4.4. Межподзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках

За счет появления в разрешенных энергетических зонах низкоразмерных структур подзон и минизон, в этих структурах появляется новый вид поглощения, связанный с прямыми оптическими переходами между подзонами одной и той же зоны. Это поглощение получило название межподзонного. Свойства данного вида поглощения рассмотрим на примере одномерных КЯ с двумерным электронным газом n - типа.

Матричный элемент оператора импульса (4.6), описывающий оптические переходы при этом поглощении, с учетом формулы (4.11) можно представить в виде

, (4.35)

где

; (4.36)

- угол между вектором напряженности электрического поля световой волны и осью z, перпендикулярной плоскости КЯ; L – эффективная ширина КЯ.

Согласно формулам (4.35), (4.36) межподзонное поглощение в КЯ в отличие от межзонного имеет поляризационную зависимость, т.е. возможно только при наличии компоненты вектора напряженности электрического поля света вдоль оси z–поперек КЯ. Для симметричных КЯ конечной глубины матричный элемент оператора импульса (4.36) при i>j отличен от нуля только в случае волновых функций начального и конечного состояния различной четности. В приближении бесконечно глубоких КЯ, с учетом вида волновых функций (2.5), матричный элемент оператора импульса для переходов между подзонами любой четности равен нулю. Следовательно, рассматриваемое поглощение имеет место только в КЯ конечной глубины.

С учетом (4.4), (4.5), выражения для разрешенных уровней энергии электронов (4.13) и матричного элемента оператора импульса (4.35), для коэффициента межподзонного поглощения света в КЯ получается следующая формула

, (4.37)

где ; ;- концентрация электронов в зоне проводимости, определяемая формулой (3.10); а–эффективная ширина КЯ. Формула (4.37) получена при условии, что концентрацией электронов во всех возбужденных подзонах, кроме основной (нижней), можно пренебречь. Это условие выполняется, если , т.е. для достаточно узких КЯ в области низких температур. Согласно Этой формуле межподзонное поглощение света в КЯ обладает следующими свойствами.

1) Спектр данного поглощения является селективным, т.е. поглощение имеет место при определенных значениях энергии фотонов ;

2) Частоты спектра этого поглощения лежат в ИК–области, т.к.

.

3) Спектр существенно зависит от концентрации электронов, т.е. от степени легирования КЯ и температуры.

4) Величина коэффициента поглощения существенно зависит от поляризации света относительно оси, перпендикулярной плоскости КЯ.

5) В симметричных КЯ конечной глубины оптические переходы имеют место между подзонами разной четности.

В СР из одномерных КЯ n-типа выражение для дисперсии коэффициента поглощения за счет переходов между минизонами, в приближении сильной связи, имеет тот же вид, что и в изолированных КЯ. При этом в формуле (3.16) под нужно понимать объемную равновесную концентрацию электронов в нижней минизоне СР:

, (4.38)

(4.39)

- матричный элемент z – компоненты оператора импульса между огибающими функциями (2.27) с нижней минизоны и возбужденной минизоны c номером i.

Таким образом, свойства межминизонного поглощения света в рассматриваемых СР аналогичны межподзонному поглощению в одномерных КЯ с двумерным электронным газом.

В КЯ и СР р-типа межподзонное и межминизонное поглощение имеет тот же характер, что и в структурах n – типа. Это означает, что оно описывается формулами (4.37)-(4.39), в которых параметры подзон и минизон зоны проводимости и электронного газа следует заменить на соответствующие параметры подзон и минизон валентной зоны и газа свободных дырок.

При наличии рассеяния электронов дельта-функцию в формуле (4.37) следует заменить на функцию Лоренца -

, (4.40)

где ; ;

Рис. 4.5. Спектр межподзонного ИК– поглощения КЯ

при высоких температурах с учетом рассеяния.

- среднее время релаксации импульса электронов в зоне проводимости. С учетом этого спектр межподзонного поглощения принимает форму пиков конечной высоты и ширины (рис. 4.5).

В СР форма пика данного поглощения сохраняется, если ширина минизон мала по сравнению с неопределенностью энергии оптического перехода связанного с рассеянием, т.е. при условии . В противном случае, как показано в работе [18], форма пика принимает более сложный вид (рис.4.6).