
- •4. Загальна класифікація матеріалів електронної техніки.
- •5. Тверді розчини. Системи з необмеженою розчинністю в твердому стані.
- •7. Механізм і кінетика росту кристалів з рідкої і твердої фаз.
- •9. Обмежені тверді розчини. Діаграми стану двокомпонентних систем з обмеженими твердими розчинами евтектичного типy.
- •10. Обмежені тверді розчини. Діаграми стану двокомпонентних систем з обмеженими твердими розчинами перитектичного типy.
- •11. Фізико-хімічні принципи легування матеріалів з різним типом хімічного зв’язку. Методи легування кристалів.
- •12. Методи вирівнювання складу кристалів ( активні і пасивні
- •13. Особливості легування склоподібних напівпровідників
- •14.Хімічний склад металевих сплавів високого опору, фізичні і хімічні властивості та використання в електроніці.
- •15.Технологічний процес одержання, характерні фізичні властивості та застосування кремнію.
- •16. Методи вирощування кристалів. Рекристалізація і перекристалізація.
- •17. Методи вирощування кристалів. Нормально напрямлена кристалізація розплаву. Метод Чалмерса,
- •18. Метод вирощування кристалів Чохральського
- •19.Провідникові матеріали на основі окислів металів, технологія, фізичні властивості і застосування.
- •20. Методи вирощування кристалів. Нормально напрямлена кристалізація розплаву. Методи Бріджмена, Бріджмена-Стокбаргера.
- •21. Трьохкомпонентні і багатокомпонентні системи. Зображення складу трьохкомпонентних систем. Трикутник Гіббса. Загальний метод зображення діаграми стану багатокомпонентних систем.
- •22. Тугоплавкі провідникові метали. Порошкова технологія та особливості виготовлення електротехнічних елементів на основі тугоплавких металів і їх застосування.
- •23. Піроелектричний ефект, матеріали піроелектрики і їх застосування в електроніці.
- •24. Технологічний процес одержання, характерні фізичні властивості та застосування германію.
- •25. Технологія алюмінію, фізичні властивості, промислові марки та застосування в електроніці
- •26. Фізико-хімічні основи процесів очистки та розділення сировинних компонент. Сорбційні методи очистки.
- •27. Вплив зовнішніх факторів на властивості матеріалів. Пластична деформація і термічна обробка металів і напівпровідників.
- •28. Класифікація провідникових матеріалів по типу і величині провідності, хімічному складу, температурі плавлення.
- •29. Аморфні матеріали: метали, напівпровідники, діелектрики. Халькогенідні склоподібні напівпровідники. Аморфний гідрогенізований кремній
- •32. Матеріали для твердотілих лазерів. Вимоги до активатора і матеріалу пасивного діелектрика. Будова робочого тіла yag лазерів
- •33. Двокомпонентні системи конденсованого типу. Діаграми стану з утворенням хімічної сполуки.
- •35. Одержання кристалів з рідких та твердих розчинів. Методи одержання кристалів з газової фази.
- •36. Фізико-хімічні основи процесів очистки та розділення сировинних компонент. Методи, які базуються на перегонці через газову фазу.
- •38. Ректифікація.
- •39. Нанокристалічні і наноструктуровані матеріали. Властивості і використання.
- •40. Електрети. Технологія властивості і застосування.
- •41. Полімерні електроізоляційні матеріали.
- •42. П’єзоелектричні кристали: характерні властивості, матеріали і застосування.
35. Одержання кристалів з рідких та твердих розчинів. Методи одержання кристалів з газової фази.
36. Фізико-хімічні основи процесів очистки та розділення сировинних компонент. Методи, які базуються на перегонці через газову фазу.
Речовину вважають достатньо чистою, якщо вміст домішок в ній не перевищує ту кількість, яка не дозволяє використати цю речовину для заданої мети.
В хімічній і металургійній промисловості, в залежності від ступені очистки речовини, встановлені слідуючі класи:
“чистий” (марки Ч, містять від 2·10-5 до 1,0% домішок);
“чистий” для аналізу (марки ЧДА, містить від 1·10-5 до 0,4% домішок);
“хімічно чистий” марки ХЧ, містить від 5·10-6 до 0,5% домішок);
“особливо чистий” (марки ОСЧ, вміст домішок не більше 0,05%).
Неметали і хімічні сполуки відносять до високочистих речовин, якщо вміст домішок, що лімітується, в них не менше ніж на порядок нижчий в порівнянні з відповідною маркою ХЧ і на два порядки – для марки ЧДА і на три порядки для марки Ч.
До високочистих речовин відносяться метали і напівпровідникові матеріали, якщо вміст кожної з контрольованих домішок в ній не перевищує 1·10-4 % (по масі).
Високочистим речовинам в залежності від кількості і сумарної концентрації контрольованих домішок присвоюються марки ВЭЧ (вещество эталонной чистоты) і ОСЧ.
Процеси перегонки через газову фазу лежать в основі очистки простих речовин (елементів) і хімічних сполук, що мають високу пружність парів.
Сублімація (возгонка) являє собою процес безпосереднього переходу речовини із твердого стану в пароподібний. Сублімація як метод розділення і очистки можлива для тих речовин, які при температурі нижче точки плавлення характеризуються досить високим тиском парів. При наявності в речовині домішок більш летких ніж основна речовина, домішки можуть відігнатися при низькій температурі, а домішки слабо леткі – зосередяться в кубовому залишку після возгонки основного компонента.
Дистиляція
являє собою процес розділення рідкого
розчину на його складові частини, що
характеризуються різним тиском парів
шляхом їх випаровування з наступною
конденсацією утворених парів. В загальному
випадку відносний вміст компонентів
розчину в парі буде відрізнятися від
їх відносного вмісту в розчині. Тільки
в ідеальній системі, компоненти якої
мають однаковий тиск парів в чистому
стані, співвідношення компонентів в
парі над розчином і в розчині рівні. У
всіх інших ідеальних системах в паровій
фазі в порівнянні з розчином завжди
переважає тільки той із компонентів,
який має більший тиск пари в чистому
виді. На рис.28 пунктиром показано
сімейство типових кривих, що виражають
залежність складу пари від складу
розчину при
в різних ідеальних системах в тому
випадку, якщо компонент
більш леткий. Лінійна
залежність (діагональ квадрата) відповідає
випадку, коли склади пари і розчину
рівні між собою.
Рис.28. Графіки залежності складу пари від складу розчину в різних системах: 1 – з додатнім відхиленням від закону Рауля; 2 – з від’ємним відхиленням від закону Рауля
37. Закони Коновалова для перегонки через газову фазу.
Перший закон Коновалова.
Якщо нагріти розчин складу
(рис.29) до температури кипіння
,
то пара, рівноважна з цим розчином, має
склад
,
що збагачений компонентом
.
Після випаровування певної
кількості розчину залишок збагачується
компонентом
і має склад, наприклад,
.
Розчин цього складу закипить, якщо
температура його підніметься до
.
Пара, що знаходиться в рівновазі з цим
розчином, має склад, що теж збагачується
компонентом
в порівнянні з цим розчином. По мірі
випаровування залишок розчину збагачується
компонентом
,
і температура кипіння відповідно
підвищується.
Якщо пару, що виділилася при
складу
,
сконденсувати і одержаний конденсат
знову піддати дистиляції, то він буде
кипіти при температурі
і пара буде мати склад
,
тобто ще збагатиться
компонента
.
Рис.29. Діаграми стану склад-тиск
пари
і склад-температура кипіння
для різних типів систем рідини
– пари
.
Другий закон Коновалова. Точки максимума або мінімума на діаграмах стану склад – тиск пари і склад – температура кипіння відповідають розчинам, склад яких однаковий з складом рівноважної їм пари.Розчини, що відповідають цим точкам, називаються азеотропними. Системи з азеотропами в результаті дистиляції розділяються на один із двох чистих компонентів і відповідний азеотроп. Азеотроп не розкладається на компоненти при випаровуванні і тому для цього використовують екстракцію, кристалізацію або інші методи.
Для кількісної характеристики
процесів розділення при дистиляції
користуються коефіцієнтом розподілу,
де
і
– мольні долі компонентів в парі і
розчині відповідно.
Для
двокомпонентної системи
;
.
Оцінка ефективності
перерозподілу основного компонента і
домішки між парою і рідкою фазами
проводять також за допомогою коефіцієнта
розділення
.