2.2. Марки полупроводниковых материалов

В соответствии с установившимися нормами марки полупроводникового кремния включают в себя обозначения материала-основы (например, К – кремний); типа электропроводности (Э – электронный, Д – дырочный); легирующей примеси (Ф – фосфор, Б – бор, М – мышьяк, С – сурьма и т. д.); метод получения; значение удельного сопротивления  [Ом^.см]; иногда геометрические размеры и другие параметры. Например, марка ЭКДБ-1,0 указывает, что это кремний дырочного типа электропроводности, легированный бором, с удельным сопротивлением 1,0 Ом^.см. Если перед условным обозначением материала-основы буквенный индекс отсутствует, это указывает на то, что данный кристалл получен методом Чохральского. Если в качестве буквенного индекса стоит Э, это означает, что кристалл получен методом Чохральского и будет использован в качестве подложек для эпитаксиального наращивания при производстве элементов электронной техники.

Буква Б перед условным обозначением марки говорит о том, что монокристаллы кремния получены методом бестигельной зонной плавки. Маркировка таких кристаллов имеет вид БКДБ-40-80, это означает, что монокристалл кремния выращен методом бестигельной зонной плавки, имеет удельное сопротивление  = 40 Омсм и диаметр 80 мм.

Если перед условным обозначением марки стоит буква Г, это указывает на то, что монокристаллы кремния получены методом гарнисажной плавки. Остальные обозначения для этой марки кристаллов аналогичны методу бестигельной зонной плавки, например, ГКЭФ-10-30 или ГКДБ-1,0-40.

Для кремния пересчет удельного сопротивления в расчетное значение концентрации легирующей примеси в кристалле производится с помощью специальных таблиц (табл. 5 приложения).

Германий, предназначенный для изготовления полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур, легируют сурьмой, фосфором, мышьяком с целью получения кристаллов п-типа электропроводности, галлием или индием с целью получения материала дырочного типа.

Условные обозначения марок германиевых кристаллов таковы: ГЭС (Г – германий, Э – электронный, С – сурьма) или ГДГ (Г – германий, Д – дырочный, Г – галлий). Далее проставляются номинал удельного сопротивления (от 5^.10^–4 до 45 Омсм). Например, маркировка ГЭС-5,6 означает: германий электронный, легирован сурьмой, удельное сопротивление 5,6 Омсм. Монокристаллы германия получают только методом Чохральского.

Для германия электронного и дырочного типов электропроводности в диапазоне номиналов  задается значение подвижности носителей μ_р и μ_n (табл. 6 приложения)_. Концентрация носителей заряда, а следовательно, концентрация примеси в твердой фазе (принимается однократная ионизация атомов легирующей примеси, предполагается, что другие примеси в кристалле отсутствуют) рассчитываются по формулам

; . (2.10)

В этом случае С_т = п для материала с электронной проводимостью и С_т = р для материала с дырочной проводимостью.

В обозначении марки монокристаллов арсенида галлия указывают: название соединения (АГ – арсенид галлия); метод его получения (Н – направленная кристаллизация и Ч – выращивание по методу Чохральского из-под слоя флюса); легирующую примесь (Т – теллур, О – олово, Ц – цинк). После буквенных индексов через тире ставится номер марки и затем через тире цифры, указывающие концентрацию основных носителей заряда. Например, марка АГЧТ-1-5-17 означает, что это монокристалл арсенида галлия, выращенный по методу Чохральского, легированный теллуром, первой марки, имеющий номинал концентрации основных носителей заряда 5^.10¹⁷ см^–3.