- •31) Логический элемент и-не
- •32) Логический элемент или-не
- •33) Логический элемент исключающее или
- •37) Сведениями о параметрах и характеристиках транзисторов.
- •38) Сведениями о принципиальных электрических схемах усилителей.
- •7)Электронный полупроводник «n»-типа
- •8) Электронный полупроводник «p»-типа
- •9)Электронно-дырочный переход
- •15) Сведениями об импульсных диодах.
- •21) Сведениями об импульсном режиме транзисторов.
- •14) Сведениями о меза-диоде
- •2)Внутренняя структура полупроводника
- •3)Ковалентные связи атомов в кристалле полупроводника
- •13) Прохождение тока через электронно-дырочный переход
- •14) Вольтамперная характеристика «p-n» перехода
- •15) Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •10) Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •11) Электронно-дырочный переход при действии прямого напряжения
- •12) Электронно-дырочный переход при действии обратного напряжения
- •Характеристика
- •25) Сведениями о фототранзисторе
- •27) Сведениями об униполярных транзисторах
- •36) Сведениями об электронных усилителях.
- •25) Униполярные транзисторы
- •26) Схемы включения полевых транзисторов
- •27) Диодный и триодный тиристоры
12) Электронно-дырочный переход при действии обратного напряжения
Обратным напряжением (Uобр) называют внешнее напряжение, полярность которого совпадает с полярностью контактной разности потенциалов; оно приложено плюсом к n-области, а минусом – к р-области (рис. 2.3, а). При этом потенциальный барьер возрастает; он численно равен сумме внутреннего и внешнего напряжений (рис. 2.3, б):
=
Uк+Uобр.
Повышение потенциального барьера препятствует диффузии основных носителей заряда через p-n-переход, и она уменьшается, а при некотором значении Uобр совсем прекращается.Соответственно расширяется слой, обедненный носителями заряда, и расширяется p-n-переход, причем его сопротивление возрастает.Внутреннее электрическое поле в p-n-переходе, соответствующее возросшему потенциальному барьеру, способствует движению через переход неосновных носителей заряда. При приближении их к p-n-переходу электрическое поле захватывает их и переносит через p-n переход в область с противоположным типом электропроводности: электроны из р-области в n-область, а дырки – из n-области в р-область.Ток, протекающий через p-n-переход при обратном напряжении, называют обратным током (Iобр)..Обратный ток по характеру является дрейфовым тепловым током(Iобр =Iт), который не зависит от обратного напряжения. .Процесс захватывания электрическим полем p-n-перехода неосновных носителей заряда и переноса их при обратном напряжении через p-n-переход в область с противоположным типом электропроводности называют экстракцией.
Уход неосновных носителей заряда в результате экстракции приводит к снижению их концентраций в данной области около границы p-n-перехода практически до нуля. Это вызывает диффузию неосновных носителей заряда из глубины области в направлении к p-n-переходу, что компенсирует убыль неосновных носителей, ушедших в другую область. Движение неосновных носителей заряда к p-n-переходу создает электрический ток в объеме полупроводника. Компенсация убыли электронов в объеме полупроводника p-типа происходит за счет пополнения их из внешней цепи от минуса источника питания. Это вызывает прохождение электрического тока во внешней цепи.
28.Логический элемент И-
По другому, его зовут «конъюнктор».
Единица
на выходе схемы И будет тогда и только
тогда, когда на всех входах будут единицы.
Когда хотя бы на одном входе будет нуль,
на выходе также будет нуль.
29.Логический элемент ИЛИ-
По другому, его зовут «дизъюнктор»
Когда
хотя бы на одном входе схемы ИЛИ будет
единица, на ее выходе также будет единица.
Знак «1» на схеме — от устаревшего обозначения дизъюнкции как «>=!» (т.е. значение дизъюнкции равно единице, если сумма значений операндов больше или равна 1). Связь между выходом z этой схемы и входами х и у описывается соотношением z = х или у
30.Логический элемент НЕ-
Чаще, его называют «инвертор».
Связь
между входом х этой схемы и выходом z
можно записать соотношением Z = Х, где х
читается как «не х» или «инверсия.
Если на входе схемы 0, то на выходе 1. Когда на входе 1 на выходе 0.
16 Варикап - это разновидность полупроводникового диода, который изменяет свою ёмкость пропорционально величине приложенного обратного напряжения от единиц до сотен пикофарад.
Варикапы применяют в основном в тех устройствах где требуется изменение емкости. Наиболее частое применение у варикапов- это использование их в качестве регулируемых конденсаторов в колебательных контурах. Изменяя приложенное к нему напряжение можно управлять емкостью варикапа и следовательно менять резонансную частоту колебательного контура. Поэтому варикапы чаще всего применяют в радиоприемных устройствах: тюнерах телевизоров или радиоприемников.

