
- •Введение
- •Основные полупроводниковые квантово размерные структуры
- •Условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •Структуры с двумерным электронным газом
- •1.2.1. Полупроводниковые и полуметаллические пленки
- •1.2.3. Гетероструктуры
- •1.2.4. Дельта-слои
- •1.2.5. Графен
- •1.3. Квантовые нити
- •1.4. Квантовые точки
- •1.5. Сверхрешетки
- •1.5.1. Полупроводниковые композиционные ср
- •1.5.2. Ср типа полуметалл-полупроводник
- •1.5.4. Легированные ср
- •1.5.5. Композиционно-легированные ср
- •1.5.6. Квазипериодические и непериодические ср
- •2. Энергетический спектр
- •2.1. Изолированные квантовые ямы, нити, точки
- •2.1.1. Квантовые ямы
- •2.1.2. Квантовые нити
- •2.1.3. Квантовые точки
- •2.2. Одномерные сверхрешетки
- •2.3. Локализованные состояния
- •2.4. Размерное квантование во внешних полях
- •2.4.1. Двумерные системы в магнитном поле
- •2.4.2. Квантовые ямы и сверхрешетки в электрическом поле
- •3. Плотность состояний и концентрация носителей заряда
- •3.1. Изолированные квантовые ямы и нити
- •3.2. Сверхрешетки
- •4. Оптические свойства
- •4.1. Общие положения
- •4.2. Межзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4.4. Межподзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4 Рис. 4.6. Спектр межподзонного ик–поглощения ср при условии слабого рассеяния – низких температур. .5. Фотодетекторы ик–излучения
- •5. Кинетические явления
- •5.1. Неравновесная функция распределения в низкоразмерных структурах
- •5.2. Планарный перенос в квантовых ямах
- •5.3. Вертикальный перенос в сверхрешетках
- •5.3.1. Область омической проводимости
- •5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классических полях
- •5.3.3. Резонансное туннелирование в области
- •5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
- •5.5. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах
- •5.5.1. Классическая теория целочисленного кэх
- •5.5.2. Влияние эффектов локализации на кэх.
- •6. Резонансное туннелирование
- •6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными квантовыми ямами и потенциальными барьерами
- •6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над квантовой ямой
- •6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над потенциальным барьером
- •6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру (дбкс)
- •6 Рис. 6.5. Потенциальный рельеф несимметричной дбкс с двумя резонансными энергетическими уровнями е1 и е2 в квантовой яме .2.1. Прохождение электромагнитных волн через резонатор
- •6.2.2 Энергетический спектр электронов в изолированной
- •6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней энергии
- •6.2.4. Туннелирование электронов через дбкс в области резонансных значений энергии. Формула Лоренца
- •6.3. Резонансно-туннельный диод (ртд)
- •6.3.1. Строение и действие ртд
- •6.3.2. Вах и одп идеального ртд
- •6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота генерации ртд
- •Заключение
- •Список литературы
- •Содержание
- •1. Основные полупроводниковые квантово-размерные
- •Учебное издание
- •Учебное пособие
5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классических полях
При вертикальном токопереносе в области сильных классических полей вольт-амперная характеристика СР обнаруживает наличие отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП). Наличие этого эффекта связано с периодической зависимостью энергии минизоны от квазиимпульса электрона, который существенно изменяется под действием электрического поля при наличии слабого рассеяния. Для качественного рассмотрения этого явления воспользуемся уравнениями квазиклассики. Проведем расчет плотности электрического тока вдоль оси симметрии СР – оси z, учитывая изменение квазиимпульса под действием электрического поля и сил трения согласно классическому уравнению движения
,
(5.31)
где
- отклонение компоненты волнового
вектора от равновесного значения,
- среднее значение продольного времени
релаксации, не зависящее от энергии.
Решением этого уравнения для стационарного
тока является
. (5.32)
Для расчёта плотности продольного (вертикального) тока воспользуемся общей формулой
,
(5.33)
где
– полная энергия движения носителя
заряда, отсчитанная от дна минизоны;
– энергия свободного движения вдоль
КЯ;
– энергия движения вдоль оси СР, с учетом
(2.35) равная
;
(5.34)
(5.35)
– скорость
продольного движения электрона с
заданным значением
в электрическом поле;
- дрейфовая скорость. Равновесная функция
Ферми-Дирака приближении двумерного
газа для невырожденных носителей заряда
в минизоне равна
. (5.36)
С учётом формул (5.33), (5.35) и (5.36) для продольной дрейфовой скорости получаем
,
(5.37)
где ;
(5.38)
При выводе формулы (5.37) было учтено, что концентрация электронов в приближении двумерного газа в единичном объёме равна
.
(5.39)
Из формулы (5.37)
вытекает, что продольная дрейфовая
скорость зависит от электрического
поля по гармоническому закону.
Следовательно при
c ростом напряжённости поля дрейфовая
скорость и связанная с ней плотность
продольного тока будут убывать, т.е.
дифференциальная проводимость становится
отрицательной.
Точный расчёт плотности вертикального тока в сильных классических электрических полях основан на решении уравнения Больцмана (5.1) в приближении времени релаксации
,
(5.40)
с граничными условиями периодичности по векторам обратной СР
,
(5.41)
где l - целое число. Согласно аналитическому решению этого уравнения [19]
.
(5.42)
Из этой формулы
следует, что в сильных классических
электрических полях, удовлетворяющих
условию
,
дифференциальная проводимость становится
отрицательной. При этом дрейфовая
скорость, в отличие от элементарной
теории (см. (5.37)), всегда остаётся
положительной. В случае слабых классических
полей
из формул (5.37) и (5.42) в согласии с законом
Ома получаем линейную зависимость
дрейфовой скорости от поля (см. (5.25))
.
(5.43)
Для вырожденного электронного газа в согласии с (5.28) формула для максимальной дрейфовой скорости принимает вид
(5.44)
Из сравнения формул (5.38) и (5.44) следует, что с ростом вырождения электронного газа максимальное значение продольной дрейфовой скорости уменьшается.
На рис. 5.1 представлена зависимость продольной дрейфовой скорости от напряжённости электрического поля, описываемая формулой (5.42).
Из анализа формулы (5.42) вытекает критерий слабого классического
(5.45)
и сильного классического электрического поля
(5.46)
д
Рис.
5.1.
Зависимость дрейфовой скорости от
напряжённости
электрического
поля при вертикальном переносе.