
Аналоговая электроника
.pdf
а) б)
Рис. 7. Сток – затворная (а) и выходные (б) характеристики n–канального полевого транзистора с управляемым p–n – переходом
На рис. 7б приведено семейство типовых выходных характеристик полевого транзистора с управляемым p–n – переходом. Они отражают за-
висимость выходного тока (тока стока IС) от выходного напряжения (на-
пряжения сток - исток UСИ). Каждая из этих характеристик снимается при постоянном напряжении UЗИ (см. рис. 7б). Штриховой линией на рис. 7б
разделены рабочая (правее) и нерабочая (левее) области характеристик для активного режима работы транзистора. При попадании рабочей точки в нерабочую область транзистор входит в насыщение и является неуправ-
ляемым.
Наиболее широко полевые транзисторы используются в качестве усилителей. Также, как и в случае биполярных транзисторов, существует три схемы включения полевого транзистора: с общим затвором (ОЗ), с об-
щим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС). Наилучшие характеристики имеет схема с ОИ, поэтому ее рассмотрим более подробно.
Типовая схема усилительного каскада на полевом транзисторе по схеме с ОИ приведена на рис. 8. Расчет этого усилителя производится сле-
61

дующим образом. Для статического режима (при отсутствии сигнала на входе усилителя) на сток – затворной характеристике (рис. 7а) выбирается рабочая точка (например, точка А), в данном случае в области малых то-
ков. Она может быть выбрана и в области больших токов, при этом усили-
тель будет менее экономичным, но имеет наибольший коэффициент уси-
ления и наилучшие частотные свойства.
Рис. 8. Усилитель на полевом транзисторе с управляемым p–n – переходом по схеме с общим истоком
Зная координаты рабочей точки А (U هЗИ, I هС), определим
сопротивление RИ по формуле: |
|
RИ = UهЗИ / IهС. |
(7) |
Напряжение UЗИ должно быть отрицательным и формируется автосмеще-
нием, как разность между напряжениями на затворе UЗ и истоке UИ
UЗИ = UЗ – UИ. |
(8) |
Если на затворе транзистора сформировать нулевой потенциал (напряже-
ние), соединив его с общим проводом через сопротивление RЗ (см. рис. 8),
то на сопротивлении RИ автоматически сформируется положительное на-
62
пряжение UИ за счет протекания через него тока через открытый канал транзистора. Таким образом, согласно (8), будем иметь UЗИ = – UИ.
Сопротивление RЗ определяет входное сопротивление усилителя, по-
этому выбирается как можно большим, но в соответствии с неравенством
RЗ << rвх, где rвх – входное сопротивление транзистора (сопротивление за-
пертого p–n – перехода). Оно достигает значений сотен мегаом, поэтому значения RЗ обычно выбирают до единиц мегаом.
Если рабочую точку А спроецировать на семейство выходных харак-
теристик (рис. 7б) до пересечения с соответствующей характеристикой,
снятой при UЗИ = U هЗИ, то можно определить напряжение U هСИ (для статического режима). Оно является второй координатой для рабочей точки А на выходных характеристиках и позволяет определить значение сопротивления RС по формуле:
RС = (UП – UهСИ – UИ) / IهС, (9)
где UП – напряжение питания усилителя. В приведенной схеме усилителя конденсатор С3 служит для нейтрализации отрицательной обратной связи по переменной составляющей сигнала. Конденсаторы С1 и С2 служат для развязки предыдущего и последующего каскадов по постоянному току, со-
ответственно.
На выходных характеристиках можно построить нагрузочную пря-
мую. В соответствии с графическим (графо - аналитическим) методом ана-
лиза нелинейных цепей, она должна проходить через точки с координата-
ми (UСИ = UП, IС=0) и (UСИ = 0, IС= UП / RС). Ее наклон определяется зна-
чением сопротивления RС. Рабочая точка А также находится на нагрузоч-
ной прямой. В динамическом режиме рабочая точка перемещается вдоль нагрузочной прямой, что позволяет, в частности, определить диапазон из-
менения усиленного выходного сигнала, спроецировав крайние положения рабочей точки на ось UСИ.
63
Одной из основных характеристик полевого транзистора является крутизна сток - затворной характеристики S, которая определяется в окре-
стности данной точки (например, рабочей точки А), по формуле: |
|
S = ΔIС / UЗИ, при UСИ = const. |
(10) |
Поскольку сток - затворная характеристика нелинейная, ее крутизна в раз-
ных точках разная. Среднее значение крутизны для данного транзистора приводится в его паспортных данных.
Зная значение крутизны в окрестности рабочей точки усилителя,
можно легко определить его коэффициент усиления по напряжению, со-
гласно формуле: |
|
KU = S·RС. |
(11) |
Полевые транзисторы находят широкое применение в составе мало-
шумящих усилителей с высоким входным сопротивлением, в качестве ана-
логовых ключей, дифференциальных предусилителей в составе операци-
онных усилителей и т.д.
3.2. Лабораторная работа № 6
Определение характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Экспериментальное измерение и изучение входных и выходных характеристик биполярного транзистора n-p-n –типа.
Выполнение лабораторной работы
Подготовка к работе.
3.Изучить соответствующую теоретическую часть данного раздела.
4.Рассчитать h – параметры транзистора, используя формулы (3) – (6),
и числовые значения напряжений и токов на рис. 4. Рабочую точку выбрать аналогично рис. 5 (в средней части характеристик).
64

Практическое выполнение работы.
1. Собрать цепь согласно на рис. 9. Переменный резистор 1 кОм предназначено для регулирования тока базы, резисторы 100 кОм и 47 кОм
– для ограничения максимального тока базы. При снятии входных харак-
теристик транзистора измерение входного тока (тока базы IБ), входного напряжения (напряжения UБЭ) и контроль напряжения UКЭ производится
Рис. 9. Схема для измерения входных и выходных характеристик биполярного транзистора n-p-n –типа
мультиметрами. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулято-
ром источника постоянного напряжения. При снятии выходных характери-
стик измерение выходного тока (тока коллектора IК), выходного напряже-
ния (напряжения UКЭ) и контроль тока базы IБ осуществляется теми же мультиметрами на соответствующих пределах.
2. При измерении входных характеристик транзистора, установить
UКЭ = 0 и, задавая ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 1, снять зависимость UБЭ (IБ).
Примечание! Ввиду того, что характеристики транзистора изме-
няются по мере его разогрева, рекомендуется в процессе проведения эксперимента блоки питания на длительное время не включать, а из-
мерения проводить по возможности быстро.
65
|
|
|
Таблица 1 |
|
|
|
|
IБ,мкА |
UБЭ, В |
UБЭ, В |
UБЭ, В |
|
при UКЭ = 0 |
при UКЭ = 5 В |
при UКЭ = 10 В |
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
200 |
|
|
|
|
|
|
|
Повторить этот опыт для UКЭ = 5 В, UКЭ = 10 В. Построить графики входных характеристик, указав для каждой кривой соответствующие зна-
чения UКЭ.
3. При измерении выходных характеристик транзистора, установить первое значение тока базы IБ = 20 мкА и изменяя значения напряжения UКЭ
согласно указанным в табл. 2, снять зависимость IК(UКЭ). Повторить эти измерения при каждом значении IБ, указанном в табл. 2.
При проведении этих измерений учитывать примечание к предыду-
щему эксперименту.
4. По построенным экспериментальным графикам входных и выход-
ных характеристик транзистора определить его h – параметры по методи-
ке, использованной в расчетном задании.
5. Полученные экспериментальные результаты сравнить с расчетны-
ми и отразить в выводах.
Таблица 2
66
UКЭ, В |
IК,мА |
IК,мА |
IК,мА |
IК,мА |
|
при IБ = 20 |
при IБ = 50 |
при IБ = 100 |
при IБ = 200 |
|
мкА |
мкА |
мкА |
мкА |
|
|
|
|
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
15 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Контрольные вопросы и задания
1.Изобразить статические входные и выходные характеристики транзистора.
2.Чем определяется наличие тока IК0?
3.Записать систему h – параметров для транзистора как четырехпо-
люсника.
3.Привести основные дифференциальные параметры транзистора на основе h – параметров.
4.Как, используя входные и выходные ВАХ транзистора, определить его h – параметры?
5.Как построить нагрузочную прямую транзистора, чем определяет-
ся ее наклон, что по ней можно определить?
6.Привести эквивалентную схему транзистора с h – параметрами.
3.3.Лабораторная работа № 7
67

Усилитель на биполярном транзисторе
Цель работы: Изучение принципа работы биполярного транзистора n-p-n –типа в составе усилителя по схеме с общим эмиттером, измерение его основных характеристик.
Выполнение лабораторной работы
Подготовка к работе.
1.Изучить соответствующую теоретическую часть данного раздела.
2.Для схемы усилительного каскада на биполярном транзисторе n-p-n
–типа, изображенной на рис. 10, определить, по какой схеме включен транзистор, почему?
3.Для этой же схемы определить входное и выходное сопротивления,
используя методику определения h – параметров. Рабочую точку выбрать аналогично рис. 5 (в средней части характеристик).
Рис. 10. Усилитель на биполярном транзисторе n-p-n –типа по схеме с общим эмиттером
68
4.Определить приблизительное значение коэффициента усиления по напряжению данного усилителя как отношение сопротивлений в коллекторной и эмиттерной цепях (это справедливо только при от-
сутствии шунтирующего конденсатора Сэ в эмиттерной цепи транзи-
стора).
Практическое выполнение работы.
1.Собрать схему усилителя, приведенную на рис. 10, используя бипо-
лярный транзистор n-p-n –типа (КТ503Г). Установить частоту сину-
соидального напряжения f = 1 кГц и действующее напряжение 2 В.
Резисторы 1 кОм и 100 Ом образуют делитель напряжения в 10 раз
(по соотношению их сопротивлений) для обеспечения более точной регулировки сигнала на входе. Непосредственно на входе усилителя
Uвх = 0,2 В. Конденсатор Сэ в эмиттерной цепи транзистора отсутст-
вует.
2.Зарисовать осциллограммы напряжений на входе и выходе усилителя с указанием масштаба по осям, в соответствии с положением рисок
регуляторов коэффициента передачи напряжения и частоты разверт-
ки. Внимание! При пользовании осциллографом, его общий провод соединять с общим проводом схемы.
3.Определить значения входного и выходного напряжений, угол фазо-
вого сдвига φ этих напряжений (по осциллографу), вычислить коэф-
фициент усиления по напряжению КU, используя соотношение:
КU = Uвых / Uвх.
4.Таким же способом вычислить коэффициент усиления по напряже-
нию КU, подключив конденсатор Сэ = 10 мкФ (с соблюдением его по-
лярности!). При этом в усилителе нейтрализуется отрицательная об-
ратная связь по переменной составляющей сигнала. Как при этом из-
меняется коэффициент усиления КU?
69
5.Определить входное сопротивление усилителя Rвх. Для этого вклю-
чить перед конденсатором С1 = 1 мкФ добавочный резистор Rдоб = 1
кОм, что вызовет уменьшение выходного напряжения Uвых усилителя от U1 до U2. Тогда входное сопротивление усилителя можно вычис-
лить следующим образом:
Rвх.= Rдоб / (U1 / U2 – 1).
6.Определить выходное сопротивление усилителя Rвых. Для этого включить нагрузочный резистор Rн = 1 кОм параллельно выходу уси-
лителя (на схеме параллельно V0). Это также вызовет уменьшение выходного напряжение от U1 до U2 (для данного случая). Выходное сопротивление усилителя можно вычислить, используя соотношение:
Rвых.= Rн·(U1 / U2 – 1).
7.Полученные экспериментальные результаты сравнить с расчетными и отразить в выводах.
Контрольные вопросы и задания
1. Пояснить принцип работы и практическое применение биполярно-
го транзистора.
2.В каких режимах может работать транзистор?
3.Привести возможные схемы включения транзистора. Пояснить достоинства, недостатки и области применения каждой схемы включения.
4.Пояснить принцип выбора рабочей точки транзистора.
5.Перечислите основные характеристики усилительных каскадов.
6.В чем заключается эффект модуляции толщины базы (эффект Эр-
ли)?
70