- •Луцьк - 2007 Вступ
- •Розділ 1 Сигнали повідомлень і радіосигнали Принцип передавання повідомлень
- •Сигнали повідомлень
- •Радіосигнали
- •Принцип радіозв’язку
- •Розповсюдження радіохвиль
- •Розділ 2 Лінійні радіотехнічні кола
- •Коливальний контур із зосередженими параметрами
- •Власні коливання в контурі
- •Характер затухаючих коливань
- •Послідовний резонанс
- •4. Резонансний спад напруги на конденсаторі
- •5. Ззалежність контурного струму від частоти поблизу резонансу
- •Фільтруючі властивості послідовного контуру
- •Паралельний резонанс
- •Зв’язані контури
- •Розділ 3 Електронні прилади Напівпровідникові прилади
- •Напівпровідникові резистори
- •Напівпровідникові діоди
- •Транзистори
- •Статичні вольт-амперні характеристики транзистора
- •Динамічний режим роботи транзистора
- •Система - параметрів
- •Малосигнальні параметри електроних приладів Параметри лінійного чотириполюсника
- •Малосигнальні параметри польового транзистора
- •Малосигнальні параметри біполярного транзистора
- •Розділ 4 Підсилювачі електричних сигналів
- •Попередні підсилювачі із резисторним навантаженням
- •Підсилювачі потужності
- •1. Підсилювач потужності із трансформаторним ввімкненням навантаження
- •2.Безтрансформаторні однотактні каскади
- •3. Двохтактні безтрансформаторні підсилювачі потужності
- •Розділ 5 Електронні генератори
- •Розділ 6 Нелінійні перетворення сигналів
- •1.Узагальнена схема нелінійного перетворювача. Роль нелінійного елемента і фільтра
- •Модуляція. Методи здійснення амплітудної модуляції
- •3. Перетворення частоти. Схеми перетворювачів частоти на напівпровідникових приладах
- •Детектування. Діодині детектори ам сигналів. Нелінійні і частотні спотворення
- •Розділ 7 Радіоприймальні пристрої
- •Телебачення
Розділ 3 Електронні прилади Напівпровідникові прилади
Напівпровідниковими приладами наз. прилади, дія яких грунтується на використанні властивостей напівпровідників.
Класифікація напівпровідникових приладів подана на мал. Напівпровідникові резистори і діоди є двохелектродними приладами, біполярні та польові транзистори - трьохелектродними приладами. Тіристори можуть бути як двохелектродними, так і трьохелектродними.
В напівпровідникових резисторах використовується ізотропний матеріал, їх електричні характеристики визначаються електричними властивостями однорідного напівпровідника.
В напівпровідникових діодах використовуються напівпровідники з різними типами електропровідності які утворюють один p-n- перехід. Електричні характеристики діода визначаються електричними властивостями цього p-n -переходу.
В біполярних транзисторах використовуються два p-n-переходи. Електричні характеристики біполярних транзисторів визначаються взаємодією цих переходів.
В польових т-рах використовуються напівпровідники з різними типами електропровідності, які утворюють один p-n-перехід. Але в відмінності від діодів та біполярних транзисторів електричні характеристики польових транзисторів залежать в основному від вхаємодії ізотропного напівпровідникового каналу з p-n – переходом.
Мал. 9
В тіристорах використовуються напівпровідники з різними типами електропровідності, які утворюють три p-n-переходи або більше. Основні електричні характеристики тіристорів визначаються взаємодією цих переходів.
В напівпровідникових фотоелектричних приладах використовуються
ефекти генерації світла та зміни електричних характеристик напівпровідникових структур під дією оптичного випромінювання. Комбіновані напівпровідникові прилади являють собою декілька різних напівпровідникових приладів, об’єднаних в одному корпусі.
Напівпровідникові мікросхеми - мікроелектронні вироби, що виконують відповідну функцію перетворення та обробки сигналу, всі елементи та міжелементні сполучення яких виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідника.
Напівпровідникові резистори
Напівпровідниковим резистором називають напівпровідниковий прилад з двома виводами, в якому використовується залежність електричного опору напівпровідника від напруги, температури, освітленості або ін.керуючих факторів.
Класифікація та умовні графічні
позначення напівпровідникових резисторів
подана на мал.10
У відповідності з цією класифікацією напівпровідникові резистори поділяються на лінійні та нелінійні.

Мал. 10 Мал. 11
Лінійний резистор - напівпровідниковий резистор, в якому використовується слаболегований матеріал типу кремнію або арсеніду галія.
Варістор - напівпровідниковий прилад /резистор/, опір якого залежить від прикладеної напруги, тому його вольт-амперна характеристика нелінійна.
Терморезистор - напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору напівпровідника від температури. Мал.10
Розрізняють
два типа терморезисторів: термістор/
-
від’ємний/ і позістор/
-додатній/.
Фоторезистор - напівпровідниковий резистор, опір якого залежить від освітленості.
Тензорезистор - напівпровідниковий резистор, в якому використовується залежність електричного опору від механічних деформацій.
