- •2.2 Архитектура и режимы работы мп к580вм80
- •3 Разработка подсистемы памяти
- •3.1 Оперативно запоминающее устройство к134ру6
- •4.1 Архитектура программируемого таймера кр580ви53
- •4.2 Архитектура бис параллельного интерфейса кр580вв55
- •4.5 Архитектура контроллера прямого доступа к памяти кр580вт57
- •5 Разработка алгоритма работы микропроцессорной системы
3 Разработка подсистемы памяти
3.1 Оперативно запоминающее устройство к134ру6
Микросхема ОЗУ серий К134 относятся к типу асинхронного статического ОЗУ, поэтому достаточно просты в применении. Обратим внимание лишь на некоторые особенности, знание которых необходимо для практики. На рисунке 12 представлена функциональные элементы микросхемы К134.
Рисунок 12 - Функциональные элементы микросхемы К134
Изготовлены на технологии ИИЛ в сочетании ТТЛ. Емкость данного типа микросхем составляет бит. Ее особенность заключается в том, что выход построен по схеме с открытым коллектором ОК. Наличие такого выхода не позволяет объединять информационные входы и выходы. При соединении нескольких микросхем по выходам можно использовать схему «монтажного ИЛИ» с подключением к точке соединения источника питания через внешний токоограничивающий резистор. Для расчета его сопротивления необходимо учитывать, прежде всего, значение выходного тока в состоянии логического 0, равное 16 мА. При хранении потребляемая мощность снижается вдвое.
Цоколевка ОЗУ К134РУ6 представлена на рисунке 13.
Рисунок 13 – Цоколевка ОЗУ К134РУ6
Микросхема может работать в режиме записи, считывания и хранения информации. В режиме записи сигнал CS можно подавать постоянным уровнем. В режиме считывания сигналы CS и можно подавать постоянным уровнем.
В режиме хранения невыбранная схема потребляет мощность в 2 раза меньшую, чем в режиме обращения. Выводы Д1 и Д0 в процессе работы запрещается объединять так как в режиме записи на выходе микросхемы логическая 1.
Таблица 8 - Обозначение выводов ОЗУ К134РУ6
Номера выводов |
Обозначение |
Назначение выводов |
Тип сигн. |
Сос-тояние |
|
Англ. |
Рус. |
||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7; 15 |
D0, D1 |
Д0, Д1 |
Выходы данных |
выход |
1,0,z |
2; 3;4; 5; 6; 9; 10; 11; 12; 13 |
А(0-9) |
А(0-9) |
Входы данных с локальной шины МП |
вход |
1,0,z |
1 |
CS (3-1) |
ЦС(3-1) |
Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ОЗУ к системной шине |
вход |
1 |
14 |
|
З/С |
Запись/считывание |
Вход/ выход |
0 |
3.2 Постоянное запоминающее устройство К541РТ2
Микросхемы программируемых ПЗУ по принципу построения и функционирования аналогичны масочным ПЗУ, но имеют существенное отличие в том, что допускают программирование на месте своего применения пользователем. Операция программирования заключается в разрушении (пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла импульсами тока амплитудой 30 ... 50 мА. Технические средства для выполнения этой операции достаточно просты и могут быть построены самим пользователем. Это обстоятельство в сочетании с низкой стоимостью и доступностью микросхем ППЗУ обусловило их широкое распространение в радиолюбительской практике. На рисунке 14 представлена цоколевка БИС ПЗУ К541РТ2.
Рисунок 14 — Цоколевка ПЗУ К541РТ2
В данном курсовом проекте рассматривается применение микросхемы ПЗУ К541РТ2.
Таблица 9 — Описание выводов БИС ПЗУ К541РТ2
Номера выводов |
Обозначение |
Назначение выводов |
Тип сигн. |
Сос-тояние |
|
Англ. |
Рус. |
||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
17; 16; 15; 14; 13; 11; 10; 9 |
DO(7-0) |
ДО(7-0) |
Выходы данных |
выход |
0, 1, z |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
8; 7; 6; 5; 4; 3; 2; 1; 23; 22; 19 |
А(10-0) |
А(10-0) |
Входы данных с локальной шины МП |
вход |
0, 1, z |
18 |
CS (3-1) |
ЦС(3-1) |
Выбор микросхем, L-уровень сигнала подключения ОЗУ к системной шине |
вход |
0 |
20 |
UCC |
UCC |
Напряжение питания (+5 В) |
вход |
0 |
10 |
OV |
ОБЩ |
Напряжение питания (0 В) |
вход |
1 |
Микросхемы ПЗУ серии К541 выполнены по технологии ИИЛ. Матрица до программирования, т. е. в исходном состоянии, содержит однородный массив проводящих перемычек, соединяющих строки и столбцы во всех точках их пересечений. Перемычки устанавливают из поликристаллического кремния. Перемычка в матрице выполняет роль ЭП. Наличие перемычки кодируют логической 1, если усилитель считывания является повторителем, и логическим 0, если усилитель считывания — инвертор. Следовательно, микросхема ПЗУ в исходном состоянии перед программированием в зависимости от характеристики выходного усилителя может иметь заполнение матрицы либо логическим 0, либо логической 1.
Программирование микросхемы, матрица которой в исходном состоянии заполнена 0, заключается в пережигании перемычек в тех ЭП, где должны храниться 1. Если матрица в исходном состоянии заполнена 1, то пережигают перемычки в ЭП, где должны храниться 0.
Микросхемы ПЗУ потребляют большую мощность от источника питания. Поэтому представляется целесообразным использовать их свойство работать в режиме импульсного питания, когда питание на микросхему подают только при обращении к ней для считывания информации. Особенности применения микросхем ПЗУ в этом режиме состоят; в следующем: во-первых, на управляющие входы должны быть поданы уровни, разрешающие доступ к микросхеме: если необходим 0, то данный вывод соединяют с общим выводом, если 1, то с шиной через резистор с сопротивлением 1 кОм; в этом случае функции сигнала выбора микросхемы выполняет импульс напряжения питания Ucc; во-вторых, для обеспечения1 режима импульсного питания применяют транзисторные ключи, на переходах которых падает часть напряжений, поэтому напряжение, подаваемое к внешним ключам, должно быть выбрано с учетом требования иметь на выводе питания микросхемы номинальное напряжение 5 В; в-третьих, из-за инерционности процессов коммутации цепи питания время выборки адреса микросхемы увеличивается в 2—3 раза.
При использовании импульсного режима питания среднее значение потребляемого тока и, следовательно, уровень потребляемой мощности существенно уменьшаются.
3.3 Подключение ОЗУ и ПЗУ к системной шине
Подключение БИС ОЗУ КР134РУ6 и БИС ПЗУ КР541РТ2 к магистралям зависит от их разрядности, а для оперативной памяти - от ее типа. В микропроцессорной системе удобнее всего использовать восьмиразрядные запоминающие устройства. Подключение статических ОЗУ осуществляется аналогично ПЗУ. Объем памяти определяется количеством используемых БИС. При большом их количестве в схемы ЗУ вводиться буферирование линий данных и адреса.
Схема подключение ОЗУ и ПЗУ к магистралям показа на рисунке 15.
Рисунок 15 - Подключение ОЗУ и ПЗУ к магистралям
4 РАЗРАБОТКА ПОДСИСТЕМЫ ПРЕРЫВАНИЙ, ВВОДА/ВЫВОДА. ВЫБОР ТАЙМЕРА.