СТАРИЙ КУРСАК / новий виб_р комп.бази
.docx5 Вибір компонентної бази
В даній схемі використовуються резистори типу С1-4 з максимальною потужністю розсіювання 0,25 Вт, 0,5Вт, 1Вт. В резисторах з номінальним опором 2,7 кОм, 47кОм, 1МОм, 16кОм, 1,5 кОм, 3.9 кОм, 820 Ом, 10кОм, 5.6кОм максимальна потужність розсіювання 0,25Вт. В резисторі з номінальним опором 470 Ом потужність розсіювання 0,5Вт і при опорі 620Ом – 1Вт.[2]
Зовнішній вигляд резистора С1-4 зображено на рис.1
Рисунок 1- Зовнішній вигляд резистора С1-4.
Габаритні розміри резистора С1-4 зображено на рис.2
Рисунок 2 – Габаритні розміри резистора С1-4.
Таблиця 1.1 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 0,25 Вт.
Вид резистора |
Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм |
Маса, г, не більше |
||||
L, не більше |
l |
D, не більше |
d |
|
||
С1-4 – 0.25 |
6.0 |
20±3 |
2.3 |
0,6±0,06 |
0,15 |
Основні параметри резистора С1-4:
- відхилення від номіналу, % 5 ;
- максимально допустима напруга, В 500 ;
- температурний коефіцієнт опору(ТКО) 500 ;
- максимальна потужність розсіювання, Вт 0,25/0,5/1 ;
- робоча температура, С -55…125 .
Таблиця 1.2 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 0,5 Вт.
Вид резистора |
Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм |
Маса, г, не більше |
||||
L, не більше |
l |
D, не більше |
d |
|
||
С1-4 – 0.5 |
9.0 |
20±3 |
3.2 |
0,6±0,06 |
0,19 |
Таблиця 1.3 – Габаритні розміри резистора С1-4 – 1Вт.
Вид резистора |
Габаритні розміри та допустимі відхилення, мм |
Маса, г, не більше |
||||
L, не більше |
l |
D, не більше |
d |
|
||
С1-4 – 1 |
11.0 |
20±3 |
4.5 |
0,8±0,06 |
0,21 |
Світлодіод АЛ307БМ. Зовнішній вигляд зображено на рис.3 [1]
В даній схемі використовуються світлодіоди тупу АЛ307БМ і АЛ307ГМ.
Рисунок 3 – Зовнішній вигляд світлодіода АЛ307БМ.
Основні параметри світло діода АЛ307БМ :
- мінімальна сила світла Iv max., мКд 0,9 ;
- колір світіння червоний ;
- робоча температура, С -60…70 ;
- максимальна вхідна напруга, В 2 ;
- максимальна вихідна напруга, В 2 .
Габаритні розміри світлодіода АЛ307БМ зображено на рис.4
Рисунок 4 – Габаритні розміри світло діода АЛ307БМ.
Світлодіод АЛ307ГМ. Зовнішній вигляд зображено на рис.3
Зовнішній вигляд світлодіода АЛ307ГМ і його габаритні розміри зображено на рисунку 3 і рисунку 4 відповідно.
Основні параметри світлодіода АЛ307ГМ :
- мінімальна сила світла Iv max., мКд 1,5 ;
- колір світіння зелений ;
- робоча температура, С -60…70 ;
- максимальна вхідна напруга, В 2,8 ;
- максимальна вихідна напруга, В 2,8 .
Діоди Д243 і Д247
В даній схемі можна використовувати діоди серії Д243-Д247.
Зовнішній вигляд діода Д243, Д247 зображено на рис.5 [5]
Рисунок 5 – Зовнішній вигляд діода Д243, Д247.
Габаритні розміри діода зображено на рис.6
Рисунок 6 – Габаритні розміри діода Д243, Д247.
Основні параметри діода Д243, Д247 :
- тип діода випрямний ;
- максимальна напруга,В 200 ;
- робоча частота,кГц 1.1 ;
- робоча температура ,С 60…125 .
Транзистор КТ361Г [7]
Транзистор КТ361Г захищає блок живлення від перенавантаження.
Основні параметри транзистора КТ361Г :
- структура р-n-p ;
- максимальна напруга колектор – база , В 35 ;
- максимальна напруга колектор – емітер , В 30 ;
- максимально допустимий струм , А 0,05 ;
- максимальна потужність , Вт 0,15 .
Зовнішній вигляд транзистора КТ361Г зображено на рис.7
Рисунок 7 – Зовнішній вигляд транзистора КТ361Г.
Габаритні розміри транзистора КТ361Г зображено на рис.8
Рисунок 8 – Габаритні розміри транзистора КТ361Г.
Транзистор IRF9540 зображено на рис.9 [4]
Рисунок 9 – Зовнішній вигляд транзистора IRF9540.
Основні параметри транзистора :
- структура p-n-p ;
- максимальна напруга колектор – база , В 35 ;
- максимальна напруга колектор – емітер , В 30 ;
- максимально допустимий струм , А 0,05 ;
- максимальна потужність , Вт 0,15 .
Транзистор IRF9540 є потужним польовим імпортним транзистором.
Габаритні розміри транзистора зображено на рис.10
Рисунок 10 – Габаритні розміри транзистора IRF9540.
Мікросхема КА7500В зображена на рис.11 [4].
Рисунок 11 – Зовнішній вигляд мікросхеми КА7500В
Основні параметри мікросхеми:
- розмір корпуса , мм 7,62 ;
- робоча температура , С 0 – 70 ;
- максимальна частота , кГц 300 ;
- робоча напруга , В 7…42 .
Дана мікросхема керує імпульсами, які поступили на затвор VT3.
Габаритні розміри мікросхеми КА7500В зображено на рис.12.
Рисунок 12 - Габаритні розміри мікросхеми КА7500В.
Мікросхема К174КП3 зображена на рис. 13 [6]
Рисунок 13 – Зовнішній вигляд мікросхеми К147КП3.
Основні параметри мікросхеми К147КП3 :
- розмір корпуса , мм 9,15 ;
- робоча температура , С 0 – 70 ;
- максимальна частота , кГц 200 ;
- робоча напруга , В 10…35 .
Габаритні розміри мікросхеми К174КП3 зображено на рис.14
Рисунок 14 – Габаритні розміри мікросхеми К174КП3.
Дана мікросхема К174КП3 (DA2) застосовується у вузлі управління,
розроблена для застосування у виборі програм телевізорів.
Трансформатор ТПП276 - 127/220 зображено на рис.15 [7]
Рисунок 15 – Зовнішній вигляд трансформатора ТПП276-127/220.
Основні параметри трансформатора :
- номінальна робоча частота , Гц 50 ;
- напруга на вторинній обмотці , В 7-20 ;
- напруга на первинній обмотці , В 7-20 ;
- номінальна потужність , Вт 72 .
В даній схемі можна застосовувати любі трансформатори типу ТПП.[5]
Габаритні розміри трансформатора типу ТПП зображено на рис.16
Рисунок 16 – Габаритні розміри трансформатора тупу ТПП.
Конденсатори CL – 21 зображено на рис.17 [8]
Рисунок 17 – Зовнішній вигляд конденсатора СL – 21
Габаритні розміри конденсатора CL – 21 зображено на рис.18
Рисунок 18 – Габаритні розміри конденсатора CL – 21
Основні параметри конденсатора :
- допустиме відхилення від номінальної ємності , % 5 ; 10 ; 20 ;
- робоча температура , С -40 …85 ;
- діапазон номінальний ємностей , мкФ 0,1… 10 ;
- температурний коефіцієнт ємності (ТКЄ) 90 ;
- тангенс кута втрат , град 0.035 .
Конденсатор CD110 зображено на рис.19 [ 9 ].
Рисунок 19 – Зовнішній вигляд конденсатора CD110.
Габаритні розміри конденсатора зображено на рис.20
Рисунок 20 – Габаритны розміри конденсатора CD110.
Основні параметри конденсатора :
- допустиме відхилення від номінальної ємності , % 20 ;
- робоча температура , С -40 …85 ;
- діапазон номінальний ємностей , мкФ 0,1… 15000 ;
- температурний коефіцієнт ємності (ТКЄ) 90 ;
- тангенс кута втрат , град 0.035 .
Кнопковий перемикач МПК1- 4 зображено на рис.21
Рисунок 21 – Зовнішній вигляд МПК1 – 4.
В даній схемі можна використовувати любі малогабаритні кнопки.
Габаритні розміри МПК1 – 4 зображено на рис.22
Рисунок 22 – Габаритні розміри МПК1 – 4.
Основні параметри МПК1 – 4 :
- робоча температура , С - 60 … 100 ;
- потужність, Вт 15 ;
- сила струму, А 0,001 – 0,5 ;
- напруга, В 0,05 – 36 .
Перемикач ПТ 57
Зовнішній вигляд даного перемикача зображено на рис.23
Рисунок 23 - Зовнішній вигляд перемикача ПТ 57
Габаритні розміри перемикача зображено на рис.24
Рисунок 24 – Габаритні розміри ПТ 57
Основні параметри :
- робоча температура, С -60 … 85 ;
- потужність, Вт 160 ;
- сила струму, А 0,1 – 5 ;
- напруга, В 0,1 – 250 .
Стабілітрон Д814Д зображено на рис.25
Рисунок 25-Зовнішній вигляд стабілітрона Д814Д.
Основні параметри стабілітрона :
- потужність розсіювання , Вт 0,34 ;
- номінальна напруга, В 13 ;
- мінімальна напруга, В 11,5 ;
- робоча температура, С -60…125 ;
- діапазон струму, мА 3…29 .
Габаритні розміри стабілітрона зображено на рис.26
Рисунок 26 – Габаритні розміри стабілітрона Д814Д
Діод КД522Б зображено на рис.27
Рисунок 27 – Зовнішній вигляд КД522Б.
Габаритні розміри зображено на рис.28
Рисунок 28 – Габаритні розміри діода КД522Б
Основні параметри КД522Б :
- максимальний прямий струм, А 0,1 ;
- максимальна пряма напруга, В 1,1 ;
- максимальна обернена напруга, В 75 ;
- робоча температура, С -60…125 .