- •Введение.
- •Устройство и принцип действия полупроводникового фотоэлемента. Физический эффект работы.
- •Рабочие характеристики и параметры.
- •Материалы.
- •Перспективы развития фотоэлектрических преобразователей.
- •Космические фотоэлектрические преобразователи и солнечные батареи.
- •Преимущества гетероструктурных фэп и сб
- •Фэп на инородных подложках
- •Тонкопленочные фэп
- •Радиационная стойкость
- •Оглавление
Рабочие характеристики и параметры.
Эксплуатационные характеристики ФЭ и их батарей – ФЭП – в неявном виде описывают функцией F(Uн, I, Ф, T)=0. Конкретизируем отдельные зависимости в явной форме. Если решить I=Iи-I0[exp(αU/A-1] относительно U, можно получить выражение внешней характеристики ФЭ по рис. 2. С учетом влияния Rв находим: Uн=U-IRв=A/α*ln[(Iф-I)/I0+1]-IRв.
П
ри
холостом ходеI=0,
кроме того, Iф/I0»1,
поэтому ЭДС U0=U≈(A/α)ln(Iф/I0)
возрастает логарифмически с ростом
тока Iф,
который линейно зависит от Ф.
Характеристика холостого хода U0=U0(Ф)
при I=0,
T=const
представлена на рис. 3.плотность тока,
доля Iф
на единицу площади лицевой поверхности
ФЭ). Нагрузочная характеристика Uн=Uн(Ф)
при I=const
также показана на рис. 3.
Характеристика «вход-выход» ФЭ I=I(Ф) при Rн=const имеет аналог (рис. 3) Iуд=Iуд(Ф) при Rн=const(Iуд=I/q). Зависимость Ф=Ф(I) при Uн=const, снимаемую для диапазона Iдоп<Iф (рис. 4), назовем регулировочной характеристикой. Варьирование Ф при солнечном освещении достигается изменением угла θ между направлением Ф и плоскостью q.
Графики Uн=Uн(I)
при различных значениях Т
и Ф=const
(рис 5) и Uн=Uн(Iуд)
при различных значениях Ф
и Т=const
(рис. 6) демонстрируют влияние параметров
Т
и Ф
на внешние характеристики кремниевого
ФЭ. Фототок Iф
мало зависит от Т,
частичное снижение U
обусловлено ростом неупорядоченности
движения зарядов при увеличении Т.
Ток насыщения I0
возрастает с повышением Т
(тепловая
радиация), поэтому U0
и U
уменьшаются. Температурный коэффициент
напряжения ku=dU/dT≈-1.5·10-3
В/К
отр
ицателен.
Принципиально в ФЭП могут иметь место
термоэлектрические эффекты, но
количественно они пренебрежимо малы.
Полезная электрическая мощность ФЭ составляет P=UнI=UI-I2Rв. КПД преобразования световой мощности Pc в Р равен η=P/Pc=(UI-I2Rв)/qФ=UнI/qФ. Если Ф=const, максимум η=ηm получается при наибольшей величине P=Pm=UmIm, измеряемой площадью 0UmmIm (см. рис. 7). Сопротивление Rнm=Um/Im определяет угол βm=arctg(RнmmI/mU) наклона ВАХ Uн=IRнm, причем mI, mU – масштабы I и U на осях рис. 7. Согласование характеристик ФЭ и нагрузки с целью получения наибольших энергетических показателей Pm и ηm можно производить на основе опыта или расчетным путем.

Например, для ФЭ с током КЗ Iф=30мА, током насыщения I0=1.5мкА мощность составит Pm=UmIm=10.7мВт. Для Ф=103 Вт/м2 и q=1 см2=10-4 м2 наибольший КПД ηm=Pm/(qФ)=0.107, а наибольшая удельная мощность Pm=Pm/q=107 Вт/м2. На КПД ФЭ и ФЭП существенно влияет спектральный состав света. Спектр света Солнца зависит и от температуры Т ФЭП. Всегда η<ηТ (ηТ=1-(T2/T1) – термический КПД цикла Карно). Примем температура наружной поверхности Солнца Тс≈5800 К. Эквивалентная температура абсолютно черного излучателя, с рабочей частью солнечного излучения, составляет Тф≈1000 К (предполагается, что вся остальная часть спектра абсолютно черного тела отражается обратно к излучателю). Следовательно, при Т1=Тф и нормальной температуре ФЭП Т2=Т=300 К ηТ=1-(Т/ТФ)=0.7. Практически для ФЭП η<0.4. Известно также, что длительное радиационное облучение на КЛА приводит к старению материала ФЭ, возрастанию крутизны спада внешних характеристик и ухудшению КПД ФЭП.
