4. Методические рекомендации

При проведении исследований по схеме, приведенной на рис. 9а, диэлектрическая проницаемость рассчитывается по формуле:

,

где - электрическая постоянная.

- площадь электродов исследуемого конденсатора, м²

- толщина сегнетоэлектрической пластины, м.

Эта формула получена следующим образом:

; ;

так как , то и .

При проведении исследований в соответствии со схемой рис. 9б реверсивно диэлектрическую проницаемость находят по формуле:

,

где - измеренное значение емкости. Тангенс угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрика равен:

,

где - измеренное значение тангенса угла диэлектрических потерь;

кГц - частота работы измерителя емкости.

4. Контрольные вопросы

8.1. Какие вещества называют сегнетоэлектриками? Какова их структура?

8.2. Какие процессы происходят в кристалле сегнетоэлектрика при переходе через точку Кюри?

8.3. Объясните зависимость поляризованности линейных диэлектриков от напряженности электрического поля. Как зависит заряд слюдяного конденсатора от приложенного напряжения?

8.4. Объясните зависимость поляризованности сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля. Нарисуйте график зависимости заряда сегнетоэлектрического конденсатора от величины приложенного напряжения.

8.5. Объясните зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков от напряженности приложенного переменного электрического поля.

8.6. Объясните зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, если измерения произведены в слабых электрических полях. Как изменится эта зависимость, если изменения провести в сильных электрических полях?

8.7. Как классифицируются диэлектрики по значению коэрцитивной силы, типу химической связи?

8.8. Какие виды диэлектрической проницаемости используются для характеристики сегнетоэлектриков?

8.9. Как изменяются реверсивная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков и тангенс угла диэлектрических потерь при изменении частоты и напряженности электрического поля?

8.10. Что называется коэффициентом перекрытия и коэффициентом нелинейности?

8.11. Что называется точкой Кюри? В чем суть закона Кюри-Вейсса?

8.12. Чем отличаются сегнетоэлектрики от антисегнетоэлектриков?

8.13. Какие материалы относятся к ионным сегнетоэлектрикам, а какие - к дипольным?

8.14. Назовите наиболее важные применения сегнетоэлектриков. На каких свойствах материалов основаны эти применения?

15. Расскажите принцип работы установки для осциллографического исследования сегнетоэлектриков.

4. Библиографический список

10.1. Пасынков В.В., Сорокин В.С. материалы электронной техники. - 2-е изд., переработ, и дополн. - М.: Высшая школа, 1986. С. 261-273.

10.2. Богородицкий Н.П. и др. Электрические материалы. -7-е изд., переработ. и дополн. - Л.: Энергоатомиздат. Ленинградское отделение, 1985. С. 25-28, 173-174

ПРИЛОЖЕНИЕ

Таблица 1

Зависимость заряда несегнетоэлектрического конденсатора от напряжения

№	,В	,В	,К	Примечание
				Материал конденсатора Температура

Таблица 2

Зависимость заряда сегнетоэлектрического конденсатора от напряжения

№	,В	,В		,К	Примечание
					Материал конденсатора Температура

Таблица 3

Зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь от напряженности постоянного электрического поля сегнетоэлектриков

№	,В	,Ф				Примечание
						Материал конденсатора. Температура. Напряжение = …

Таблица 4

Зависимость сегнетоэлектриков от температуры

№	,0С	,В		Примечание
				Материал конденсатора. Напряжение = …

Таблица 5

Зависимость и сегнетоэлектриков от температуры.

№	,0С	,Ф				Примечание
						Материал конденсатора. Напряжение = …