Внутренний фотоэффект. Исследование характеристик фоторезистора / Лабораторная работа 19
.docxОбработка результатов эксперимента «Внутренний фотоэффект. Исследование характеристик фоторезистора»
-
Вольтамперные характеристики фотоэлемента
Рассчитаем фототок Iф=I-Iтел
λ = 430 нм
U = 0,5 Iф = 0,4-0,1=0,3
U = 1 Iф = 0,7
U = 1,5 Iф = 0,9
U = 2 Iф = 1,4
U = 2,5 Iф = 1,6
U = 3 Iф = 2,0
U = 3,5 Iф = 2,2
U = 4 Iф = 2,6
U = 4,5 Iф = 2,8
U = 5 Iф = 2,9
U = 5,5 Iф = 3,4
U = 6 Iф = 3,6
λ = 470 мм
U = 0,5 Iф = 0,5
U = 1 Iф = 1,1
U = 1,5 Iф = 1,6
U = 2 Iф = 2,1
U = 2,5 Iф = 2,6
U = 3 Iф = 3,2
U = 3,5 Iф = 3,7
U = 4 Iф = 4,2
U = 4,5 Iф = 4,8
U = 5 Iф = 5,4
U = 5,5 Iф = 6,0
U = 6 Iф = 6,5
λ = 520 нм
U = 0,5 Iф = 2,9
U = 1 Iф = 6,9
U = 1,5 Iф = 10,2
U = 2 Iф = 14,0
U = 2,5 Iф = 17,2
U = 3 Iф = 21,0
U = 3,5 Iф = 24,0
U = 4 Iф = 27,6
U = 4,5 Iф = 31,0
U = 5 Iф = 34,5
U = 5,5 Iф = 37,9
U = 6 Iф = 41,4
-
Световая характеристика фотона
λ = 430 нм
I/I0 = 0 I max = 0
I/I0 = 0,1 I max = 0,05
I/I0 = 0,2 I max = 0,1
I/I0 = 0,3 I max = 0,3
I/I0 = 0,4 I max = 0,5
I/I0 = 0,5 I max = 0,9
I/I0 = 0,6 I max = 1,2
I/I0 = 0,7 I max = 1,7
I/I0 = 0,8 I max = 2,1
I/I0 = 0,9 I max = 2,6
I/I0 = 1,0 I max = 3,1
I/I0 = 1,1 I max = 3,6
I/I0 = 1,2 I max = 4,2
λ = 470 нм
I/I0 = 0 I max = 0
I/I0 = 0,1 I max = 0,1
I/I0 = 0,2 I max = 0,4
I/I0 = 0,3 I max = 0,8
I/I0 = 0,4 I max = 1,5
I/I0 = 0,5 I max = 1,8
I/I0 = 0,6 I max = 2,4
I/I0 = 0,7 I max = 3,1
I/I0 = 0,8 I max = 3,8
I/I0 = 0,9 I max = 4,5
I/I0 = 1,0 I max = 5,3
I/I0 = 1,1 I max = 6,0
I/I0 = 1,2 I max = 6,8
Световая характеристика нелинейна , т.к при увеличении давления светового потока растет не только концентрация носителей заряда , но и вероятность рекомбинации.
-
Спектральная характеристика фотоэлемента
λ (нм) ; I ф (А)
λ = 430 I ф = 4,0
λ = 470 I ф = 6,7
λ = 520 I ф = 44,9
λ = 565 I ф = 52,4
λ = 590 I ф = 68,2
λ = 660 I ф = 67,7
λ = 700 I ф = 38,1
λ = 860 I ф = 0,3
При повышении температуры ( больше асб. 0 ) характеристика принимает вид кривой с выраженными max
λкр – из графика примерно 620 нм.
Дж
– предположим , что полупроводник сделан из фосфида галлия
( Возможно , сульфид кадмия )