Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
вопросы все.doc
Скачиваний:
58
Добавлен:
28.03.2016
Размер:
993 Кб
Скачать
☆

12) Электронно-дырочный переход при действии обратного напряжения

Обратным напряжением (Uобр) называют внешнее напряжение, полярность которого совпадает с полярностью контактной разности потенциалов; оно приложено плюсом к n-области, а минусом – к р-области (рис. 2.3, а). При этом потенциальный барьер возрастает; он численно равен сумме внутреннего и внешнего напряжений (рис. 2.3, б):

=Uк+Uобр.

Повышение потенциального барьера препятствует диффузии основных носителей заряда через p-n-переход, и она уменьшается, а при некотором значении Uобр совсем прекращается.Соответственно расширяется слой, обедненный носителями заряда, и расширяется p-n-переход, причем его сопротивление возрастает.Внутреннее электрическое поле в p-n-переходе, соответствующее возросшему потенциальному барьеру, способствует движению через переход неосновных носителей заряда. При приближении их к p-n-переходу электрическое поле захватывает их и переносит через p-n переход в область с противоположным типом электропроводности: электроны из р-области в n-область, а дырки – из n-области в р-область.Ток, протекающий через p-n-переход при обратном напряжении, называют обратным током (Iобр)..Обратный ток по характеру является дрейфовым тепловым током(Iобр =Iт), который не зависит от обратного напряжения. .Процесс захватывания электрическим полем p-n-перехода неосновных носителей заряда и переноса их при обратном напряжении через p-n-переход в область с противоположным типом электропроводности называют экстракцией.

Уход неосновных носителей заряда в результате экстракции приводит к снижению их концентраций в данной области около границы p-n-перехода практически до нуля. Это вызывает диффузию неосновных носителей заряда из глубины области в направлении к p-n-переходу, что компенсирует убыль неосновных носителей, ушедших в другую область. Движение неосновных носителей заряда к p-n-переходу создает электрический ток в объеме полупроводника. Компенсация убыли электронов в объеме полупроводника p-типа происходит за счет пополнения их из внешней цепи от минуса источника питания. Это вызывает прохождение электрического тока во внешней цепи.

28.Логический элемент И-

По другому, его зовут «конъюнктор».

Единица на выходе схемы И будет тогда и только тогда, когда на всех входах будут единицы. Когда хотя бы на одном входе будет нуль, на выходе также будет нуль.

29.Логический элемент ИЛИ-

По другому, его зовут «дизъюнктор»

Когда хотя бы на одном входе схемы ИЛИ будет единица, на ее выходе также будет единица.

Знак «1» на схеме — от устаревшего обозначения дизъюнкции как «>=!» (т.е. значение дизъюнкции равно единице, если сумма значений операндов больше или равна 1). Связь между выходом z этой схемы и входами х и у описывается соотношением z = х или у

30.Логический элемент НЕ-

Чаще, его называют «инвертор».

Связь между входом х этой схемы и выходом z можно записать соотношением Z = Х, где х читается как «не х» или «инверсия.

Если на входе схемы 0, то на выходе 1. Когда на входе 1 на выходе 0.

16 Варикап - это разновидность полупроводникового диода, который изменяет свою ёмкость пропорционально величине приложенного обратного напряжения от единиц до сотен пикофарад.

Варикапы применяют в основном в тех устройствах где требуется изменение емкости. Наиболее частое применение у варикапов- это использование их в качестве регулируемых конденсаторов в колебательных контурах. Изменяя приложенное к нему напряжение можно управлять емкостью варикапа и следовательно менять резонансную частоту колебательного контура. Поэтому варикапы чаще всего применяют в радиоприемных устройствах: тюнерах телевизоров или радиоприемников.