6. Порядок выполнения работы

(ВНИМАНИЕ! Во избежании ожогов категорически запрещается трогать руками нагреватель и вынимать термометр из установки! )

1. Подключить к электрической сети ~ .220В измерительный прибор ВК7-10А и установку.

2. Включить тумблер "Вкл." на измерительном приборе, при этом на цифровом табло появится индикация.

З. Включить тумблер нагревателя установки (при этом загорится сигнальная лампочка 3) и довести температуру образцов до 100°С.

4 Выключить нагреватель и в процессе остывания образцов от 100° до 30°С через интервалы 10°С измерить сопротивление образцов R_n и R_M при соответствующих положениях переключателя "П". Результаты измерений занести в таблицу. Измерение R_n и R_M производить с точностью до трех значащих цифр при соответствующих положениях переключателя диапазонов 10КΩ или 100КΩ.

Таблица

t°.с	Rn, кОм	RM, кОм	ℓgRn		,oC-1	ΔΕ, эв

5. Выключить тумблер "Вкл." на измерительном приборе и отключить установку от сети. Построить график R = f(t) для металлического и полупроводникового образца и сравнить их.

6. Для металлического образца по графику R = f(t) определить среднюю величину .

7. Для полупроводникового образца построить график зависимости ℓgR=f() и, определив тангенс угла наклона, по формуле (13) вычислить ширину запрещенной зоны полупроводника в электронвольтах.

При расчетах принять К=1,38·10^-23 "Дж/град, 1эВ =1,6 10^-19 Дж.

Контрольные вопросы

1.Как образуются разрешенные зоны энергий электронов в

кристаллах?

2. Различие металла и полупроводника с точки зрения зонной теории.

3. Какие свободные заряды называются вырожденными?

4. Уровень Ферми.

5. Что такое термический коэффициент сопротивления металлов?

6. Температурная зависимость сопротивления металлов и полупроводников.

7. Что называется энергией активации полупроводника?

8. Как образуются примесные полупроводники?