- •Полупроводники и их электропроводность
- •Электронно-дырочный p-n переход
- •Влияние внешнего напряжения на p- n- переход
- •Пробой p- n- перехода
- •Стабилитрон.
- •Барьерная емкость p- n- перехода
- •Параметрический стабилизатор напряжение
- •Биполярный транзистор
- •Статические вах бпт
- •Входные вах бпт с оэ
- •Выходные вах
- •Малосигнальные, дифференциальные h-параметры бпт
- •Определение h-параметров по статическим вах
- •Динамический режим работы бпт Динамическая характеристика
- •Бпт как усилительный элемент.
- •Основные технические показатели электронных усилителей и их характеристики
- •Фазовые искажения.
Стабилитрон.
Штатное использование - при обратном включении.










Стабилитроны выпускаются на определенное значение стабилизации
КС 561 (5.6 В)
Д 814А (8.2 В)
и т.д.
Более устойчивые - кремневые стабилизаторы.
Иногда их используют не в штатном режиме, а в области прямых напряжений.

Штатный рабочий участок - от начала электрического пробоя - при Uст.мin до Uст.мах .
Uст.мах ограничено допустимой рассеиваемой мощностью
Рдоп = Iст.махUст.мах
РА должно быть < Рдоп
Характеризуется стабилитрон динамическим сопротивлением (rd -сопротивление переменному току). Оно определяется для конкретной рабочей точки
rd = dUcт/dIcт в ИРТ А
На рабочем участке СД rd =const
rd -параметр стабилитрона
Ток стабилитрона в различных ИРТ разный, поэтому сопротивление постоянному току R= параметром не является.
R=А=Ucт / Icт
Если IA1=IA/2, то R=А1 > RА в 2 раза
Стабилитрон тем лучше, чем меньше rd.
Для маломощных стабиливольтов rd составляет единицы, десятки Ом, а R= >> rd .
Барьерная емкость p- n- перехода
p- n- переход можно рассматривать как конденсатор, обкладками которого является р и n области монокристалла, а диэлектриком - обедненный СНЗ участок между ними (собственно p- n- переход).
В кристалле с обеих сторон границы есть 2 слоя разнополярных неподвижных ионов примесей.
В p- n- переходе сопротивление R большое, а при обратных напряжениях – очень большое.
Ширина перехода - аналог расстояния между обкладками конденсатора.
Изменение Uобр изменяет ширину p- n- перехода и величину пространств. заряда и барьерную разность потенциалов
↑d => уменьшается C
Эта емкость есть и при прямом включении, и ее значение даже больше. Но при прямом включении R самого перехода (эквивалент диэлектрика) мало.

Параметрический стабилизатор напряжение

Rб - баластное сопротивление.
Параметрический стабилизатор - это по сути нелинейный делитель U.
Рассмотрим работу положив, что Rн=∞, т.е. в режиме холостого хода.
Решение задачи сводится к определению распределения U1 между Rб и стабилитроном.
В режиме холостого хода они соединяются последовательно, Iб=Icт.
Задача решается графо-аналитически, для этого в системе координат ВАХ стабилизатора надо построить ВАХ Rб; учитывая, что цепь последовательная, пересечение ВАХ даст значения Uст0 , Icт0.
В собственной системе координат ВАХ Rб проходит через начало координат.
↑Uобр=>↑P=UобрIобр;(↑Uобр)=> ↑ tо =>↑ННЗ (т.к. поле ускоряющее)=>↑IБ=>↑Iобр


IR, А
UR, B
Очевидно нужно выполнить задачу преобразования координат, учитывая , что Rб линейно, его ВАХ будет прямой и для построения нужно знать 2 точки.
Координаты этих точек можно получить обрабатывая выражение из 2 з. Кирхгофа нашей цепи.
E=IσRσ+Uст; Urδ=IσδRσ
Iδ=Icт=I
Преобразовать координаты- выразить координату Urδ через значение Uст.
I=(E-Uст)/Rσ

U2-? U1=Е
I’=(E-Uст)/Rσ, при Uст=0
I’=E/Rσ
I’’=0 при Uст=Е
Пусть, Е получило приращение ∆Е, а значит: U1+=U1+∆U
Построенное ВАХ является нагрузочной прямой стабилизатора, пересечение с характеристикой стабилизатора даст значение U2.
Видно, что ∆Е - значительно, а ∆U2-мало, что позволяет сказать, что оно приблизительно постоянное.
А
налогичные
выводы можно сделать путем анализа при
Rn=∞.
Для этого предварительно следует построить результирующюю ВАХ стабилизатора и RH, включенного с ним паралельно.

