Скачиваний:
80
Добавлен:
18.10.2018
Размер:
7.96 Mб
Скачать

г

r

/

'i

--s"

-

 

»

.. .

 

\ /

РАЗРАБОТЧИКА И КОНСТРУКТОРА РЭА

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА

Книга I

СПРАВОЧНИК РАЗРАБОТЧИКА И КОНСТРУКТОРА РЭА. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА.

Масленников М.Ю., Соболев Е.А., Соколов Г.В., Соловейчик Л. Ф ., Лереверзева А. В ., Федотов Б,А.

*

Справочник предназначен для предварительного выбора элементов электроники рас­ считан на подготовленных радиолюбителей и инженерно-технических работников, |зани­ мающихся разработкой и эксплуатацией РЭА. Справочник в табличной форме содержит сведения сб. основных электрических параметрах серийно выпускаемых отечественных элементов, предназначенных для аппаратуры широкого применения. Приведены основ­ ные электрические параметры, габаритные чертежи, цоколевка и сведения об изготови­ телях. Справочные материалы составлены на основе ТУ, РМ, стандартов и справочников.

Справочник не является юридическим документом, не заменяет официальных докумен­ тов, (паспортов, ТУ, РМ), но позволяет потребителям, сопоставив параметры эде(§ентов с требованиями к аппаратуре, осуществить правильный выбор элементов.

Авторь) будут признательны за критические замечания и предложения, которые фздует направлять по адресу: 121019 Москва, а/я 231.

ОГЛАВЛЕНИЕ

 

Диоды и тиристоры

, 4

 

Индикаторы

24

 

Источники питания

29

 

Коммутационные изделия |

31

 

Конденсаторы

52

6

Микросхемы

96

часть I.

ДИОДЫ И ТИРИСТОРЫ

 

 

Содержание

 

 

Обозначение диодов

4

 

Замечания по эксплуатации

5

 

Технические характеристики.

5

 

1.3.1.

Диоды выпрямительные

в

 

1.3.2

Выпрямительные столбы и блоки

7

 

1.3.3

Диоды универсальные импульсные

8

 

1.3.4

Диодные сборки

9

 

1.3.5

Диоды туннельные и обращенные

9

 

1.3.6

Преобразователи

10

 

1.3.7

Варикапы

10

 

1.3.8

Ограничители напряжения •

11

 

1.3.9

Стабилизаторы тока

11

 

1.3.10

Диоды лавинные

12

 

1.3.11

Диоды импульсные лавинные

12

 

1.3.12

Диоды импульсные с барьером Шоттки

12

 

1.3.13

Диоды СВЧ параметрические

12

 

1.3.14 Диоды СВЧ умножительные и настроечные

12

 

1.3.15

Диоды СВЧ смесительные, детекторные

13

 

1.3.16

Диоды СВЧ переключательные и

13

 

 

ограничительные

 

1.3.17

Диоды СВЧ генераторные

14

 

1.3.18

Стабилитроны и стабисторы

15

 

1.3.19

Стабилитроны импульсные

17

 

1.3.20

Динисторы

18

 

1.3.21

Тиристоры запираемые

18

 

1.3.22

Симметричные тиристоры (симисторы)

18

 

1.3.23

Тиристоры низкочастотные

18

 

1.3.24

Тиристоры импульсные

19

 

Габаритные чертежи диодов и тиристоров

20

1.1. Обозначение диодов (по ОСТ 11336.919-81, ГО С Т 10862-73)

Первый элемент обозначения - исходный полупроводниковый материал или его соедине­ ния (буква для приборов широкого, цифра для приборов специального назначения): Г (1) - германий, К (2) кремний, А (3) галлий (арсенид галлия), И (4) индий.

Второй элемент — подкласс приборов: Д — диоды выпрямительные и импульсные, Ц — выпрямительны столбы и блоки, В - варианты, А - сверхвысокочастотные диоды, С - стабилитроны, Г — генераторы шума, Д — излучающие, О - оптопары, Н - диодные тиристоры, У - триодные тиристоры.

Третий элемент - область применения. Выпрямительные диоды и столбы с прямым током до 0,3 А обозначаются 101-199, до 10 А - 202-299, выпрямительные блоки, соответственно 301-399 и 401-499; диоды на частоты до 1 ГГЦ 401-499; импульсные диоды с временем восстановления сопротивления больше 150 не - 501-599, 30 не - 601-699. 5

не - 701-799, 1 не - 801-899, менее 1 не - 901-999; стабилитроны и стабисторы мощностью до

0,3 Вт с напряжени­

ем стабилизации до 10 В - 101-199, до 100 В -

201-299, до 199 В - 301-399, мощностью до

5 Вт соответственно

401-499, 501-599, 601-699 и мощностью более 5

Вт - 701-799, 801-899, 901-999 (для стабилитронов две последние

цифры соответствуют номинальному напряжению стабилизации); варикапы подстроечные 101-199, умножительные 201-299; тиристоры диодные и триодные незапираемые с прямым током до 0,3 А - 101-199, до 10 А - 201-299* запираемые с токами 0,3 и 10 А - соответственно 301-399 и 401-499, симметричные с токами 0,3 и 10 А, соответст­ венно, 501-599 и 601-699.

Четвертый элемент - буква классифицирует прибор по параметрам (разбраковка). В качестве дополнительны*

элементов используются: цифры 1-9 - модификации конструкции или электрических параметров, буква С -

сборк*

• Зор диодов). Цифры через дефис обозначают конструктивное исполнение бескорпусных приборов: 1, 2

с гибкими

в^йоцами, 3, 4 с жесткими, 5,

6 с контактными площадками, буква Р после обозначения - приборы с парнь»,и

по.’ *; чными элементами, Г -

с подбором » четвер' и, К - в шестерки.

 

ДИОДЫ И ТИРИСТОРЫ 5

Диоды разработки до 1964 г. обозначаются: Д и число, характеризующее диоды германиевые точечные 1-100, крсмнийпыа 101200, плоскостные германиевые 201-300, кремниевые 301-400, СВЧ, смесительные 401-500, умножмшльныо 001 "600, иидоодетекторы 601-700, параметрические германиевые 701-749, кремниевые 750-800, стаби­ литроны 801-ООО, плрикппы 901-950, туннельные 951-1000, столбы 1001-1100.

1 .2 . Замечания по эксплуатации

Приведенные в справочнике параметры являются усредненными. Для повышения надеж­ ности рекомендуется эксплуатировать полупроводниковые приборы (диоды) на уровне 0 ,5 -0 ,8 предельных значений. Превышение продельных значений при эксплуатации даже кратковременное не допускается. Параметры полупровод­ никовых приборов резко зависят от температуры окружающей среды. Надежность падает приблизительно в два раза при повышении температуры на каждые 10° С. При работе приборов в условиях повышенных электрических нагрузок и томперпгуры необходимо применять теплоотвода! (радиаторы).

1 .3 . Технические характеристики ди одов

 

 

Условные обозначения параметров

 

 

О б щ и е о б о з н а ч е н и я :

 

 

 

Unp -

постоянное прямое напряжение диода, иПр,и - импульсное прямое напряжение, Uo6p — постоянное обрат­

ное напряжение, Uo6P,M- обратное импульсное напряжение. Unp.cp - среднее прямое напряжение, ’ 'проб -

пробивное

напряжение,

1Пр - постоянный прямой ток, !Пр.и - импульсный прямой ток, Inp.cp - средний прямой . ж, 1обр - посто­

янный обратный ток, 1обр,и - импульсный обратный ток;

 

 

Р„р -

прямая рассеиваемая мощность (рассеиваемая мощность при протекании прямого т:> ъ

аовр -

обратная

рассеиваемая мощность (при протекании обратного тока). Рср - средняя рассеиваемая мощносп

.среднее за пери­

од значение мощности рассеиваемой диодом),

Рн - импульсная рассеиваемая мощность (нанбслошее мгновенное

значение мощности);

 

 

 

fmiix -

граничная частота;

(время переключения от момента прохождения тока через нулевое

tnoc обр -

время обратного восстановления

значение до момента достижения обратным током заданного значения).

 

 

Ттах -

максимальная рабочая температура окружающей среды.

 

 

В ы п р я м и т е л ь н ы е д и о д ы

 

 

 

1„р, -

ток перегрузки при t* (tnpr) длительности импульса (времени перегрузки).

 

 

Т у н н е л ь н ы е д и о д ы

 

 

 

|пр -

пиковый ток туннельного диода (значение прямого тока в точке максимума ВАХ, при котором значение

дифференциальной активной проводимости равно нулю).

 

 

Ва р и к а п ы

О, - добротность варикапа (отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте, к сопротивле­

нию потери).

Кс - коэффициент перекрытия по емкости варикапа (отношение общих емкостей варикапы при двух заданных значениях обратного напряжения.

С в е р х в ы с о к о ч а с т о т н ы е д и о д ы

Lnp6 - потери преобразования смесительного диода (отношение мощности СВЧ сигнала на входе к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода).

NM - выходное шумовое отношение СВЧ диода (отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отда­ ваемой в согласованную нагрузку к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот).

Ком - коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода.

 

Inn -

выпрямленный ток СВЧ диода (постоянная составляющая в рабочем режиме).

 

WM — энергия одиночного импульса.

 

С т а б и л и т р о н ы и с т а б и с т о р ы

 

UCT ~ напряжение стабилизации.

 

|ст -

ток стабилизации.

 

Лет, Л1ст - технологический разброс напряжения, тока стабилизации,

 

ост ~ температурный коэффициент напряжения стабилизации.

 

Т и р и с т о р ы

 

Uoc — постоянное напряжение в открытом состоянии.

 

Uy* -

запирающее напряжение управления.

 

Цуот -

отпирающее напряжение управления.

 

U»c - предельное значение напряжения на закрытом тиристоре.

 

1УА -

ток удержания (минимальный ток необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии).

 

!»с - постоянный ток в закрытом состоянии.

 

•обр -

постоянный анодный ток в непроводящем состоянии,

 

loc -

постоянный ток 8 открытом состоянии.

 

Iyer -

отирающий ток управления.

 

Цп — запирающий постоянный ток управления.

 

U«a -

время включения, U MW — время выключения.

 

-

рассеиваемая мощность в от*.рытом состоянии.

I Л

ЧАСТЬ t

 

 

 

 

 

1 . 3 . 3 . Д и о д ы у н и в е р с а л ь н ы е и м п у л ь с н ы е

 

__

 

 

 

 

 

 

‘ Првдельны« значения параметров режима

 

 

Unp

 

МКА,

 

гото-

Тип при­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(U n g .x ).

 

(при

Тста х,

*С рису­

•м-

бора

Jo6p.m*x;

 

иобр.ишах,

1пр,мтах. ■пр.мтах.

tM. МКС

tsoc. обр.

1пр. мА

Uo6p; в,

 

Inp, мА,

io6p. max)

 

нка

гмь

 

В

 

8

мА

А

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ГД402А

15

 

 

30

0.1

10

 

 

 

0.45

15

150

70

73

 

ГД402Б

15

 

 

- 30

0.1

10

 

 

 

0.45

 

 

 

 

 

 

 

55

65

 

ГД403А

5

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

65

 

ГД4036

5

 

 

 

 

 

 

 

 

0 .5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

55

66

 

ГД 403 В

5

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

60

86

 

ГД507А

20

 

30

16

0.1

Ю

ЮО

10

20

0.5

5

 

 

86

 

ГД508А

8

 

10

10

0.03

10

 

 

 

0.7

10

60

55

 

 

 

 

 

66

 

ГД5ПА

12

 

 

15

0,05

 

 

 

 

0.6

5

50

70

 

ГД5ПБ

12

 

 

15

0,05

 

 

 

 

0.6

5 .

ЮО

70

66

 

ГД5ПВ

12

 

 

15

0,05

 

 

 

 

0.6

5

200

70

66

<

КД407А

24

 

24

50

0,5

10

 

 

 

 

 

0 .5

ЮО

73

КД 409А

2 «

 

24

50

0.5

10

 

 

 

 

 

0.5

ЮО

69а

t

КДЛЗА

24

 

24

20

 

 

-

 

 

1

20

 

85

65

2

КД413Б

24

 

24

....го....

 

 

 

 

1

20

 

85

85

2

КД503А

30

 

30

20

" 0 , 2

. Ю

10

10

10

1

10

I •4

70

86

1

 

86

1

КД503Б

30

 

30

20

0.2

10

10

10

10

1,2

10

4

70

 

65

 

КД504А

40 .

 

 

160

1

10

 

 

 

1.2

ЮО

2

ЮО

 

КД509Ач^

во

 

70

ЮО

1.5

10

4

10

 

1.1

ЮО

.- ■5

ЮО

86

10

КД510А V

50

 

70

200

1,5

10

4

10

10

1,1

,200

5

85

86*

 

11

КД512А

15

 

 

20

0.2

10

1

10

10

1

10

5

ЮО

73*

 

 

 

КД513А

50

 

70

ЮО

1.5

10

4

10

10

1.1

ЮО

5

85

86

 

КД5МА

10

 

 

10

0,05

ю

 

 

 

1

10

S

ЮО

73

 

КД518А

 

 

 

100

1,5

10

 

 

 

0.57

1

 

85

87

 

КД519А

30

 

40

30

0,3

10

 

 

 

1.1

ЮО

Б

85

86

 

КД5ЙБ

30

 

40

30

0,3

10

 

 

 

1.1

ЮО

5

85

86

 

КД520А

15

 

25

20

0,05

10

10

10

10

1 '

20

1

ЮО

85

 

КД5ЭТА

15

 

100

50

0.05

10

4

10

10

1

50

1

125

73

10

КД5216

75 .

 

65

50

0,05

10

4

10

10

1

50

1

125

73

10

КД521В

60

 

75

50

0.05

10

4

10

-10

1

50

1

125

73*

10

КД521Г

50

 

40

60

0,05

10

4

10

10

1

50

1

125

73

10

КД521Д»

30

 

15

50

0,05

10

4

10

10

1

50

1

125

73

ю

КД522А ',

30 _

 

40

100

1.5

10

4

10

10

1.1

100

2

85

73

10

КД522Б -и

50 ...

 

75-

ЮО

1.5

10

4

10

10

ъ

ЮО

5

85.

73»

10

 

30

 

0.5

КД808А

25

 

 

 

5

10

(10)

0,65

90

0,5

ЮО

346

 

 

18

50 .

0.1

1C

1

КД922А*

18

 

(0,1)

25

 

1

50

0.5

ЮО

 

КД922Б*

21

 

21

35

0,02

10

(0,1)

25

 

1

35

0,5

ЮО

Э4а

1

 

10

0.02

 

кдв^гв*

Ю

 

10

10

(0.1)

25

 

0,55

10

0 .5

ЮО

Э4а

1

 

100

0,2.

 

■докаа

14

г

Н

10

(0.1)

25

 

1

ЮО

5

100

76

1

 

 

 

ГГй

1.3.4. Диодные оборки

 

Предельны* значения параметров режима при

 

 

 

 

 

(обр,

 

 

 

Ти п при­

 

 

 

Т -2 5 » С

 

 

taoc,o6p.

 

 

linn

 

мкА

Тта х .

Mt па

Иав*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

бор*

 

 

 

 

 

 

 

 

(Unpg, и ).

 

(При

•С

сумка

тоеи-

 

Кобр, max

Н обр.итах,

Inpmax,

1пр, и тах .

tH, МКС

не

1пр (1п£,и),

Uo6p, и

 

Irtp. « А

Ц о б р .тп

 

тааь

 

В

 

В

мА (А )

А

 

 

(Uo6p),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В

 

 

 

 

 

 

КД901А-1

10

 

10

б

0.1

10

20

б

Ю

0,7

1

0 ,2

86

64а

13

КД901Б-1

10

 

10

б

0,1

10

20

б

ю

0,7

1

0.2

86

64*

13

 

 

КД901В-1

Ю

 

10

б

0,1

10

20

б

ю

0,7

1

0,2

86

64*

13

 

 

КДЭ01Г-1

10 .

 

10

б

0,1

10

20

б

ю

0,7

1

0 ,2

88

54н

13

КД904А-1

10

 

12

б

0,1

10

10

б

б

0 .8

1

0 .2

86

«4 а

13

 

 

КДЭ04Б-1

10

12

б

0,1

10

10

б

б

0 ,8

1

0 , 2 -

86

546

1*

КД904В-1

10

 

12

б

0,1

10

10

б

б

0,8

1

0.2

86

64а

18

 

 

КД904Г-1

10

 

12

б

0,1

10

10

б

б

0,8

1

0,2

88

б4г

И1

КД904Д-1

10

 

12

б

0,1'

10

10

б

б

. 0,8

1

0,2

86

64а

«&

КДВ04Е-1

10

 

12

б

0.1

10

10

б

б

0 ,8

1

0 .2

86

64г

13

КДЭЮА-1

 

 

б

 

0.01

 

б

б

б

0 .8

1

О.б

86

66а

13

КД9ЮБ-1

 

 

б

 

0,01

 

б

б

б

0 ,8

1

0,6

86

556

13

КД9ЮВ-1

 

 

б

 

0,01

 

б

б

б

0 ,8

1

0.6

86

бба

13

КДСЛ1А

900

 

 

200

3

ю

 

 

 

1,2

100

3

85

50а

1

КДСЛ1Б

300

 

 

200

3

10

 

 

 

1.2

100

3

85

506

1

КДСП1В

300

 

 

200

9

ю

 

 

 

1,2

ю о

3

86

50а

1

КДС52ЭАР

60

 

70

20

0,2

10

1

10

б

1

20

ю

100

48

1

КДС52ЭВР

50

 

70

20

0,2

10

1

ю

б

1

20

к»

ЮО

48

1

1.3.5. Диоды туннельные и обращенные

 

 

 

Переменные «мачемиа параметров режима

Рисунок

Ти п прибора

In. мА

Un (U np), мВ

при Т-26* С

 

 

 

 

Unpmax, мВ

Inpmax. мА

(обртах, мА

ЛИ НМЛ

1

160

600

 

 

АИ101Б

1

180

600

 

 

АИ101В

2

160

600

 

 

ЛИ101Д

2

160

600

 

 

АИ101Е

б

180

800

 

 

АИ101И

б

180

600

 

 

АИ201А

Ю

180

600

 

 

ЛИ 201В

10

180

600

 

 

А И 2 0 Г

20

200

500

 

 

АИ201Е

20

200

450

 

 

АИ201Ж

60

280

600

-

 

 

 

 

 

АИ201И

50

260

800

 

 

АИ201К

100

330

600

 

 

АИ201Л

100

330

600

 

 

АИЭ01А

2

180

 

1.2

 

АИ301Б

б

180

 

1.2

 

 

 

 

 

АИ301В

6

180

 

2.7

 

 

 

 

 

А И Э О Г

Ю

180

 

5.6

 

АИ4026

0.1

(600)

 

0,05

1

АИ402Г

0.1

(600)

 

0,05

1

АИ402Е

0,2

(800)

 

0,05

2

АИ402И

0 .4

(600)

 

0,05

4

ГИ103А

1.6

90

400

1.5

1,5

ГИЮЭб

1,6

90

400

1.6

1,5

ГИ103Б

1,6

90

400

1,5

1.5

П1103Г

1,7

80

400

1.5

1.5

ГИ401А

 

(33 0)

 

0 .3

4

ГИ401Б

 

(3 3 0 )

 

0 ,3

6 ,6

Тта х . *С

86

86

88

86

86

85

86

86

85

85

85

85

85

85

70

70

70

70

85

85

86

85

70

70

70___

70

70

70

М* рисунка

Иаготоеимяь

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4

4 ’

to

4

4

60

 

80

 

80

 

60

 

81

 

-

..... .. “ ‘

«1

 

to ЧАСТЬ 1

Ти п прибора

Unp, В

1пр,

 

 

КД304А1-1

 

3

КД30461-1

5,8 ...7 ,2

3

КДЗ0481-1

8 ,8 ...9 ,2

Э

К Д 3 0 4 Л -»

8.8...11,2

3

КД304Д1-1

10,8...13,2

3

ВД304Е1-1

128...15,2

3

КД304Ж1-1

14,8...20,2

3

КД304Ж 1-2

14,8 ...20,2

3

 

5 ,8 ...9 ,2

3

Ттж « 85®с

1.3.6. Преобразователи

Предельная наработка р<)жима

1обртая, мА

и, в

Р та х , м 8 т

 

3

35

100

э

35

100

3

35

100

3

39

100

3

3$

100

3

35

100

3

35

100

3

35

100

3

35

100

44

44

44

44

44

44

44

44

44

Соседние файлы в предмете Схемотехника ЭВМ