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APT30M75BLL

APT30M75SLL

300V 44A 0.075

 

 

 

POWER MOS 7

 

R

MOSFET

BLL

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

 

 

 

 

D3PAK

 

TO-247

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

losses are addressed with Power MOS 7®

by significantly lowering RDS(ON)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

and Q . Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

g

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SLL

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

patented metal gate structure.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• Lower Input Capacitance

• Increased Power Dissipation

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• Lower Miller Capacitance

• Easier To Drive

 

 

 

 

 

 

G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• Lower Gate Charge, Qg

• TO-247 or Surface Mount D3PAK Package

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

MAXIMUM RATINGS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

Parameter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

APT30M75

 

 

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDSS

Drain-Source Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

 

Volts

ID

 

Continuous Drain Current @ TC = 25°C

 

 

 

 

 

 

44

 

 

 

 

Amps

IDM

 

Pulsed Drain Current

1

 

 

 

 

 

 

 

 

176

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS

Gate-Source Voltage Continuous

 

 

 

 

 

 

 

 

±30

 

 

 

 

Volts

VGSM

Gate-Source Voltage Transient

 

 

 

 

 

 

 

 

±40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PD

 

Total Power Dissipation @ TC = 25°C

 

 

 

 

 

 

 

329

 

 

 

 

Watts

 

Linear Derating Factor

 

 

 

 

 

 

 

 

2.63

 

 

 

 

W/°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ,TSTG

Operating and Storage Junction Temperature Range

 

 

-55 to 150

 

 

 

°C

TL

 

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

 

 

 

300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IAR

 

Avalanche Current 1

(Repetitive and Non-Repetitive)

 

 

44

 

 

 

 

Amps

EAR

Repetitive Avalanche Energy 1

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

mJ

EAS

 

Single Pulse Avalanche Energy 4

 

 

 

 

 

 

 

 

1300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

Characteristic / Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

MIN

 

TYP

 

MAX

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BV

DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V

GS

= 0V, I

D

= 250µA)

 

300

 

 

 

 

 

 

Volts

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID(on)

On State Drain Current 2 (VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)

 

44

 

 

 

 

 

 

Amps

RDS(on)

Drain-Source On-State Resistance 2

 

(VGS = 10V, 22A)

 

 

 

 

 

0.075

 

Ohms

IDSS

Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 300V, VGS = 0V)

 

 

 

 

 

100

 

 

µA

Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 240V, VGS = 0V, TC = 125°C)

 

 

 

 

 

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IGSS

Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)

 

 

 

 

 

±100

 

 

nA

VGS(th)

Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)

 

 

 

3

 

 

 

5

 

 

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

050-7155 Rev A 1-2003

DYNAMIC CHARACTERISTICS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

APT30M75BLL - SLL

Symbol

Characteristic

 

 

 

 

 

 

 

Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ciss

Input Capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 0V

 

3018

 

 

 

Coss

Output Capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

771

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDS = 25V

 

 

pF

 

Crss

Reverse Transfer Capacitance

 

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

 

43

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Qg

Total Gate Charge 3

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 10V

 

57

 

 

 

Qgs

Gate-Source Charge

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD = 200V

 

21

 

nC

 

Qgd

Gate-Drain ("Miller") Charge

 

 

 

 

 

 

ID = 44A @ 25°C

 

23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

td(on)

Turn-on Delay Time

 

 

 

 

 

 

 

RESISTIVE SWITCHING

 

13

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS = 15V

 

 

 

 

tr

Rise Time

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

DD

= 200V

 

 

ns

 

td(off)

Turn-off Delay Time

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 44A @ 25°C

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 0.6Ω

 

 

 

 

 

tf

Fall Time

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eon

Turn-on Switching Energy

6

 

 

 

 

 

INDUCTIVE SWITCHING @ 25°C

 

268

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD = 200V, VGS = 15V

 

 

 

 

Eoff

 

 

 

 

 

 

 

 

 

189

 

 

 

Turn-off Switching Energy

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 44A, RG = 5Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

µJ

 

Eon

Turn-on Switching Energy

6

 

 

 

 

 

INDUCTIVE SWITCHING @ 125°C

 

402

 

 

 

 

 

 

 

VDD = 200V VGS = 15V

 

 

 

 

Eoff

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-off Switching Energy

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = 44A, RG = 5Ω

 

220

 

 

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

 

 

 

 

 

 

Symbol

Characteristic / Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

MIN

TYP

MAX

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

Continuous Source Current (Body Diode)

 

 

 

 

 

 

 

 

44

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Amps

 

ISM

Pulsed Source Current 1

(Body Diode)

 

 

 

 

 

 

 

 

176

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

Diode Forward Voltage 2 (V

GS

= 0V, I

S

= -I

D

44A)

 

 

 

 

 

1.3

Volts

 

SD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t rr

Reverse Recovery Time (IS = -ID44A, dlS/dt = 100A/µs)

 

 

 

416

 

ns

 

Q rr

Reverse Recovery Charge (IS = -ID44A, dlS/dt = 100A/µs)

 

 

5.9

 

µC

 

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

V/ns

THERMAL CHARACTERISTICS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Symbol

Characteristic

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MIN

TYP

MAX

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rθ

JC

Junction to Case

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.38

°C/W

 

Rθ

JA

Junction to Ambient

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction

4 Starting Tj = +25°C, L = 1.34mH, RG = 25Ω , Peak IL = 44A

 

temperature

 

 

 

 

 

 

 

5

dv/dt numbers reflect the limitations of the test circuit rather than the

2

Pulse Test: Pulse width < 380 µs, Duty Cycle < 2%

 

 

 

 

 

device itself. IS -ID44A

di/dt ≤ 700A/µs VR

VDSS TJ

150°C

3 See MIL-STD-750 Method 3471

 

 

 

 

 

 

 

6

Eon includes diode reverse recovery. See figures 18, 20.

APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

 

 

0.40

 

 

 

 

 

 

 

(°C/W)

0.35

 

0.9

 

 

 

 

 

0.30

 

 

 

 

 

 

 

IMPEDANCE

 

0.5

 

 

 

 

 

0.20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.7

 

 

 

 

 

 

0.25

 

 

 

 

 

 

2003-1

THERMAL,

0.10

 

 

 

Note:

 

 

 

 

P

t2

 

 

 

0.15

 

0.3

 

DM

t1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A

θ JC

 

 

 

 

 

Duty Factor D = t1/t

 

Rev

Z

0.05

 

0.1

 

 

2

 

 

 

Peak TJ = PDM x Zθ JC + TC

 

7155

 

0

 

0.05

SINGLE PULSE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-5

-4

-3

-2

-1

1.0

-

 

 

10

10

10

10

10

050

 

 

 

 

RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)

 

 

 

 

 

FIGURE1,MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvsPULSEDURATION

 

 

 

 

 

 

Typical Performance Curves

 

 

RC MODEL

 

 

 

0.0329

0.00334

Junction

Power

0.158

0.00802

temp. ( ”C)

(Watts)

 

 

 

 

0.189

0.165

 

 

Case temperature

 

FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL

 

160

 

 

 

 

 

 

 

 

 

140

 

VDS> ID (ON) x

RDS(ON) MAX.

 

 

 

(AMPERES)

 

250 µSEC. PULSE TEST

 

 

 

 

 

 

@ <0.5 % DUTY CYCLE

 

 

 

 

120

 

 

 

TJ = -55°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

80

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

, DRAIN

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ = +25°C

 

 

 

 

D

20

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

TJ = +125°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0

2

4

6

8

10

12

14

 

 

VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS

 

 

45

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(AMPERES)

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DRAIN,

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

50

 

75

 

100

125

 

150

 

 

 

 

 

 

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

 

 

 

FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE

RESISTANCE

 

2.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID

= 22A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.0

 

 

VGS = 10V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOURCE-TO-DRAINON

(NORMALIZED)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DS(ON)

0.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

-

 

50 -25

0

25 50

75

100 125

150

 

 

 

 

 

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

 

 

 

 

 

 

 

FIGURE 8, RDS(ON) vs. TEMPERATURE

 

 

APT30M75BLL - SLL

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

(AMPERES)

 

90

 

 

 

VGS

=15 &10V

8.5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

70

 

 

 

 

 

 

8V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

7.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DRAIN

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

7V

 

D

 

 

 

 

 

 

 

6.5V

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 0

5

 

10

15

20

25

30

 

 

 

VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

 

 

FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS

RESISTANCE

 

1.40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NORMALIZED TO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.30

 

VGS = 10V

@ ID = 22A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ON

 

1.20

 

 

VGS=10V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOURCE-TO-DRAIN

 

 

 

 

 

 

 

 

1.10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VGS=20V

 

,

 

0.90

 

 

 

 

 

 

 

 

DS(ON)

0.80

0

20

 

40

60

80

100

120

R

 

 

 

 

 

 

 

ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)

 

 

 

1.15

 

FIGURE 5, RDS(ON) vs DRAIN CURRENT

 

SOURCE-TO-DRAINBREAKDOWN

(NORMALIZED)VOLTAGE

 

 

 

 

 

 

 

 

0.95

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.05

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.00

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DSS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BV

 

0.90-50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-25

0

25

50

75

100 125

150

 

 

 

 

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

 

 

 

FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE

 

 

1.2

 

 

 

 

 

 

 

 

THRESHOLDVOLTAGE

 

1.1

 

 

 

 

 

 

 

 

(NORMALIZED)

1.0

 

 

 

 

 

 

 

 

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.9

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GS(TH)

0.7

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.6-50

-25

0

25

50

75

100 125

150

 

 

 

 

TC, CASE TEMPERATURE (°C)

 

 

 

FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE

050-7155 Rev A 1-2003

050-7155 Rev A 1-2003

 

176

 

 

 

 

 

OPERATIONHERE

 

 

 

100

LIMITEDBYRDS(ON)

 

 

(AMPERES)

 

 

 

 

 

 

100µS

CURRENT

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

,DRAIN

 

 

 

1mS

 

T =+25°C

 

 

D

 

 

 

I

 

C

 

10mS

 

 

TJ =+150°C

 

 

1 1

SINGLE PULSE

 

 

 

10

100

300

 

VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

 

FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA

(VOLTS)

16

ID = 44A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VOLTAGE

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDS=60V

 

 

 

 

 

 

VDS=150V

 

 

 

 

GATE-TO-SOURCE

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDS=240V

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GS

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

0 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

20

30

40

50

60

70

80

 

 

 

Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)

 

 

FIGURE 12, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

td(off)

 

 

 

 

 

(ns)

 

 

VDD = 200V

 

 

 

 

 

 

30

 

RG = 5Ω

 

 

 

 

 

 

d(off)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ = 125°C

 

 

 

 

 

 

t

 

 

L = 100µH

 

 

 

 

 

 

and

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

d(on)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

td(on)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

5

15

25

35

45

55

65

75

 

 

 

 

 

ID

(A)

 

 

 

 

 

 

FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT

 

 

800

 

VDD = 200V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RG = 5Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ = 125°C

 

 

 

E

 

 

( J)

600

 

L = 100µH

 

 

 

on

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EON includes

 

 

 

 

 

 

ENERGY

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

diode reverse recovery.

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

 

 

 

SWITCHING

 

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eoff

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

15

25

35

45

55

65

75

 

 

 

 

ID (A)

 

 

 

 

FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT

APT30M75BLL - SLL

20,000

10,000

 

 

Ciss

(pF)

 

 

CAPACITANCE

1,000

Coss

 

 

 

C,

100

 

 

 

Crss

 

 

10 0

10

 

20

30

 

40

50

 

 

VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)

 

FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE

(AMPERES)

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CURRENT

 

 

 

TJ =+150°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ =+25°C

 

 

, REVERSE DRAIN

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DR

10.3

0.5

0.7

 

 

0.9

1.1

1.3

1.5

I

 

 

 

 

 

VSD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)

 

 

FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE

 

 

70

VDD = 200V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

RG = 5Ω

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ = 125°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

L = 100µH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ns)

 

40

 

 

 

t

f

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

and

 

30

 

 

 

 

 

tr

 

 

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

05

 

15

25

 

35

45

55

65

75

 

 

 

 

 

 

 

ID (A)

 

 

 

 

 

FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT

 

800

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

700

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( J)

600

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ENERGY

500

 

Eon

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

400

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SWITCHING

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

300

 

 

 

Eoff

 

 

VDD

= 200V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200

 

 

 

 

 

 

ID = 44A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TJ = 125°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

L = 100µH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

EON includes

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

diode reverse

recovery.

 

0

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

 

 

 

 

RG, GATE RESISTANCE (Ohms)

 

 

FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE

Typical Performance Curves

10 %

 

 

 

 

 

Gate Voltage

td(on)

 

 

 

 

 

TJ = 125 C

 

 

 

 

 

 

tr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90%

 

 

 

 

 

 

 

 

Drain Current

5 %

5 %

 

 

 

 

 

 

 

 

10 %

 

Drain Voltage

Switching Energy

Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Definitions

APT30D30B

VDD

IC

VCE

G

D.U.T.

Figure 20, Inductive Switching Test Circuit

APT30M75BLL - SLL

90%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate Voltage

TJ

= 125 C

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d(off)

 

 

 

 

Drain Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

90%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tf

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10%

Drain Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

Switching Energy

 

 

 

Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Definitions

Drain

TO-247 Package Outline

 

4.69

(.185)

 

 

5.31

(.209)

15.49 (.610)

 

1.49

(.059)

16.26 (.640)

 

2.49

(.098)

 

 

 

 

6.15 (.242) BSC

5.38 (.212)

 

 

6.20 (.244)

 

 

 

 

 

20.80 (.819)

 

 

 

21.46 (.845)

 

 

 

 

3.50 (.138)

 

 

 

3.81 (.150)

 

 

4.50 (.177) Max.

2.87 (.113)

 

 

3.12 (.123)

 

 

 

0.40 (.016)

 

1.65 (.065)

19.81 (.780)

2.13 (.084)

0.79 (.031)

 

 

20.32 (.800)

 

1.01

(.040)

Gate

1.40

(.055)

Drain

 

 

Source

2.21

(.087)

 

 

 

2.59

(.102)

 

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

Dimensions in Millimeters and (Inches)

Drain (Heat Sink)

 

D3PAK Package Outline

 

 

4.98

(.196)

 

15.95 (.628)

 

13.41 (.528)

 

5.08

(.200)

 

16.05 (.632)

1.04 (.041)

13.51 (.532)

 

1.47

(.058)

 

 

 

 

 

 

 

 

1.15 (.045)

 

 

1.57

(.062)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Revised

13.79 (.543)

Revised

11.51 (.453)

 

 

 

8/29/97

11.61 (.457)

 

 

 

4/18/95

13.99 (.551)

 

 

0.46

(.018)

 

 

 

 

 

 

0.56

(.022) {3 Plcs}

 

 

1.27 (.050)

 

 

0.020 (.001)

 

 

 

 

 

 

 

 

1.40 (.055)

3.81 (.150)

0.178 (.007)

 

 

1.98 (.078)

 

2.67

(.105)

 

 

 

4.06 (.160)

 

 

2.08 (.082)

 

(Base of Lead)

2.84

(.112)

1.22 (.048)

 

 

 

 

 

 

 

1.32 (.052)

 

 

Heat Sink (Drain)

 

 

 

 

5.45 (.215) BSC

and Leads

 

 

 

 

 

{2 Plcs.}

 

are Plated

 

Source

Drain

Gate

Dimensions in Millimeters (Inches)

APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:

4,895,810

5,045,903

5,089,434

5,182,234

5,019,522

5,262,336

 

5,256,583

4,748,103

5,283,202

5,231,474

5,434,095

5,528,058

050-7155 Rev A 1-2003

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