- •Полупроводники и их электропроводность
- •Электронно-дырочный p-n переход
- •Влияние внешнего напряжения на p- n- переход
- •Пробой p- n- перехода
- •Стабилитрон.
- •Барьерная емкость p- n- перехода
- •Параметрический стабилизатор напряжение
- •Биполярный транзистор
- •Статические вах бпт
- •Входные вах бпт с оэ
- •Выходные вах
- •Малосигнальные, дифференциальные h-параметры бпт
- •Определение h-параметров по статическим вах
- •Динамический режим работы бпт Динамическая характеристика
- •Бпт как усилительный элемент.
- •Основные технические показатели электронных усилителей и их характеристики
- •Фазовые искажения.
Бпт как усилительный элемент.

Eб создаёт Iб0, т.е. определяет ИРТ на входных характеристиках.
ЭДС eu – источник сигнала I~.
Для любого источника постоянного тока внутреннее сопротивление очень мало и можно считать стремится к нулю.
Iб(t)=Iбо+Iб~.
Чтобы обеспечить независимость цепи базы и источника сигнала по постоянному току, ставится разделительный конденсатор CР1. Источник eu должен управлять IБ, т.е. если R=0, то IБ~=0 – управления не будет. R≠0, чтобы часть IU направить в базу. С точки зрения хорошей передачи энергии от источника W к базе, CR1 должно быть выбрано так, чтобы XCR1(ωU)→0 – на нижней частоте в спектре усиления сигнала.
XCR1(ω)<<Rвх~
Аналогичные требования и к CR2 по постоянному току для разделения выходной цепи усилительного элемента и RН.

Видно, что при опускании ИРТ преобразования становятся нелинейными.
Iко=βIбо, Iк~=h21Iб~
ΔIк~ ΔIб – преобразование К-Б линейно.
Iк~ при протекании через Rк~ сознаёт на нем падении напряжений, которое по сути дела является Uн.
Uкэ=Eк-Iк0Rк
Подадим ΔUкэ.

Вывод: ΔU на коллекторе противофазно ΔU на базе.
–
переменная
составляющая.
– практически
это коэффициент усиления.

При вычислении k необходимо брать значения напряжений при среднем значении частоты – ω0.
ω0 или f0 – это такая частота, при которой частотно-зависимый сдвиг фаз равен нулю, т.е. сопротивление цепи можно рассматривать только как активное).
→
CR2
и C0
можно принебречь.

Обычно
можно пренебречь.
![]()
Динамические выходные характеристики БПТ по переменному току
Динамические характеристики переменного тока строятся по выходным характеристикам, поскольку I~ и U~ - это изменения относительно I0 и U0.
Построим нагрузочную прямую по постоянному току.
,
т.е. сумма сопротивлений, включенных
последовательно с электродами КЭ и
источником питания.
ИРТ
выбираем выше, чем середина линейного
участка, т.к.
.
Строим нагрузочную прямую по переменному току.
![]()
Следовательно,
нагрузочная прямая по переменному току
обязательно пройдет через исходную
рабочую точку. Для построения прямой
задают
,
откладывают относительно
.
Вычисляют
и
откладывают относительно
.
Т.к. 
Следовательно,
эта нагрузочная прямая проходит через
ИРТ и точку
.
На интервале, ограниченном снизу IБ=0, а сверху точкой пересечения с восходящим участком статической ВАХ, эта нагрузочная прямая является динамической ВАХ по переменному току.
Её линейный участок несколько меньше. При возрастании температуры увеличивается IБ0 и ИРТ по постоянному току поднимается. В новой ИРТ увеличивается и переменный ток. ΔI становится меньше. Возможны искажения.
В каждый момент времени t положение рабочей точки находится на пересечении нагрузочной прямой по переменному току со статической ВАХ соответствующего IБ.
Построим форму изменения IК и UКЭ при изменении IБ, вызванном UБЭ. Продолжим ВАХ БПТ с IБ=IБ0 и будет использовать как ось времени. Перпендикулярную ей ось можно использовать как ось IБ. В силу параллельности статической ВАХ, продолжение проторируют в значениях IБ. Изобразим изменение IБ от времени.
В момент t0=0 IБ=IБ0 – рабочая точка в ИРТ.
t0=1 IБ= IБ-IБ0 – рабочая точка в ВАХ по переменному току.
Рабочая точка движется по нагрузочной прямой переменного тока и не может подняться выше IKMAX.
Возрастание амплитуды UБЭ в дальнейшем приведет к искажениям формы. Низкий выбор ИРТ чреват искажениями при малых IK, высокий – при больших IK. Говорят: искажения снизу и сверху, понимая под этим осциллограмму UКЭ. Тип искажений зависит от типа транзистора.
Для
p-n-p транзистора: при повышении IБ0
уменьшается отрицательное значение
UКЭ,
т.е.
оказывается отрицательным => искажения
сверху. При понижении IБ0
увеличивается отрицательное значение
UКЭ,
т.е.
оказывается положительным => искажения
снизу.
