1. Принцип действия динистора

Принцип действия динистора рассматривается при токе управленияI_У=0.

Обратным включением структуры называется пода­ча внешнего потенциала минусом к области p₁, плюсом — к области n₂. При этом переходы П₁и П₃оказываются смещенными в обратном направлении, и вольт­амперная характери­сти­ка структуры аналогична характеристике двух после­до­ва­тель­но соединенных ди­о­дов, смещенных в обрат­ном направлении.

Прямое включение стру­­к­туры при приложении напряжения, указанного на рис. 5.1, может быть рассмотрено как объединение двух трехслойных структур, образующих p₁-n₁-p₂иn₂-p₂-n₁транзисторы, которые объединены базовыми и коллектор­ными выводами. В соответствии с данной интерпретацией переходы П₁и П₃ получили название эмиттерных, а П₂— центрального, или коллекторного, так как он служит коллекторным переходом для обоих транзисторов. Переходы П₁и П₃смещаются в прямом направлении, а П₂— в обратном.

Ток центрального перехода состоит из трех составляющих:

1. тока дырок, инжентированных эмиттерным переходом П₁и дошедших до коллекторного перехода₁I_Э1;

2. тока электронов, инжектированных эммитерным переходом П₃и дошедших до коллекторного перехода₂I_Э2;

3. неуправляемого коллекторного тока I_К, обусловленного неосновными носителями заряда: дыркамиn₁–областиI_Кnи электронамиp₂–областиI_Кp.

Учитывая, что в любом сечении структуры протекает один и тот же ток I_А==I_Э1=I_Э2, он может быть выражен как

I_А=.

Для понимания характера вольтамперной зависимости необходимо проанализировать зависимость интегральных коэффициентов передачи транзисторов от тока в области малых токов анода.

В области малых токов анода нелинейный характер зависимости(I_Э) обуславливается постоянством величины реком­бина­ционной составляющей базового тока. Большее значение коэффициента₂по сравнению с₁обусловливается меньшей толщинойp₂-базы по сравнению сn₁-базой. С ростом тока эмиттера₁и₂увеличиваются, принимая свое номинальное значение.

На участке ОА прямой ветви, соответствующем малым значениям прямого напряженияU_АКтокI_Амал, коэффициенты₁и₂близки к нулю. Ток через тиристор определяется главным образом токомI_Кперехода П₂.

С ростом приложенного напряже­ния на коллекторном переходе увеличиваются ток I_Ки анодный ток. Увеличение тока через прибор сопровождается повыше­ни­ем значений коэффи­ци­ентов₁и₂, и с некоторого значения токаI_Aнеобходимо учитывать состав­ля­ющие токов транзисто­ров₁I_Э1и₂I_Э2. На вольт­амперной характеристике появляется участокABболее сильной зависимости токаI_AотU_АК.

Точка Bявляется граничной. В ней создаются условия для отпирания тиристора. Напряжение на приборе в точкеBназываетсянапряжением переключения. При приближении к точкеBначинается процесс лавинообразного включения структуры, когда рост коэффициентов₁и₂приводит к росту протекающего тока и дальнейшему увеличению коэффициентов (действует внутренняя положительная обратная связь).

Участок BCсоответствует открытому состоянию тиристора. Начиная с точкиC, структура полностью включена. Дальнейший вид вольтамперной характеристики соответствует прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода.