- •Введение
- •Основные полупроводниковые квантово размерные структуры
- •Условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •Структуры с двумерным электронным газом
- •1.2.1. Полупроводниковые и полуметаллические пленки
- •1.2.3. Гетероструктуры
- •1.2.4. Дельта-слои
- •1.2.5. Графен
- •1.3. Квантовые нити
- •1.4. Квантовые точки
- •1.5. Сверхрешетки
- •1.5.1. Полупроводниковые композиционные ср
- •1.5.2. Ср типа полуметалл-полупроводник
- •1.5.4. Легированные ср
- •1.5.5. Композиционно-легированные ср
- •1.5.6. Квазипериодические и непериодические ср
- •2. Энергетический спектр
- •2.1. Изолированные квантовые ямы, нити, точки
- •2.1.1. Квантовые ямы
- •2.1.2. Квантовые нити
- •2.1.3. Квантовые точки
- •2.2. Одномерные сверхрешетки
- •2.3. Локализованные состояния
- •2.4. Размерное квантование во внешних полях
- •2.4.1. Двумерные системы в магнитном поле
- •2.4.2. Квантовые ямы и сверхрешетки в электрическом поле
- •3. Плотность состояний и концентрация носителей заряда
- •3.1. Изолированные квантовые ямы и нити
- •3.2. Сверхрешетки
- •4. Оптические свойства
- •4.1. Общие положения
- •4.2. Межзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4.4. Межподзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4 Рис. 4.6. Спектр межподзонного ик–поглощения ср при условии слабого рассеяния – низких температур. .5. Фотодетекторы ик–излучения
- •5. Кинетические явления
- •5.1. Неравновесная функция распределения в низкоразмерных структурах
- •5.2. Планарный перенос в квантовых ямах
- •5.3. Вертикальный перенос в сверхрешетках
- •5.3.1. Область омической проводимости
- •5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классических полях
- •5.3.3. Резонансное туннелирование в области
- •5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
- •5.5. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах
- •5.5.1. Классическая теория целочисленного кэх
- •5.5.2. Влияние эффектов локализации на кэх.
- •6. Резонансное туннелирование
- •6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными квантовыми ямами и потенциальными барьерами
- •6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над квантовой ямой
- •6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над потенциальным барьером
- •6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру (дбкс)
- •6 Рис. 6.5. Потенциальный рельеф несимметричной дбкс с двумя резонансными энергетическими уровнями е1 и е2 в квантовой яме .2.1. Прохождение электромагнитных волн через резонатор
- •6.2.2 Энергетический спектр электронов в изолированной
- •6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней энергии
- •6.2.4. Туннелирование электронов через дбкс в области резонансных значений энергии. Формула Лоренца
- •6.3. Резонансно-туннельный диод (ртд)
- •6.3.1. Строение и действие ртд
- •6.3.2. Вах и одп идеального ртд
- •6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота генерации ртд
- •Заключение
- •Список литературы
- •Содержание
- •1. Основные полупроводниковые квантово-размерные
- •Учебное издание
- •Учебное пособие
5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
Влияние размерного квантования на проводимость КН особенно ярко проявляется при наличие баллистического переноса, т.е. при условии того, что длина L квантовой нити меньше, чем длина свободного пробега носителей заряда [1].
Рис. 5.4.
Энергетическая диаграмма смещенной
структуры с КН
при наличие
затвора.
из левого контакта в правый. Величина
тока, создаваемого этими электронами
с учетом вырождения и (2.20) – дисперсии
энергии по волновому вектору вдоль оси
КН равна
,
(5.57)
где
– ток, создаваемый электроном подзоны с номером i и компонентой волнового вектора kz. С учетом квазинепрерывности волнового вектора расчет силы тока по формуле (5.57) приводит к следующему выражению

![]()
где
– функция Хевисайда (3.3). Если смещение
невелико относительно промежутков
энергии между подзонами, т. е. выполняется
условие
,
где d – средний диаметр КН, формула для баллистической проводимости принимает простой вид
. (5.58)
В этой формуле N
– число подзон, содержащих электроны,
т.е. дно которых лежит ниже уровня Ферми
F2.
Полученная формула носит общий характер
и кроме мировых констант не зависит ни
от характеристик нити (за исключением
числа заполненных подзон) ни от условий
измерений. Согласно этой формуле
баллистическая проводимость КН может
принимать только определенные значения,
кратные выражению из мировых констант
e
и
,
т.е. является квантованной величиной.
Скачкообразный – квантованный характер
зависимости баллистической проводимости
как функции числа заполненных подзон
можно наблюдать в структурах с КН,
изменяя концентрацию носителей заряда
с помощью напряжения, прикладываемого
к затвору Шоттки (рис.5.5). По мере уменьшения
отрицательного потенциала на затворе
концентрация электронов в ней возрастают.
При этом растет число заполненных подзон
как за счет понижения дна этих подзон
относительно уровня Ферми в контактах,
так и за счет уменьшения энергетического
зазора между подзонами [1].
Рис. 5.5.
Экспериментальная зависимость
проводимости КН (точечного контакта)
от напряжения на затворе, определяющего
концентрацию носителей [1].
.
Экспериментальные исследования квантования проводимости в коротких (баллистических) нитях часто проводятся на структурах, представляющих собой, строго говоря, не нить как таковую, а так называемый точечный контакт, т.е. узкую перемычку, соединяющую собой два участка двумерного электронного газа достаточно большой площади. Формально это как бы нить, имеющая длину, сравнимую с ее шириной, причем последняя имеет достаточно малую величину. Квантование проводимости должно наблюдаться и в таких структурах (это неудивительно, поскольку окончательная формула (5.58) не содержит никаких конкретных параметров, описывающих размеры и форму нити). В частности, экспериментальная зависимость, показанная на рис. 5.5, получена именно на таком квантовом микроконтакте [1].
Одним из основных применений квантования баллистической проводимости КН является калибровка высокоточных приборов электротехники, используемых в научных исследованиях.
