
- •31) Логический элемент и-не
- •32) Логический элемент или-не
- •33) Логический элемент исключающее или
- •37) Сведениями о параметрах и характеристиках транзисторов.
- •38) Сведениями о принципиальных электрических схемах усилителей.
- •7)Электронный полупроводник «n»-типа
- •8) Электронный полупроводник «p»-типа
- •9)Электронно-дырочный переход
- •14) Сведениями о меза-диоде
- •15) Сведениями об импульсных диодах.
- •21) Сведениями об импульсном режиме транзисторов.
- •2)Внутренняя структура полупроводника
- •3)Ковалентные связи атомов в кристалле полупроводника
- •13) Прохождение тока через электронно-дырочный переход
- •14) Вольтамперная характеристика «p-n» перехода
- •15) Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •10) Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •11) Электронно-дырочный переход при действии прямого напряжения
- •12) Электронно-дырочный переход при действии обратного напряжения
- •Характеристика
- •25) Сведениями о фототранзисторе
- •27) Сведениями об униполярных транзисторах
- •36) Сведениями об электронных усилителях.
- •25) Униполярные транзисторы
- •26) Схемы включения полевых транзисторов
- •27) Диодный и триодный тиристоры
27) Диодный и триодный тиристоры
Тиристором
называют полупроводниковый прибор с
тремя (или более) p-n-переходами,
вольт-амперная характеристика которого
имеет участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением и
который используется для коммутаций в
электрических цепях.
Простейшим тиристором с двумя выводами является диодный тиристор. Триодный тиристор имеет дополнительно третий электрод. Как диодный так и триодный тиристоры имеют четырехслойную структуру с тремя р–n-переходами (рис. 1).
Крайние области р1 и n2
называются анодом и катодом, соответственно,
с одной из средних областей р2 или n1
соединен управляющий электрод. Переход
П2 является общим коллекторным переходом
обоих транзисторов в схеме замещения,
а переходы П1 и П3 – эмиттерными переходами.
При повышении прямого напряжения Uпр
ток тиристора увеличивается незначительно
до тех пор, пока напряжение Uпр не
приблизится к некоторому критическому
значению напряжения пробоя, равному
напряжению включения Uвкл (рис.2).
При дальнейшем повышении напряжения Uпр под влиянием нарастающего электрического поля в переходе П2 происходит резкое увеличение количества носителей заряда. В результате ток в переходе быстро нарастает, так как электроны из слоя n2 и дырки из слоя р1 устремляются в слои р2 иn1 и насыщают их неосновными носителями заряда. При дальнейшем увеличении ЭДС источника Е или уменьшения сопротивления резистора R ток в приборе нарастает в соответствии с вертикальным участком ВАХ (рис.2)
Минимальный прямой ток, при котором тиристор остается во включенном состоянии называется током удержания Iуд. При уменьшении прямого тока до значения Iпр< Iуд высокое сопротивление перехода восстанавливается и происходит выключение тиристора.
Важным параметром триодного тиристора является отпирающий ток управления Iу вкл – ток управляющего электрода, который обеспечивает переключение тиристора в открытое состояние.