Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

t_foi

.pdf
Скачиваний:
14
Добавлен:
13.03.2016
Размер:
1 Mб
Скачать

новые лампы. К недостаткам газоразрядных ламп относятся большие габариты и сложность схем включения.

Лазеры бывают нескольких разновидностей: газовые, эксимерные, твердотельные и полупроводниковые. В состав лазерного источника света обычно входит блок излучателя и блок питания. Параметры излучения зависят от излучателя, а также от режима излучения лазера, который может быть непрерывным импульсным, а также одиночных импульсов.

В измерительной технике наибольшее распространение получи-

ли газовые лазеры (гелий-неоновые, λ = 632.8 нм), излучение которых обладает высокой степенью монохроматичности, когерентности, поляризованности и малой расходимостью пучка (не более 10').

Все более широкое применение находят полупроводниковые лазеры из арсенида галлия и индия, примесного кремния и др. Основным их преимуществом является высокий КПД (80-90 %) и простота возбуждения и модуляции оптического излучения.

Светодиоды представляют собой излучающий p-n переход и являются весьма удобными миниатюрными источниками света, но, в отличие от лазеров, не имеют оптических резонаторов. Поэтому их излучение не когерентно, ширина линии излучения составляет 10-20 нм, положение максимума зависит от материала светодиода и примеси.

6.3. Приемники оптического излучения

Приемники оптического излучения можно разделить на две большие группы: тепловые и фотоэлектрические. К тепловым приемникам относят термоэлементы и болометры, принцип действия кото-

130

рых основан на предварительном преобразовании энергии оптического излучения в тепловую энергию. К фотоэлектрическим приемникам, с общим названием «фотоэлементы», относятся преобразователи, в которых используются явления внешнего и внутреннего фотоэффекта: вакуумные и газонаполненные фотоэлементы, фотоумножители, фоторезисторы, фотодиоды, вентильные и фотогальваномагнитные фотоэлементы, фототранзисторы и фототиристоры.

6.3.1. Тепловые приемники

Для тепловых приемников излучения первичным процессом является преобразование энергии поглощенного света в энергию теплового возбуждения кристаллической решетки, которое вызывает повышение температуры приемника, приводящее к изменению его электрических свойств.

К электрическим величинам, которые с успехом могут использоваться для измерения потока излучения, относятся:

сопротивление металлического или полупроводникового элемента (болометры);

термо-ЭДС (эффект Зеебека);

спонтанная электрическая поляризация пироэлектриков. Поглощению излучения способствует чернение приемной по-

верхности соответствующим покрытием (например, платиновой чер-

нью), излучательная способность которого ε близка к 1. Коэффициент поглощения черненной поверхности мало отличается от единицы в диапазоне от ультрафиолетового до инфракрасного излучения, если слой черни имеет толщину (до 30-40 мкм), превышающую величину

131

максимальных длин волн, на которые рассчитан приемник. Таким образом, выходная величина приемника пропорциональна интегральной мощности Рх падающего на его площадку излучения и не зависит от спектрального состава этого излучения.

6.3.2.Фотоэмиссионные детекторы

Кфотоэмиссионным детекторам относят вакуумные и газонаполненные фотоэлементы (ФЭ), а также фотоэлектронные умножители (ФЭУ). Их принцип действия основан на так называемом внешнем фотоэффекте, который был открыт Г. Герцем в 1887 г., исследован в А.Г. Столетовым в 1888 г. и объяснен А. Эйнштейном в 1905 г.

Вакуумный фотоэлемент состоит из откачанной и отпаянной стеклянной или кварцевой трубки, в которую помещены катод К и

анод А. Пусть на катод попадают кванты света, энергия которых hν больше работы выхода Авых электронов. В этом случае электроны будут выбиваться из катода. Их кинетическая энергия определяется уравнением Эйнштейна:

Екин = hν - Авых.

(6.12)

Количество таких электронов (их называют фотоэлектронами) прямо пропорционально (случай монохроматического света) количеству падающих фотонов. Отношение этих величин называют кванто-

вым выходом η. Под действием напряжения, приложенного между катодом и анодом, электроны летят к аноду и вызывают во внешнем контуре ток I. Он, как и падение напряжения UR на рабочем сопротивлении R, пропорционален потоку излучения Рх, падающему на катод (см. рис. 6.4.)

132

КА

Рис. 6.4. Схема включения вакуумного фотоэлемента

Газонаполненные фотоэлементы отличаются от вакуумных тем, что они заполнены инертным газом. Благодаря этому первичные электроны, ускоренные электрическим полем, ионизуют атомы газа, освобождая вторичные электроны. При этом возникают так называемые электронные лавины, а первичный ток усиливается в сотни раз. В то же время положительные ионы очень медленно перемещаются к катоду, поэтому верхняя граничная частота данных детекторов значительно ниже, чем у вакуумных фотоэлементов (десятки МГц), и не превышает 10 кГц.

Особо следует подчеркнуть, что фотоэлементы, в отличие от тепловых приемников, являются селективными преобразователями, поэтому выходная величина фотоэлементов определяется наряду с интенсивностью падающего на них излучения и его спектральным составом. Спектральная чувствительность фотоприемников, основанных на внешнем фотоэффекте, не является постоянной. Она уменьшается в длинноволновой области из-за наличия энергетического барьера (красная граница) при генерации фототока. Снижение чувствительности в коротковолновой области связано с конечной толщи-

133

ной фотокатода, с одной стороны, поглощением фотонов с увеличивающейся энергией, с другой стороны. В толстых фотокатодах уменьшается вероятность выхода фотоэлектронов из внутренних областей. Однако специальным подбором материалов фотокатодов удается создать ФЭ отдельно для вакуумного ультрафиолета (ВУФ), ультрафиолета (УФ) и инфракрасной (ИК) области в спектральном диапазоне от 100 до 1200 нм.

Фотоэлектронный умножитель (рис. 6.5) устроен таким обра-

зом, что в одной и той же откачанной колбе находятся обычный фотоэлемент и усилитель фототока, который основан на явлении вторичной электронной эмиссии и конструктивно оформлен в виде системы дополнительных электродов – динодов. В таком приборе первичный фототок может усиливаться в 103-109 раз при небольшом уровне шума в широком интервале рабочих частот.

Рис. 6.5. Фотоумножитель:

1 – фотокатод, 2 – диноды, 3 – анод

Электроны, выбитые с фотокатода (потенциал Vk) под действием падающего света, ускоряются электрическим полем и попадают на первый динод (потенциал V1 > Vk). Ускоренные первичные электроны обладают достаточно высокой энергией и вызывают вторичную эмиссию электронов с первого динода. Отношение количества вторичных электронов к количеству первичных электронов называют

134

коэффициентом вторичной эмиссии δ. Он зависит от материала динода, угла падения первичных электронов и от обработки поверхности. Коэффициент вторичной эмиссии возрастает с увеличением кинетической энергии падающих электронов. При 200 эВ этот коэффициент для наиболее распространенных материалов динодов составляет от

1.4 до 14.

Вторичные электроны с первого динода ускоряются и попадают на второй динод. Процесс размножения электронов повторяется до последнего динода в умножителе. Если такой прибор содержит N динодов, то фототок между катодом и первым динодом I связан с током

анода Ia следующим соотношением:

 

Ia = δ1δ2…δNI.

(6.13)

Световые характеристики фотоумножителей при малых анодных токах (несколько микроампер) весьма близки к линейным. Явление вторичной эмиссии практически безынерционно, поэтому фотоумножители, как и вакуумные фотоэлементы, могут использоваться для регистрации весьма быстропротекающих процессов (до 10-9 с).

6.3.3. Полупроводниковые детекторы

Фоторезисторы чувствительны к световому излучению благодаря внутреннему фотоэффекту, заключающемуся в перераспределении электронов по энергетическим состояниям за счет поглощенных фотонов. При этом растет концентрация носителей тока внутри вещества и появляется дополнительная проводимость – фотопроводимость. Поглощение фотонов может происходить как в основном веществе – собственный фотоэффект, так в примесях – примесный фо-

135

тоэффект. Примерами фоторезисторов с собственной проводимостью могут служить приборы из селена, соединений селена с серой, теллура со свинцом, висмутом, таллием или кадмием. Примесные фоторезисторы изготавливают в основном из германия и кремния, которые легированы золотом, медью, свинцом, индием и др. Световая характеристика фоторезисторов, как правило, не линейна. У них большая, чем у вакуумных фотоэлементов, инерционность и зависимость чувствительности от температуры. Достоинством, обуславливающим их применение, является широкий спектральный диапазон фоторезисторов от 0.5 до 150 мкм. При этом следует иметь в виду, что в длинноволновой ИК области можно работать только с глубоко охлажденными приемниками – вплоть до азотных (80 К) или гелиевых (4 К) температур. Это обстоятельство принципиальное, общее для всех фотоэлектрических приборов: дело в том, что энергия фотонов в данной области спектра очень мала и соизмерима с той энергией, которую электрон может получить в результате тепловых колебаний, поэтому при обычных температурах фототок практически не отличим от темнового фототока, обусловленного тепловыми процессами.

Одним из способов пространственного разделения дырок и электронов, возбуждаемых светом, является воздействие на полупроводник магнитного поля (гальваномагнитный эффект).

Гальваномагнитный фотоэлемент (см. рис. 6.6) состоит из по-

лупроводникового монокристалла, размещенного между полюсами постоянного магнита. Поток излучения, поглощаемой поверхностью кристалла, создает вблизи поверхности повышенную концентрацию электронно-дырочных пар, которые диффундируют вглубь кристалла.

136

Движущиеся электроны и дырки отклоняются магнитным полем в разные стороны, и между электродами, которые расположены в плоскостях, параллельных линиям магнитного поля и падающему световому потоку, устанавливается разность потенциалов. Направления магнитных силовых линий и светового потока взаимно перпендикулярны.

Рис. 6.6. Гальваномагнитный фотоэлемент

Основным достоинством гальваномагнитных фотоэлементом является возможность измерения инфракрасных излучений (макси-

мум чувствительности при λmax = 6.2 мкм) при весьма малой инерционности, не превышающей 0.2 мкс, что недоступно для других фотоэлементов и термопреобразователей.

Особый практический интерес представляет проявление фотоэффекта в полупроводниках с p–n-переходом. Благодаря объемному заряду, который образуется вблизи границы p- и n-областей, возникает потенциальный барьер для носителей тока. При поглощении излучения в результате внутреннего фотоэффекта образуются дополнительные носители заряда, которые изменяют потенциальный рельеф и

137

создают ЭДС. Данный эффект носит название вентильного, или фотогальванического.

Вентильный фотоэлемент (см. рис. 6.7) представляет собой полупроводниковый диод, один из электродов которого является полупрозрачным. Световой поток Фх проходит через полупрозрачный электрод, тонкий слой полупроводника n-типа и поглощается в прилегающей к нему части пластинки полупроводника p-типа. В ней вследствие фотоэффекта образуется повышенная концентрация элек- тронно-дырочных пар. Электроны увлекаются ускоряющим полем потенциального барьера и проникают в слой n-полупроводника.

Сопротивление p–n-перехода в обратном направлении Rобр составляет десятки килоом, поэтому избыток основных носителей (дырок) в p-области снижает величину ее электрического сопротивления r. Сопротивление Rобр резко уменьшается с ростом светового потока Фх, т. к. высота потенциального барьера p–n-перехода снижается на значение фото-ЭДС (падение напряжения на сумме сопротивлений p- слоя r и нагрузки Rн).

Рис. 6.7. Принцип действия вентильного фотоэлемента.

138

Таким образом, фото-ЭДС не может превышать величину указанного потенциального барьера, который составляет от 0.1 до 0.3 В.

Вентильный элемент можно рассматривать как источник тока Iф = kФ, но в нагрузку потечет лишь ток

Iн = Iф Rобр(Ф)/[Rобр(Ф) + r + Rн] = kФ/[r + Rн/Rобр(Ф) + 1]. (6.14)

Ток в нагрузке линейно зависит от потока Ф только при r + Rн << Rобр, т. е. при малых значениях потока и малых значениях сопротивления нагрузки (Rн ≈ 1÷100 Ом). При больших световых потоках Rобр < r световые характеристики нелинейны даже в режиме короткого замыкания.

Инерционность селеновых фотоэлементов настолько велика, что они могут использоваться только для измерения слабо изменяющихся во времени световых потоков. Кривые спектральной чувствительности селеновых фотоэлементов близки к аналогичной характеристике глаза. Поэтому данный тип датчиков широко применяется в фотометрической аппаратуре (люксметры, экспонометры).

Фотодиоды представляют собой вентильные фотоэлементы, к которым приложено обратное напряжение (от 10 до 30 В) от внешнего источника. При таком включении потенциальный барьер возрастает и определяется внешним напряжением. Условия проникновения неосновных носителей из освещенной зоны через барьер существенно облегчаются, а обратное сопротивление этого перехода резко возрастает. Вследствие этого возрастает чувствительность, а световые характеристики в широком диапазоне световых потоков становятся строго линейными. При работе в фотодиодном режиме ток, протекающий через нагрузку, способен создавать падение напряжения, со-

139

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]