
- •Введение
- •Развитие электроники
- •Особые свойства электронных приборов
- •Глава 1. Физические основы проводимости полупроводников
- •1.1. Общие сведения о полупроводниковых материалах
- •1.1.1. Энергетические зонные диаграммы кристаллов
- •1.1.2. Прохождение тока через металлы
- •1.2. Собственная проводимость полупроводников
- •1.3. Примесная проводимость полупроводников
- •1.3.1. Электронная проводимость. Полупроводник n-типа
- •1.3.2. Дырочная проводимость. Полупроводник p-типа
- •1.4. Однородный и неоднородный полупроводник
- •1.5. Неравновесная концентрация носителей
- •1.6. Прохождение тока через полупроводники
- •1.7. Уточнение понятий “собственные” и “примесные” полупроводники
- •Глава 2. Количественные соотношения в физике полупроводников
- •2.1. Распределение Ферми. Плотность квантовых состояний
- •2.2. Функция распределения Ферми – Дирака
- •2.3. Плотность квантовых состояний
- •2.4. Концентрация носителей в зонах
- •2.5. Собственный полупроводник
- •2.6. Примесный полупроводник. Смещение уровня Ферми
- •Глава 3. Электронно-дырочный переход
- •3.1. Образование и свойства р-п перехода
- •3.1.1. Виды p-n переходов
- •3.1.2. Потенциальный барьер
- •3.1.3. Токи р-n перехода в равновесии
- •3.1.4. Электронно-дырочный переход при внешнем смещении
- •3.2. Вольт-амперная характеристика р-п перехода
- •3.2.2 Влияние температуры на характеристику и свойства р-п перехода
- •3.2.3. Емкость р-п перехода
- •Глава 4. Полупроводниковые диоды
- •4.1 Диоды
- •4.1.1. Реальная вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •4.1.2. Параметры диода
- •4.2. Разновидности диодов. Точечные и плоскостные диоды
- •4.2.1. Выпрямительные и силовые диоды
- •4.2.2. Тепловой расчет полупроводниковых приборов
- •4.2.3. Кремниевые стабилитроны (опорные диоды)
- •4.2.4. Импульсные диоды
- •4.2.5. Туннельные и обращенные диоды. Туннельный эффект. Туннельные диоды (тд)
- •4.2.6. Варикапы
- •4.4. Обозначение (маркировка) несиловых диодов
- •Глава 5. Биполярный бездрейовый транзистор
- •5.1. Устройство и принцип действия
- •5.2. Основные соотношения для токов. Коэффициент передачи тока
- •5.2.1. Возможность усиления тока транзистором
- •5.3. Три схемы включения транзистора
- •5.4. Статические характеристики транзистора
- •5.5. Предельные режимы (параметры) по постоянному току транзистора
- •5.6. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора
- •5.6.1. Зависимость внутренних параметров транзистора от режима и от температуры
- •5.6.2. Четырехполюсниковые h-параметры транзистора и эквивалентная схема с h-параметрами
- •5.6.2.1. Определение h-параметров по статическим характеристикам
- •5.6.2.2. Связь между внутренними параметрами и h-параметрами
- •5.7. Частотные свойства транзисторов. Дрейфовый транзистор
- •5.7.1. Частотно-зависимые параметры
- •5.7.2. Дрейфовый транзистор
- •Глава 6. Полевые (униполярные) транзисторы
- •6.1. Унитрон
- •6.3. Параметры и эквивалентная схема полевого транзистора
- •6.4. Обозначение (маркировка) и типы выпускаемых транзисторов
- •Глава 7. Тиристоры
- •7.1. Устройство и принцип действия тиристоров
- •7.2. Закрытое и открытое состояние тиристора
- •7.2.1. Закрытое состояние тиристора (ключ отключен)
- •7.2.2. Открытое состояние (ключ включен)
- •7.3. Включение и выключение тиристора
- •7.4. Параметры тиристора
- •7.5. Типы и обозначения силовых тиристоров
- •Глава 8. Интегральные микросхемы.
- •8.1 Общие сведения о микросхемах.
- •8.1.1 Классификация микросхем.
- •8.1.2. Обозначения имс
- •8.2. Сведения по технологии получения имс
- •8.2.1. Исходные материалы
- •8.2.2. Групповой метод. Планарная технология
- •8.3. Планарно – эпитаксиальный цикл.
- •8.3.1. Эпитаксия.
- •8.3.2. Окисление поверхности кремния.
- •8.3.3. Первая (разделительная) диффузия.
- •8.3.4. Вторая (базовая) и третья (эмиттерная) диффузии.
- •8.3.5. Металлизация (межсоединения).
- •8.3.6. Фотолитография.
- •8.4. Особенности и перспективы развития интегральных схем.
- •8.4.1. Особенности имс.
- •8.4.2. Перспективы развития.
- •Библиографический список
- •Глава 8. Интегральные микросхемы ……………………………………… 61 Библиографический список ……………………………………………….. 78
7.5. Типы и обозначения силовых тиристоров
Кроме обычных тиристоров, рассмотренных выше, в настоящее время выпускается несколько разновидностей тиристоров. Основные разновидности кратко описаны ниже.
Симметричные тиристоры (ТС. ВКДУС). Их вольт-амперная характеристика, приведенная на рис.7.6,а, симметрична.
Основой симметричного тиристора является кремниевая пятислойная монокристаллическая структура, показанная на рис.7.6,б. Эта структура эквивалентна двум тиристорам, включенным встречно-параллельно. Так, при полярности напряжения на структуре, данной без скобок, слои p1 – n2 - p2 – n3 образуют тиристор, для которого указанная полярность является прямой и характеризуется правой ветвью вольт-амперной характеристики.
Рис. 7.6
Переход n1 ‑ p1 при этом смещен в обратном направлении, закрыт и участия в работе не принимает. При смене полярности внешнего напряжения (новая полярность указана в скобках) закрывается переход n3 – p2, а в работе остается структура p2 – n2 – p1 – n1, для которой новая полярность является прямой и соответствует левой ветви характеристики.
Лавинные тиристоры (ТЛ), как и лавинные диоды, имеют чисто лавинный пробой, равномерно протекающий по всей области р-n перехода.
Высокочастотные тиристоры (ТЧ), предназначенные для высокочастотных преобразователей с номинальным током до 125 А, временем включения до 8 мкс, временем выключения - до 30 мкс.
Полностью управляемыми считаются тиристоры, выключение которых может производиться по цепи управления током Iу обратного направления без снятия напряжения главной цепи Ua. Пока имеются лишь маломощные тиристоры этого типа, не получившие широкого распространения.
Штыревые и таблеточные тиристоры. Конструктивно тиристоры имеют штыревую и таблеточную форму. В штыревой форме (более ранней) выполняются маломощные и силовые, в таблеточной - только силовые тиристоры. Таблеточные тиристоры, появившиеся лишь в последние годы, более совершенны как по технологии производства, так и по эксплуатационным свойствам. Отличительными особенностями таблеточных тиристоров являются /4/:
- минимальные массогабаритные характеристики за счет высокой компактности конструкции и двустороннего отвода тепла от вентильного элемента;
- симметричность, что позволяет менять полярность включения вентиля в электрической схеме преобразователя путем простого его переворачивания;
- возможность компоновки вентилей в столбы;
- высокая стойкость к вибрационным и ударным нагрузкам.
Более подробные сведения о таблеточных тиристорах можно найти в работе /4/ .
Обозначения силовых тиристоров. Тиристоры обычного исполнения с воздушным охлаждением обозначаются по ГОСТ 14069-68 буквой "Т", по техническим условиям - "ВИДУ". В обозначения лавинных тиристоров добавляется буква "Л» (ТЛ, ВКДУЛ), симметричных тиристоров - буква "С" (ТС, ВКДУС), высокочастотных - буква "Ч» (ТЧ). В обозначении тиристоров с водяным охлаждением после указанных букв добавляется буква "В" (ТВ, ТЛВ, ТСВ, ВБДУВ, ВКДУЛВ, ВКЖУСВ).
Остальные элементы обозначения те же, что и у силовых диодов. Например, ТЛ - 200 - 6В означает лавинный тиристор, номинальный ток - 200А, класс 6, группа В.