- •Реферат
- •Найпростіший одноелектронний прилад 9
- •Одноелектронний транзистор 23
- •Перелік умовних позначень, символів, одиниць, скорочень, термінів
- •1Теоретична частина
- •Найпростіший одноелектронний прилад
- •1.1.1 Енергетика зарядження окремого кластеру
- •1.1.2 Демонстрація тунельного переходу
- •1.1.3 Одноелектронний “ящик”
- •1.1.4 Аналіз теорії найпростішого одноелектронного приладу
- •1.1.5 Можливе застосування приладу
- •1.2 Одноелектронний транзистор
- •1.2.1 Експериментальні приклади
- •1.2.2 Детальний розгляд оет
- •1.2.3 Результати вимірів
- •2 Аналіз теоретичної частини
- •2.1 Постановка задачі
- •2.2 Аналіз теорії
- •Так як , то система рівнянь (2.1) буде мати вигляд:
- •Так як струм - це перенесення заряду за одиницю часу, то (2.3) можливо переписати як:
- •3 Практична частина
- •3. Вхідні данні до розрахунку одноелектронного транзистора:
- •3.2 Енергетика зарядження окремого кластера
- •3.3 Тунельна структура до прикладення різниці потенціалів. Розрахунок надлишкового заряду
- •3.4 Умови кулонівської блокади в одноелектронному транзисторі
- •3.5 Розрахунок вольт - амперної характеристики
- •Висновки
- •Перелік посилань
1.2.3 Результати вимірів
При фіксованій напрузі затвора Vg на рис.1.16(а) приведені ВАХ ОЕТ F при Т = 2.3 К, а на рис.1.16(b) - диференціальний тунельний опір Rt = d/dl, отримане з рис.1.16(а). Напруга на структурі встановлювалося між - 20мВ і + 20мВ. У цьому діапазоні і помітна кулонівська блокада. Виходячи з цього, було прийнято, що виготовлені подвійні тунельні з'єднання працюють стійко.
На рис.1.17(а) приведена експериментальна залежність напруги V між істоком і стоком як функція напруги затвора Vg для структури D при Т = 2.2 ДО. Через структуру підтримувався постійний струм (0.2 на). Коливання на малюнку часто називають кулонівскими осцилляціями. Піки в коливаннях відповідають відкритим станам ("включено") ОЕТ, а мінімуми - закритим станам ("виключене"). По періоду цих осцилляції ∆Vg можна визначити ємність затвора eCg/Vg.

Рисунок 1.15 - Кулонівські осциляції, (а) Кулонівський алмаз: електронне тунелювання блокується в режимі чекання, (b) Число надлишкових електронів на острівковому електроді, (с) Провідність ОЕТ.

а) b)
Рисунок 1.16 – (а) ВАХ ОЕТ . (b) Диференційний опір ОЕТ . Основний ефект одноелектроніки відбувається на п'ятці ВАХ.

а) б)
Рисунок 1.17 – (а) Кулонівські осциляції падіння напруги на ОЕТ, обумовлені напругою затвора . (б) Обчислена температурна залежність приведеної провідності ОЕТ , Gq =i/Rq.
У табл.1.1 приведені експериментальні дані для різних ОЕТ, узяті з [27].
Таблиця 1.1 - Перелік зразків ОЕТ та основних експериментальних даних
|
Серія ОЕТ |
Структура ОЕТ |
Ес (меВ) |
Rt (МОм) |
∆Vg (мВ) |
Сg (аФ) |
|
A |
Cu/Al/Cu |
0,478 |
4,5 |
14 |
11,0 |
|
B |
Al/Cu/Al |
0,49 |
5,0 |
20 |
8,0 |
|
C |
Al/Al/Al |
0,471 |
3,1 |
19 |
8,4 |
|
D |
Al/Cu/Al |
0,368 |
5,0 |
10 |
16,0 |
|
E |
Cu/Al/Cu |
0,3 |
12,0 |
11 |
14,0 |
|
F |
Al/Al/Al |
0,409 |
3,1 |
10 |
16,0 |
|
G |
Al/Al/Al |
0,546 |
2,0 |
7 |
22,8 |
де Ес - одноелектронна зарядова енергія, Rt - опір обох тунельних контактів ОЭТ, ∆Vg - період напруги затвора, що відповідають кулонівским осциляціям, Сg - ємність між островковім електродом і затвором.
2 Аналіз теоретичної частини
2.1 Постановка задачі
-
Проаналізувати формули теоретичної частини:
а) З виразів (1.16) – (1.19) отримати (1.21). Впевнитись в його справедливості.
б) Вивести умову кулонівської блокади (1.23) та (1.25). На підставі цих нерівностей пояснити рис. 1.14.
