2.3 Оценка элементной базы

Используемая элементная база широко применяется в отечественной промышленности, обладает свойствами безотказности, долговечности, сохраняемости и хорошими электрическими показателями, а также имеет множество отечественных и зарубежных аналогов, что повышает ремонтопригодность изделия.

а) Микросхемы. В разрабатываемом устройстве применяются микросхемы серий К561. Они предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции, применяются в цифровых вычислительных машинах, в узлах и блоках измерительных приборов и т.д. Напряжение питания серии составляет +5В±10%. Диапазон рабочих температур -30..+70 ⁰С. Используемые в устройстве микросхемы К561ЛП2, К561ЛА7, К561ТМ2, К176ИР10, выполнены в корпусе 201.14-1. Устанавливаются на печатную плату.

При изготовлении устройства возможна замена используемых микросхем DD1-DD3 аналогичными из других серий КМОП. Микросхему К176ИР10 (DD4) можно заменить на любой другой регистр сдвига, например, К561ИР2, однако следует учитывать, что при меньшем числе разрядов сократится время цикла работы генератора ПСП.

б) Резисторы. Устанавливаются на печатную плату.

Используемые резисторы МЛТ – температуростойкие, предназначены для работы в цепях с большими токами. В схеме используются резисторы с номиналами мощностей: 0,125 Вт.

в) Конденсаторы. Устанавливаются на печатную плату.

тип конденсатора	Номинальное напряжение, В	диапазон емкостей
К73-11	63	0,33мкФ
КВИ-2	8000	100пФ
К53-10	16	47мкФ

е) Транзистор КТ315А является кремниевым транзистором малой мощности, выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Выполнены по технологии p-n-p. Применяются в усилителях гетеродинов и преобразователей в телевизионных и радиовещательных приемниках. Вариант установки II в. Предельные эксплуатационные данные:

- постоянная рассеиваемая мощность коллектора

при температуре 30⁰ С, мВт 300;

при температуре 85⁰ С, мВт 162,5.

Транзистор КТ829А кремневый мезопланарной структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Транзистор КТ973А кремневый эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах системы автоматики.

д) КД521А – кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды. Температурный диапазон от –55 до +85 С. Масса не более 0,15 г.

Предельные эксплуатационные данные:

• постоянное обратное напряжение, В 30;

• импульсное обратное напряжение, В 40;

• средний прямой ток, мА 50;

• импульсный прямой ток, мА 850;

• температура перехода, ºС 125.