
- •Министерство образования и науки украины
- •Тема 1. Введение. Полупроводники. P-n-переход Введение
- •История развития электроники
- •Электропроводность полупроводников (собственная и примесная проводимость)
- •P-n-переход в состоянии термодинамического равновесия
- •P-n-переход под воздействием внешнего напряжения
- •Тема 2. Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Полупроводниковые стабилитроны
- •Варикапы
- •Тема 3. Транзисторы. Устройство и принцип
- •Устройство биполярного транзистора
- •Принцип действия и схемы включения биполярного транзистора
- •Тема 4. Характеристики и параметры
- •Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
- •H-параметры транзистора
- •Тема 5. Полевые транзисторы
- •Тема 6. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt-транзисторы)
- •Тема 7. Тиристоры
- •Тема 8. Интегральные микросхемы (имс)
- •Элементы и компоненты имс
- •Тема 9. Общие сведения об усилителях и их классификация. Основные параметры и характеристики усилителей
- •Основные технические характеристики усилителей
- •Вопросы согласования усилителей
- •Тема 10. Каскады предварительного усиления Практические схемы ук с оэ, об и ок. Составной эмиттерный повторитель
- •Тема 11. Усилители постоянного тока
- •Дифференциальные усилители
- •Тема 12. Классы усиления
- •Тема 13. Обратные связи в усилителях Принципы обратной связи
- •Виды обратной связи
- •Тема 14. Операционные усилители Общие сведения
- •Основные схемы включения оу
- •Характеристики оу
- •Тема 15. Общие сведения об импульсных устройствах
- •Тема 16. Транзисторный ключ как формирователь импульса
- •Содержание
Выпрямительные диоды
Выпрямительный диод – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. В зависимости от исходного полупроводникового материала выпрямительные диоды подразделяются на германиевые и кремниевые. Последние получили наибольшее распространение, поскольку имеют во много раз меньшие обратные токи и бóльшие обратные напряжения. Допустимый диапазон рабочих температур для германиевых диодов составляет -60 ÷ +70 0С, для кремниевых – -60 ÷ +150 0С. Германиевые диоды целесообразно применять при низких напряжениях, так как при одинаковых токах падение напряжения на германиевом диоде, включенном в обратном направлении, меньше, чем на кремниевом.
Для силовых (большой мощности) выпрямительных диодов проблематичным является отвод тепла, поэтому для эффективного охлаждения разрабатывают специальные конструкции таких диодов и методы охлаждения (воздушное, жидкостное и т.д.).
Технические характеристики выпрямительных диодов
1.
Прямое напряжение
при заданном прямом токе
.
2.
Обратный ток
при заданном обратном напряжении
.
3.
Максимально допустимый прямой ток
.
4.
Максимально допустимое обратное
напряжение
.
Параллельное и последовательное соединение выпрямительных диодов
В
ряде практических случаев применяют
групповое включение выпрямительных
диодов. Для получения более высокого
обратного напряжения применяют
последовательное соединение диодов.
При этом через диоды протекает одинаковый
обратный ток
,
однако из-за неидентичности обратных
ветвей ВАХ диодов обратное напряжение
будет распределено между ними неравномерно
(рис. 5,а),
что может привести к пробою. Для устранения
неравномерного распределения обратного
напряжения между диодами их шунтируют
сопротивлениями
кОм
(рис. 5,б).
|
Рис. 5. Последовательное соединение диодов: а – обратные ветви их ВАХ; б – выравнивание обратных напряжений |
Для
увеличения прямого тока применяют
параллельное включение диодов. При этом
из-за неидентичности прямых ветвей ВАХ
диодов токи в параллельных ветвях будут
распределены неравномерно, что может
привести к перегреву (рис. 6, а).
Для выравнивания токов в каждую ветвь
последовательно с диодом включают
добавочное сопротивление
величиной от единиц до десятков Ом (рис.
6,б).
|
Рис. 6. Параллельное соединение диодов: а – прямые ветви их ВАХ; б – выравнивание токов |
Для выравнивания токов в параллельные ветви могут быть включены и дроссели.
Полупроводниковые стабилитроны
Стабилитрон
– полупроводниковый диод, напряжение
на котором в области обратимого
электрического пробоя слабо зависит
от тока и который служит для стабилизации
напряжения. ВАХ стабилитрона приведена
на рис. 7. На ВАХ стабилитрона имеется
участок со слабой зависимостью напряжения
от проходящего тока (участок аб),
т.е. в области пробоя напряжение на
стабилитроне остается практически
неизменным при больших изменениях тока.
В качестве исходного материала при
изготовлении стабилитронов используют
кремний, что связано с необходимостью
получения малых значений
(точкаа
на рис. 7). На рис. 8 приведена схема
простейшего стабилизатора напряжения
параметрического типа на одном
стабилитроне.
|
|
Рис. 7. ВАХ и условное обозначение стабилитрона |
Рис. 8. Простейший параметрический стабилизатор |
При
увеличении входного напряжения
возрастает ток в цепи
.
Избыточное входное напряжение падает
на резисторе
,
а напряжение
на сопротивлении нагрузки
,
равное напряжению стабилизации
,
практически не изменяется (нагрузка
подключена параллельно стабилитрону,
поэтому
).
При изменении сопротивления
и неизменном входном напряжении ток,
проходящий через сопротивление
,
остается постоянным, но меняется
распределение токов между стабилитроном
и нагрузкой, а напряжение
по-прежнему сохраняется неизменным.
Напряжение
стабилизации стабилитронов лежит в
пределах 1 ÷ 1000 В и зависит от толщины
запирающего слоя p-n-перехода. Стабилитроны
допускают последовательное включение,
при этом общее напряжение стабилизации
равно сумме напряжений стабилитронов:
.
Параллельное соединение стабилитронов
недопустимо, так как из всех параллельно
соединенных стабилитронов ток будет
только в одном, имеющем наименьшее
напряжение стабилизации. Конструктивное
исполнение стабилитронов аналогично
выпрямительным диодам.
Стабилизацию напряжения можно также получить с помощью диода, включенного в прямом направлении. Кремниевые диоды с высокой концентрацией примеси в области базы, предназначенные для этой цели, называют стабисторами. Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является мéньшее напряжение стабилизации (0,3 ÷ 1 В).