- •Исследование сегнетоэлектриков
- •Составители: е.А. Спирин, в.М. Зюкин
- •Исследование сегнетоэлектриков: Методические указания к лабораторной работе №7/ Курск. Гос. Техн. Ун-т.; Сост.: е.А. Спирин, в.М. Зюкин. Курск, 2000. 19 с.
- •Цель работы
- •2. Общие положения
- •Подготовка к лабораторной работе.
- •Описание лабораторной установки
- •Объекты исследования
- •Лабораторное задание
- •Методические рекомендации
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
-
Подготовка к лабораторной работе.
При подготовке к лабораторной работе необходимо проработать следующие вопросы:
-
в чем заключаются особенности структуры сегнетоэлектриков;
-
как зависит поляризованность сегнетоэлектриков от напряженности электрического поля;
-
как влияет температура на свойства сегнетоэлектриков;
-
изучить методику измерения параметров сегнетоэлектрических материалов.
-
Описание лабораторной установки
В состав лабораторной установки входят:
I) цифровой измеритель емкости Е8-4;
2} источник регулируемого постоянного напряжения;
3) вольтметр универсальный В7-26;
4) термостат с термометром;
5) осциллограф;
6) источник регулируемого переменного напряжения;
7) электронный миливольтметр переменного напряжения.
Схема установки приведена на рис. 9 (для удобства она представлена в виде двух частей).
Частота работы цифрового измерителя емкости 1 кГц.
В данной работе для изучения сегнетоэлектриков используется осциллографический метод. На экране осциллографа при использовании схемы приведенной на рис. 9а. Можно получить зависимость поляризованности от напряженности внешнего поля.
Емкость
конденсатора
(
)
значительно больше емкости
и поэтому; можно считать, что переменное
напряжение
вторичной обмотки; приложено в основном
к конденсатору
и создает в нем электрическое поле с
напряженностью
.
Мгновенное значение заряда на обкладках
конденсатора
равно
Так как испытуемый конденсатор
и эталонный
- включены последовательно. то их заряды
равны
.Таким
образом, напряжение
на конденсаторе
пропорционально заряду на
.
В свою очередь, заряд на обкладках
конденсатора
связан с поляризованностью сегнетоэлектрика
соотношением
,
где
- мгновенное значение поверхностной
плотности заряда на обкладках конденсатора;
-
площадь обкладок исследуемого
конденсатора.
При
написании этой формулы учтено, что при
электрическая индукция приблизительно
равна поляризованности
:
.
Таким
образом, смещение луча по вертикали
пропорционально мгновенному значению
поляризованности сегнетоэлектрика. На
пластинах горизонтального отклонения
осциллографа напряжение
подается с резистора
.
Тогда горизонтальное смещение луча
пропорционально мгновенному значению
напряжения
,
которое определяет напряженность
электрического поля
между
обкладками исследуемого конденсатора
:
.
Таким образом, на экране осциллографа получается петля гистерезиса, которая при увеличении температуры сегнетокерамики постепенно сжимается, становясь при достижении температуры Кюри отрезком прямой линии.

а)

б)
1 - регулируемый источник переменного напряжения;
2 - термостат с термометром;
3 - осциллограф;
4 - электронный вольтметр переменного напряжения;
5 - электронный миливольтметр;
6 - регулируемый источник постоянного напряжения;
7 - цифровой измеритель емкости;
8 - электронный вольтметр постоянного напряжения.
Рис. 9. Схема установки
В
схеме, приведенной на рис. 96,
играет роль разделительного конденсатора.
Резистор
имеет большое сопротивление и служит
для устранения шунтирования исследуемых
конденсаторов источником напряжения.
Вследствие большого сопротивления
конденсаторов, напряженность электрического
поля в сегнетоэлектрике
,
где
- напряжение регулируемого источника
постоянного напряжения.
