Информатика в техническом университете / Информатика в техническом университете. Компьютерная графика

2.1. Общие сведения об ЭВМ

рование содержимого кэш-памяти осуществляется аппаратными средствами без участия программы, которая, обращаясь к ОЗУ, фактически в большинстве случаев оперирует с информацией, выбранной из кэш-памяти. В связи с тем, что в современных компьютерах предъявляются очень высокие требования к быстродействию памяти, кэш-память часто имеет сложную многоуровневую (до трех уровней) структуру и размещается непосредственно на кристалле микропроцессора.

Объем памяти современных ЭВМ в зависимости от их класса достигает десятков гигабайт при времени выборки до нескольких наносекунд. Емкость внешней памяти, иногда называемая массовой, составляет десятки терабайт при времени выборки до нескольких миллисекунд.

По принципу действия запоминающих элементов (ЗЭ) ЗУ различают полупроводниковые, магнитные и оптические с неподвижными и подвижными ЗЭ и др. Для СОЗУ и ОЗУ в настоящее время используются полупроводниковые ЗУ, в качестве ВЗУ — оптические и магнитные ЗУ с подвижными ЗЭ.

По составу операций обращения к ЗУ различают:

•ЗУ, в которых возможны запись и чтение информации — RAM (Random Access Memory — память с произвольной выборкой), так как обращение к этой памяти возможно в любой момент времени к произвольно выбранной ячейке;

•постоянные, в них возможно только чтение информации — ROM (Read Only Memory). Постоянные ЗУ делят на программируемые (PROM — Programmable Read Only Memory), в которых возможна только однократная запись информации, и перепрограммируемые (EPROM — Erasable Programmable Read Only Memory), в которых возможна многократная перезапись информации, хотя и с очень малой скоростью.

По организации доступа к информации различают:

•ЗУ с произвольным (прямым или циклическим) доступом — СОЗУ, ОЗУ и накопители на магнитных дисках (НМД). В них время поиска информации не зависит или слабо зависит от расположения информации;

•ЗУ с последовательным доступом. Время поиска информации в них определяется расположением информации на носителе, как, например, в накопителях на магнитной ленте (НМЛ). При обращении к ЗУ одновременно выдается определенное количество двоичных разрядов, называемое шириной выборки.

По способу размещения и поиска информации ЗУ бывают:

•адресные — где каждой единице информации (байт или слово), хранимой

вЗУ, соответствует некоторый код, однозначно определяющий ее местоположение в памяти;

•безадресные — где поиск информации осуществляется не по адресу, а по другим признакам.

Среди безадресных наиболее распространены ЗУ двух типов:

1)стек (стековая память) — информация записывается и считывается через одну и ту же ячейку одномерной области памяти (вершину стека). По мере записи или считывания слова содержимое стека сдвигается. Считывание информа-

95

2. Технические средства компьютерной графики

ции подчиняется следующему правилу: первым читается последнее записанное слово. Это позволяет использовать стек для запоминания состояния процессора при обработке прерываний;

2) ассоциативная память — поиск информации осуществляется одновременно во всех ячейках памяти по ее содержимому (ассоциативному признаку). Это позволяет в некоторых случаях существенно ускорить поиск и обработку данных.

В зависимости от организации обращений к ЗУ в современных ЭВМ применяются:

•одновходовые моноблочные ЗУ, адресация в которых идет последовательно, начиная с нулевого адреса (в любой момент времени обслуживается только одно обращение к ОЗУ);

•одновходовые многоблочные ЗУ (секционные, с расслоением), в которых память разбивается на блоки, способные работать одновременно и независимо друг от друга (допускается совмещение обращений к разным блокам ОЗУ во времени);

•многовходовые многоблочные ЗУ, в которых допускается несколько одновременных обращений к одному блоку.

Основная оперативная память. Оперативную память обычно относят к центральным устройствам ЭВМ как неотъемлемую часть любой вычислительной машины.

Запоминающее устройство для хранения программ и данных было названо оперативным, поскольку оно позволяет не только хранить информацию, но и оперативно ее изменять — сравнительно быстро выполняет операции считывания и записи.

В отличие от постоянных запоминающих устройств, хранящих однажды записанную в них информацию, работающих только на считывание, ОП может работать как на считывание, так и на запись. Накопители на магнитных дисках и магнитных лентах также позволяют записывать и считывать информацию, но их не относят к ОП в связи с низкой скоростью работы, не пригодной для оперативной работы процессора.

Вычислительную машину можно определить как устройство, изменяющее состояние памяти, переводящее ее из одного состояния в другое. В этом смысле память можно считать главным объектом работы вычислительной машины.

Существует несколько абстрактных определений памяти, связанных с теорией алгоритмов, в которых память рассматривается как структурированное множество слов некоторого алфавита. Память реального процессора также представляет собой конечное строго упорядоченное множество слов одинаковой длины над двоичным алфавитом. Порядковый номер слова называется его адресом. Соответственно, говоря об адресном пространстве, имеют в виду число слов в памяти. Употребляют термин «разрядность адреса», понимая под этим число двоичных разрядов, необходимых для двоичного представления номера самого большого адреса.

96

2.1. Общие сведения об ЭВМ

Объем памяти в современных машинах измеряется числом байтов, размещенных в ней. Иногда объем памяти измеряется в словах, содержащих несколько байтов. В настоящее время принято называть 2-байтовую последовательность полусловом, 4-байтовую последовательность — словом, 8-байтовую последовательность — двойным словом.

Особенности функционирования памяти в мультипрограммных ВС.

Для реализации мультипрограммного режима в ВС необходимы защита памяти от несанкционированного доступа и динамическое распределение памяти между программами. Эти проблемы решаются совместно аппаратными и программными средствами. Для повышения быстродействия памяти стремятся максимально использовать аппаратные средства.

Более сложной является проблема динамического распределения памяти для повышения эффективности использования ОП при размещении в ней нескольких программ. Цель различных способов динамического распределения памяти — уменьшение фрагментации (появление несвязанных неиспользуемых участков) ОП и предоставления всем активным программам всего прямоадресуемого пространства. Наиболее эффективно динамическое распределение памяти осуществляется в системах виртуальной памяти со страничной организацией. Виртуальная память — способ организации памяти, при котором каждой активной программе предоставляется все прямоадресуемое пространство памяти независимо от размеров имеющейся физической памяти.

Все поле памяти, а также программы и данные при страничной организации разбиваются на части фиксированного размера — страницы. Программы и данные разбиваются на математические страницы, а поле памяти — на физические страницы. Размер страницы в различных ЭВМ изменяется от 512 до 4096 байт. Преобразование математического адреса в физический осуществляется непосредственно при обращении к памяти совместно аппаратными и программными средствами.

Требования к объему и быстродействию ОП и кэш-памяти растут практически непрерывно по мере развития аппаратных и программных средств. Сегодня даже в персональных ЭВМ оперативная память имеет емкость от сотен мегабайт до нескольких гигабайт.

ЗУ, используемые для реализации ОП и кэш-памяти в компьютере, относятся к типу памяти RAM (память с произвольной выборкой), поскольку обращение происходит в любой момент времени к произвольно выбранной ячейке. Память этого класса подразделяется на два типа — память с динамической (Dynamic RAM, DRAM) и статической (Static RAM, SRAM) выборкой. В первом случае значение бита информации в ячейке определяется наличием или отсутствием заряда на микроконденсаторе (управляемом одним-двумя транзисторами). В статической памяти в качестве ЗЭ используются триггеры (имеющие два устойчивых состояния), реализованные на четырех-шести транзисторах. Однако в связи с особенностями функционирования быстродействие DRAM ниже, а емкость больше. Вследствие большего числа транзисторов на ячейку и соответственно меньшей емкости при одинаковой площади кристалла память SRAM cy-

97

2. Технические средства компьютерной графики

щественно дороже. Обычно модули DRAM применяют в ОП и видеопамяти, а модули SRAM — в кэш-памяти.

Память DRAM отличается наибольшим разнообразием в технической реализации. Среди основных вариантов можно отметить следующие:

•синхронная динамическая память DRAM (Synchronous DRAM — SDRAM);

•модули памяти фирмы Rambus (Rambus DRAM — RDRAM);

•память, способная передавать два слова за такт, считывая сигнал по фронту и спаду, получила название DDR (Double Data Rate — с удвоением потока данных);

•память DDR2, способная передавать четыре слова за такт. DDR3 способна передавать восемь слов за такт.

Синхронная динамическая память (SDRAM). Согласно спецификации SDRAM, все команды и обмен данными по шине памяти проходят синхронно с тактовыми импульсами шины процессора. Поэтому все циклы внутри операции имеют одинаковую продолжительность. Помимо этого стандарт синхронной памяти определяет параметры работы с банками памяти и режимы пакетной передачи данных. Дополнительно введен так называемый регистр режима, выставляемый при подаче питания на модуль памяти. В ходе работы с его помощью могут меняться параметры пакетного режима (последовательный или с чередованием), размеры пакетов (от одноразрядного до полностраничного) и величина задержки CAS (измеряемая в тактах). При этом величина задержки CAS определяется как время, необходимое для стробирования адресной строки и активации банка памяти.

Ячейки в динамической памяти образуют так называемую матрицу, состоящую из строк и столбцов. При считывании данных содержимое одной строки (строка считается страницей — page) целиком переносится в буфер (на элементах статической памяти). После этого в строке считывается значение (0 или 1) нужной ячейки и содержимое буфера вновь записывается в прежнюю строку динамической памяти (операция перезарядки — precharge). Такие переносы данных осуществляются изменением состояния конденсаторов ячеек, т. е. происходит процесс заряда (или разряда). Для исключения потери данных периодически проводятся циклы регенерации с определенной частотой (refresh rate), которые обычно инициируются специализированными микросхемами. В современных модулях используют циклы регенерации, именуемые 1К, 2К или 4К, что означает число строк (в тысячах), обновляемых за один такт.

Ранее практически повсеместно в модулях памяти применялся контроль четности с целью проверки достоверности информации. Для этого при записи байта вычисляется сумма по модулю 2 всех информационных разрядов и результат записывается как дополнительный контрольный разряд. При чтении байта снова вычисляется контрольный разряд и сравнивается с полученным ранее.

Обнаружение и исправление ошибок (ЕСС — Error Checking and Correction) — специальный алгоритм, который заменил контроль четности в современных мо-

98

2. /. Общие сведения об ЭВМ

дулях памяти. Каждый бит данных включается более чем в одну контрольную сумму, поэтому при возникновении в нем ошибки можно восстановить адрес и исправить разряд с ошибкой. При сбое в двух и более разрядах ошибка лишь фиксируется, но не исправляется.

Для адресации ячеек памяти используют особенности матричной структуры. Полный адрес ячейки состоит из адресов строки и столбца. Для считывания (записи) информации на микросхему сначала подается сигнал RAS (Row Adress Strobe), импульс строба строк, а затем (одновременно или с небольшой задержкой) — код адреса строки. После этого через нормируемое время задержки должен быть подан код адреса столбца, перед которым проходит сигнал CAS (Column Adress Strobe) — импульс строба столбцов. Под временем выборки микросхемы подразумевают промежуток между сигналами RAS. Следующее обращение к памяти возможно только через некоторое время, необходимое для восстановления внутренних цепей. Этот промежуток называют временем перезарядки, причем оно составляет почти 90 % общего времени выборки. Данные из ячеек через усилители поступают в регистр микросхемы, откуда они становятся доступными после открытия линии DOUT (Data OUT). При операциях записи данные поступают по линии DIN (Data IN), а цикл выполняется в обратном порядке.

Любое системное устройство, обладающее правом прямого доступа к памяти (по одному из каналов DMA — Direct Memory Acces), при необходимости посылает запрос, содержащий адрес и размер блока данных, а также управляющие сигналы. Поскольку доступ к памяти по каналам DMA одновременно могут иметь несколько устройств (например, процессор, видеокарта с интерфейсом AGP, контроллер шины PCI, жесткий диск), образуется очередь запросов, хотя каждому потребителю ресурсов памяти требуются собственные данные, часто расположенные не только в разных микросхемах, но и в разных банках памяти. Вследствие этого возникают значительные задержки при чте- нии-записи данных.

Под банком памяти понимается:

•группа модулей асинхронной памяти одинаковой емкости, которая должна быть установлена одновременно, чтобы занять всю ширину шины данных (иначе система не будет работать);

•микросхема (или группа) на модуле асинхронной (DRAM) или синхронной (SDRAM) памяти, занимающих всю ширину шины данных.

Впервом случае модули DRAM (SIMM) имеют половинную ширину шины данных и их необходимо устанавливать попарно. Во втором случае на одном модуле SDRAM (DIMM) монтируется несколько комплектов микросхем, каждый из которых имеет полную ширину шины данных. На модуле образуется два (обычно для SIMM), четыре (обычно для DIMM) или более банков, доступ к которым происходит независимо. В связи с тем что ширина шины данных в памяти типа RDRAM существенно меньше (например, в модулях РС600 и РС800 — 16 бит), микросхема емкостью 128 Мбит разбита на 32 банка памяти. Таким образом, двухканальный вариант RDRAM имеет 64 банка памяти.

99

2.Технические средства компьютерной графики

Всинхронной памяти (SDRAM) для запуска сигналов стробирования используется внешний импульс от шины памяти, поступающий с той же частотой, на которой она работает. Поэтому вместо указания времени стробирования в наносекундах (типовые значения — 12, 10, 8, 7 и 6 не) для модулей SDRAM ука-

зывают максимально допустимую рабочую частоту в мегагерцах, например PC 100 или PC 133. Для памяти DDR SDRAM принято указывать частоту считывания данных: например, при физической частоте 200 МГц память маркируется как DDR400. Такой же принцип реализован в маркировке памяти Rambus: РС800, РСЮббит. д.

Важным параметром скорости работы памяти является величина CL (CAS Latency) — время задержки (измеряемое в тактах шины памяти), протекающее от подачи сигнала CAS до начала пересылки данных. Для памяти SDRAM типовые значения равны CL3 и CL2, для памяти DDR значения могут иметь дробный характер, например CL2.5. Это объясняется тем, что в DDR-технологии один такт синхросигнала условно разбивается на два тика (tick), длительность которых составляет половину цикла (полупериод). Следовательно, передача данных может начаться на половине такта.

Время пересылки данных обычно записывают в следующем виде: 6-2-2-2 (измеряют в тактах микропроцессора). Это означает, что на первую пересылку данных из произвольной ячейки памяти потребовалось 6 тактов шины, а на все последующие ячейки — по 2. Так, для памяти DDR2-8OO стандартом определены три варианта задержек: 6-6-6; 5-5-5; 4-4-4.

Стандарты на память устанавливаются ассоциацией JEDEC, объединяющей большинство компаний, действующих в этой области. Конкретная спецификация устанавливает набор требований к модулям памяти для гарантированного обеспечения их работы в требуемых условиях. Жестко регламентирована длина проводников в модуле памяти, длина пути тактового импульса и его временные параметры, определена ширина дорожек и расстояния между ними, электрические и другие параметры. Часто оговариваются прочие технологические требования: обязательность применения согласующих сопротивлений (терминаторов); позолоченных контактов и т. д.

К началу 2006 г. для памяти DDR2 были приняты спецификации DDR2-400, DDR2-533, DDR2-667 и DDR2-800, где цифры обозначают частоту передачи данных, при которой гарантирована работоспособность. Для модулей памяти DDR и DDR2 принято обозначать спецификацию по частоте передачи данных (например, DDR2-400 или DDR-333) или по пропускной способности — РС3200, РС2700 (измеряется в Мбайт/с). Хотя компания Rambus сама устанавливает спецификации на свою память, она придерживается принципов обозначения, принятых для DDR (частота или пропускная способность).

Память типа DDR SDRAM обеспечивает максимальную (пиковую) полосу пропускания только в случае передачи единых массивов данных. При работе с разрозненными данными производительность резко падает. Переход на более жесткие технологические нормы позволяет увеличить частоту работы памяти до

100

2. /. Общие сведения об ЭВМ

200 МГц (DDR-400), что обеспечивает пиковую пропускную способность 3200 Мбайт/с или для DDR2-800 — пропускную способность 6400 Мбайт/с при двухканальном варианте. Кроме того, в зависимости от используемого чипсета память DDR и DDR2 может работать как в одноканальном, так и двухканальном режиме. Несмотря на повсеместный переход на память DDR2, память стандарта DDR по-прежнему успешно продолжает сосуществовать с DDR2.

Модули DDR и DDR2 выполнены в тех же размерах, что и DIMM, но имеют 184 контакта, один ключ (вырез в нижней части платы) и рассчитаны на напряжение питания 2,5 В. Таким образом, с существующими разъемами DIMM они не совместимы. Модули памяти типа DDR2 производятся в новом форм-факторе в виде 240-контактных модулей DIMM, электрически не совместимых со слотами для модулей памяти типа DDR (по количеству выводов, расстоянию между выводами и цоколевке модулей). Таким образом, стандарт DDR2 не предусматривает обратной совместимости с модулем DDR.

Память типа DDR и DDR2 широко используют производители видеокарт. За счет иной корпусировки микросхем и отбора кристаллов они ставят на видеокартах более скоростную память (с частотой синхронизации до 400 МГц!). Видеопамять принято классифицировать и маркировать по минимально допустимому времени выборки данных, измеряемому в наносекундах.

Технология Rambus DRAM. Технология Rambus DRAM предусматривает совершенно новый подход к построению архитектуры подсистемы памяти. Вопервых, разработан специальный интерфейс Rambus для подключения модулей памяти к контроллеру. Во-вторых, модули памяти соединены с контроллером специальными каналами с шириной шины данных 18 (16+2) бит и шины управления — 8 бит. В-третьих, разработаны новые модули памяти RIMM.

Каждый канал Rambus способен поддерживать до 32 банков и теоретически может работать на частоте до 800 МГц. Рабочая частота канала задается собственным генератором подсистемы памяти. К контроллеру можно подключить несколько каналов Rambus. Сам контроллер работает на частоте до 200 МГц, которая определяется уже частотой системной шины. Данные передаются по обоим фронтам сигнала, что удваивает скорость обмена. При подключении к контроллеру двух каналов пропускная способность шины памяти дополнительно удваивается.

На практике реальная пропускная способность RDRAM существенно ниже расчетных значений. Тем не менее в сочетании с чипсетом Intel 850 память RDRAM показывает наилучшую эффективность по сравнению с другими типами памяти, в том числе DDR SDRAM. Для сложных задач, связанных с обработкой больших массивов данных, память RDRAM вполне отвечает своему назначению.

Подсистема ввода-вывода. Потенциальные возможности и эффективность ВС во многом определяются подсистемой ввода-вывода. Традиционно в течение многих лет в высокопроизводительных компьютерах подсистема ввода-вывода базировалась на специализированном процессоре с собственной системой команд, который управлял всей подсистемой ввода-вывода компьютера. Помимо

101

2. Технические средства компьютерной графики

процессора подсистема ввода-вывода содержала несколько каналов вводавывода, различающихся параметрами и режимами работы с периферийными устройствами. Наличие различных каналов ввода-вывода позволяло реализовать большой набор интерфейсов, обслуживающих большое число практически любых периферийных устройств.

На программном уровне процессор ввода-вывода управлялся специальными канальными программами, написанными в кодах команд процессора вводавывода и включенными в состав операционной системы. Такая организация подсистемы ввода-вывода была достаточно эффективной и гибкой, что позволило ей с некоторыми изменениями сохраниться до настоящего времени в компьютерах высокой производительности и суперкомпьютерах с малой степенью параллелизма. В многопроцессорных суперкомпьютерах с массовым параллелизмом выделяется от одного до нескольких процессоров специально для организации подсистемы ввода-вывода.

Для рабочих станций и персональных ЭВМ такая организация подсистемы ввода-вывода была слишком громоздкой и отсутствовала необходимость в такой сложной организации подсистемы. В то же время использование подсистемы ввода-вывода на базе общей шины ввода-вывода, как в первых персональных ЭВМ, было малоэффективным и бесперспективным. Поэтому в результате достаточно длительного и сложного пути развития сложилась современная организация подсистемы ввода-вывода персональных ЭВМ и рабочих станций, в той или иной степени отвечающая предъявляемым к ней требованиям и допускающая ее развитие и совершенствование.

На первом этапе отказались от специальных канальных программ или специальных модулей ОС и перешли к использованию системы BIOS (Basic Input Output System) — базовой системы ввода-вывода, размещаемой на системной плате. Так называют аппаратно встроенное в компьютер программное обеспечение, которое доступно без обращения к диску. В микросхеме BIOS содержится программный код, необходимый для управления клавиатурой, видеокартой, дисками, портами и другими компонентами. BIOS использовалась уже в первых персональных ЭВМ.

Обычно BIOS размещалась в микросхеме ПЗУ (ROM, Read-Only Memory), расположенной на системной плате компьютера (этот узел часто называют ROM BIOS). Такая технология позволяет обеспечить постоянную доступность BIOS независимо от работоспособности внешних по отношению к системной плате компонентов (например, загрузочных дисков). Поскольку доступ к RAM (ОП) осуществляется значительно быстрее, чем к ROM, многие изготовители предусматривают при включении питания автоматическое копирование BIOS из ROM в ОП. Задействованная при этом область ОП называется теневым ПЗУ (Shadow ROM).

В микросхемах BIOS используют различные типы памяти для хранения программного кода PROM. Отличие PROM от ROM состоит в том, что в ROM данные заносятся в процессе производства, а в PROM можно записывать данные с помощью устройств, называемых программаторами. EPROM — специальный

102

2. /. Общие сведения об ЭВМ

тип PROM, которая может очищаться с использованием ультрафиолетовых лучей и перезаписываться. Память типа EEPROM похожа на EPROM, но операции стирания-записи выполняются при помощи электрических сигналов.

Большинство современных системных плат комплектуется микросхемами Flash BIOS, код в которых перезаписывается при помощи специальной программы. Такой подход облегчает модернизацию BIOS при появлении новых компонентов, которым нужно обеспечить поддержку (например, новейших типов микросхем оперативной памяти). Современные типы BIOS, поддерживающие технологию Plug-and-Play, называют PnP BIOS, при этом поддержка технологии РпР обеспечивается только микросхемами Flash ROM. Полная поддержка технологии Plug-and-Play со стороны ОС Windows возможна только в случае применения PnP BIOS.

На втором этапе была предложена организация подключения всех устройств компьютера к процессору по внешней шине процессора (FSB) через специальный набор микросхем системной логики, установленный на системной (материнской) плате и часто называемый Chip Set (чипсет). Он обеспечивает работу процессора, системной шины, интерфейсов взаимодействия с ОП и другими компонентами компьютера. Очевидно, что главной проблемой на современном этапе является необходимость поддержки напрямую множества несовместимых интерфейсов.

Начнем с того, что системная шина (соединяющая процессор и контроллер памяти) и прочие интерфейсы являются асинхронными. Они не согласованы ни по характеру сигналов, ни по тактовой частоте, ни по пропускной способности. Для увязки данных и приведения их к удобной для обмена форме требуются операции преобразования и кэширования, реализуемые в специальных блоках чипсета. Сколько необходимо таких стыковочных блоков? Как минимум, шесть только для основных интерфейсов. Если же добавить сюда мост ISA-PCI, сетевой контроллер IEEE 1394, то число стыковочных блоков приблизится к десяти.

Структурная схема системной логики (на примере современного чипсета Intel 945G для процессоров Pentium 4) показана на рис. 2.15.

Многие предшествующие системные наборы включали две базовые микросхемы, которые в англоязычной компьютерной литературе принято называть соответственно North Bridge (северный мост) и South Bridge (южный мост). Северный мост обычно обеспечивал управление графической шиной AGP, шиной системной памяти, шиной PCI и взаимодействие с системной шиной процессора AGTL+. Южный мост управлял интерфейсами IDE, USB, ACPI, IEEE 1394, включал мост ISA-PCI, контроллеры клавиатуры, мыши, FDD. Северный мост подключался непосредственно к внешней шине процессора, а между собой мосты соединялись шиной РС1 или другим более быстрым интерфейсом. Существовали чипсеты, содержащие встроенные видео- и звуковые контроллеры (например, Intel 810, nVidia nForce).

Современные системные наборы построены аналогично, но используют другие интерфейсы, обеспечивают больший набор функций, работают с новейшими

103

2. Технические средства компьютерной графики

Рис. 2.15. Схема системной логики на основе чипсета Intel 945G

моделями устройств ЭВМ и содержат различные встроенные контроллеры аудио, видео и другие средства. В качестве примера можно привести характеристики линейки чипсетов компании Intel i945 Express, предназначенной для работы с двухъядерными процессорами Intel, структурная схема которой приведена на рис. 2.15.

Северный мост 945G:

•поддержка процессоров Intel Celeron D, Pentium 4, Pentium 4 Extreme Edition, Pentium D и Pentium Extreme Edition с частотой системной шины 533/800/1066 МГц;

•двухканальный контроллер памяти DDR2-400/533/667 с поддержкой до четырех модулей DIMM без ЕСС общим объемом до 4 ГБ;

•графический интерфейс РС1Ех16;

•интегрированное графическое ядро GMA 950.

104