются в качестве сигнальных индикаторов, а интегральные, обычно многоэлементные, приборы — для построения светоизлучающих цифро-знаковых индикаторов и панелей, например в электронных часах, калькуляторах.
Благодаря малому прямому сопротивлению и тому, что излучение фотонов происходит в результате рекомбинации носителей зарядов, скорость изменения светового потока достаточно высока. Постоянная времени светодиода составляет 10-7-10-8 с. Это позволяет применять светодиоды в схемах среднего быстродействия для управления с помощью светового потока.
Схема включения светодиода представлена на рис. 3.13, где напряжение источника питания равно Uп =5 В:
Рис. 3.13
Балластное сопротивление выбирается из условия обеспечения необходимой яркости свечения светодиода, т.е. из выбранного тока через диод:
. (3.11)
Также выпускаются и двуцветные светодиоды (рис 3.14). Они применяются, например, в различных пультах управления (один светодиод красный, а другой - зеленый).
Рис. 3.14
Фотодиоды – это полупроводниковые диоды, в которых используется возникновение тока в полупроводнике при воздействии на него светового излучения. Фотодиод имеет структуру обычного p-n-перехода с окном для прохождения светового потока. Условное обозначение фотодиода в электрических схемах приведено на рис. 3.15.
Рис. 3.15
Фотодиоды могут работать в двух режимах: фотодиодном, когда к его
электродам через резистор нагрузки подключается источник постоянного напряжения, смещающий р-n-переход в обратном направлении (диод закрыт), и вентильном, когда источник напряжения отсутствует. Фототок меньше обратного тока диода, поэтому для маломощных схем он составляет доли микроампер.
В фотодиодном режиме используется неравновесная концентрация носителей заряда, возникающих в р-n-переходе вследствие светового облучения. Под действием электрического поля объемного заряда р-n-перехода часть носителей заряда (электроны) устремляется в область n, а часть (дырки) — в область р. Возникает фототок, имеющий противоположное направление по сравнению с прямым током диода. Он пропорционален интенсивности падающего на р-n-переход излучения и практически не зависит от напряжения смещения.
В вентильном режиме от протекающего через диод фототока возникает падение напряжения на его сопротивлении несколько меньшем Uотп. Таким образом, осуществляется прямое преобразование световой энергии в электрическую энергию.
В фотодиодах время установления фототока после начала облучения светом составляет 10-7-10-8 с. Спектральные характеристики практически охватывают всю видимую и инфракрасную области спектра. При этом чувствительность, т.е. отношение фототока к освещенности, обычно близка к 0,1 мкА/лк.