Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
эл цепи и микросхемотехника_дз.doc
Скачиваний:
25
Добавлен:
18.11.2018
Размер:
10.45 Mб
Скачать

Литература

  1. Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники. М.: Высшая школа. 2000г.

  2. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. М.: Телком. 2002г.

  3. Быстров Ю.А., Мироненко И.Г. Электронные цепи и устройства: Учеб. пособие для электротехн. и энерг. вузов. – М. : Высш. шк., 1989.

  4. Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989.

  5. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для вузов. М.: Высш. шк., 1982.

  6. Мамонкин И.Г. Усилительные устройства: Учеб. Пособие для вузов. – М.: Связь, 1977.

  7. Лабораторные работы по основам промышленной электроники: Учеб. пособие для неэлектротехн. Спец. вузов / Под ред. В.Г.Герасимова, 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1989.

  8. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник /В.А.Аронов, А.В.Баюков, А.А.Зайцев и др. од общ. ред. Н.Н.Горюнова. – М.: Энергоиздат, 1982.

  9. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы: Справочник /В.И.Галкин, А.Л.Булычев, В.А.Прохоренко, - 2-е изд. перераб. и доп. – Мн.: Беларусь, 1987.

  10. Основы промышленной электроники: Учеб. для неэлектротехн. спец. вузов /В.Г.Герасимов, О.М.Князьков, А.Е.Краснопольский, В.В.Сухоруков: Под ред. В.Г.Герасимова, 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк.., 1986.

Приложение

Справочные данные кремниевых транзисторов.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры

КТ104А

КТ104Б

КТ104В

КТ104Г

Термин

Буквен. обозн.

Коэффициент передачи тока

h21Э

h 21Б

9…36

7….40

20…80

15…80

40….160

19..160

15...60

10…60

Входное сопротивление

h 11Б,

Ом

120

120

120

120

Обратный ток коллектора

IКБО или IКО, мкА

1

1

1

1

Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер

UКЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В

-30

-15

-15

-30

Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер

UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В

10

10

10

10

Максимальный ток коллектора

IК.МАХ, мА

50

50

50

50

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора

РК.МАХ, Вт

150

150

150

150

Примечание: режимы измерения следует смотреть [л.4., стр.83].

а) входные характеристики

б), в), г) выходные характеристики

КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n. Предназначены для работы в устройствах широкого применения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры

КТ201А

КТ201Б

КТ201В

КТ201Г

КТ201Д

Термин

Буквен. Обозн.

Коэффициент передачи тока

h21Э

20….60

30…90

30….90

70….210

30…90

Обратный ток коллектора

IКБО или IКО, мкА

1

1

1

1

1

Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер

UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В

20

20

10

10

10

Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер

UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В

20

20

10

10

10

Максимальный ток коллектора

IК.МАХ, мА

20

20

20

20

20

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора

РК.МАХ, мВт

150

150

150

150

150

КТ203А, КТ203Б, КТ203В.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для использования в усилительных и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры

КТ203А

КТ203Б

КТ203В

Термин

Буквен. Обозн.

Коэффициент передачи тока

H21Э

≥9

30…150

30….200

Входное сопротивление

H11Б

≤300

≤300

≤300

Обратный ток коллектора

IКБО или IКО, мкА

1

1

1

Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер

UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В

-60

-30

-15

Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер

UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В

30

15

10

Максимальный ток коллектора

IК.МАХ, мА

50

50

50

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора

РК.МАХ, мВт

150

150

150

UКЭ=0

а) входные характеристики

б), в), г) выходные характеристики

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ20И, КТ20К, КТ208Л, КТ208М.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p. Предназначены для работы в усилительных и генераторных устройствах РЭА широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры

КТ208А, Г,Ж,Л

КТ208Б,Д,И,М

КТ203В,Е,К

Термин

Буквен. обозн.

Коэффициент передачи тока

h21Э

20…60

40…120

80….240

Обратный ток коллектора

IКБО или IКО, мкА

1

1

1

Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер

UБЭ.MAX или UКЭ.ДОП, В

-15

-30

-45

-60

-15

-30

-45

-60

-15

-30

-45

Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер

UБЭ.МАХ или UБЭ.ДОП, В

-10

-15

-10

Максимальный ток коллектора

IК.МАХ, мА

300

300

300

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора

РК.МАХ, мВт

200

200

200

Уварова Людмила Васильевна

Методические указания к выполнению домашнего задания на тему: «Расчет резисторных каскадов предварительного усиления на биполярных транзисторах с общим эмиттером»

Ответственный за выпуск Еременко Ю.И.

ЛР № 020777 от 13.05.98 г.

_________________________________________________

Подписано в печать

Усл. печ.л. Тираж экз. Заказ

_________________________________________________

Типография СТИ МИСиС

309516, Старый Оскол, м-р Макаренко, 42