Тайминги памяти

Тайминги, латентность, CAS Latency, CL. Довольно часто в описании товара эти параметры не указывают, а ведь именно они характеризуют быстродействие оперативной памяти. Чем меньше значения, тем быстрее работает оперативная память. Старайтесь выбирать оперативную память с наименьшим таймингом и желательно из модулей памяти с одинаковым объемом памяти и рабочей тактовой частой. Однако, к примеру модули памяти с тактовой частотой DDR-800, 5-5-5-18 и DDR3-1066, 7-7-7-20 по производительности можно считать равноценными.

Тайминги

Тайминги - временные задержки сигнала. Тайминги измеряют в наносекундах (нс). Мера таймингов – такт. В описании оперативной памяти они указываются в виде последовательности чисел (CL5-5-4-12  или просто 9-9-9-24), где по порядку указываются следующие параметры:

CAS Latency – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова.

RAS to CAS Delay (RCD) - задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), этот параметр указывает интервал между доступами на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.

RAS Precharge Time (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда) сигнала RAS# – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.

DRAM Cycle Time Tras/Trc – суммарный показатель быстродействия модуля памяти

Если в описании указан только один параметр CL8, то она означает только первый параметр – CAS Latency.

Многие материнские платы, при установке на них модулей памяти, устанавливают для них не максимальную тактовую частоту. Одна из причин – это отсутствие прироста производительности при повышении тактовой частоты, ведь при повышении частоты повышаются рабочие тайминги. Конечно, это может повысить производительность в некоторых приложениях, но и понизить в других, а может и вообще никак не повлиять на приложения, которые не зависят от задержек памяти или от пропускной способности.

Для примера. Модуль памяти Corsair установленный на материнскую плату M4A79 Deluxe будет иметь такие тайминги: 5-5-5-18. Если увеличить тактовую частоту памяти до DDR2-1066, тайминги увеличатся и будут иметь следующие значения 5-7-7-24.

Модуль памяти  Qimonda  при работе на тактовой частоте DDR3-1066 имеет рабочие тайминги 7-7-7-20, при увеличения рабочей частоты до DDR3-1333 плата устанавливает тайминги 9-9-9-25. Как правило, тайминги прописаны в SPD и для разных модулей могут отличаться.

Модуль памяти A-Data с тактовой частотой DDR3-1333 устанавливает тайминги 9-9-9-24, при понижении рабочей частоты до DDR3-1066 тайминги уменьшаются всего лишь до значений 8-8-8-20.

Производители оперативной памяти

Производителей именно микросхем памяти единицы, намного больше компаний занимающихся выпуском модулей памяти, напаиванием чипов на платы собственной разработки. И от изготовителей модулей памяти, качество продукции зависит не меньше, чем от производителя самих чипов. Для выпуска качественного модуля недостаточно произвести хорошую конструкцию, для этого нужен современный техпроцесс. Кроме того, именитые фирмы уделяют достаточно внимания тестированию как самих чипов, так и готовых модулей.

Из наиболее известных фирм, которые хорошо себя зарекомендовали среди пользователей, следует назвать фирмы:

Hynix, Samsung, Corsair, Kingmax, Transcend, Kingston, OCZ.

Марки OCZ, Kingston и Corsair рекомендуют для оверклокинга – на модулях этих производителей нестандартное напряжение и его нужно установить вручную в BIOS. Недавно 10 производителей оперативной памяти были оштрафованы Европейской комиссией на 331 млн. евро. Причина: 10 производителей модулей памяти вступили в соглашение с целью удержания высоких цен на чипы и модули ОЗУ. Samsung выплатит €145,7 млн. Фактические банкроты Infineon и Hynix должны будут найти €56,7 и €51,4 миллиона евро. Так что будущее компаний Hynix и Infineon довольно мрачное. Остальные (NEC, Hitachi, Mitsubishi, Toshiba, Elpida и Nanya) выплатят меньшие штрафы. А вот компании Micron Technology за активное сотрудничество со следствием был гарантирован иммунитет.