Основы современных технологических процессов

1. Понятие эпитаксии. Основные виды и методы эпитаксиального наращивания. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии.

2. Литография. Основные процессы фотолитографии. Фоторезисты. Фотошаблоны и их свойства. Проекционная фотолитография.

3. Защитные диэлектрические пленки. Термическое окисление кремния в парах воды, в сухом и во влажном кислороде. Плазмохимическое осаждение окисленных пленок.

4. Получение структур методом диффузии. Распределение примесей при диффузии. Технологические приемы получения диффузионных структур. Определение режимов диффузии.

Современные методы исследования материалов

1. Методы голографической интерферометрии. Восстановление голографического изображения. Технические приложения.

2. Сканирующая туннельная микроскопия. Физические основы, оборудование, применение.

3. Метод ядерных реакций. Нейтронное глубинное профилирование.

4. Метод резерфордовского обратного рассеяния. Режим каналирования. Определение профиля распределения концентрации легирующей примеси.

Физико-химия поверхности

1. Атомная структура идеальной поверхности кристалла. Релаксированные и реконструированные поверхности. Дефекты структуры на атомарно-чистой поверхности.

2. Колебания атомов вблизи поверхности. Анализ колебательного спектра атомов на атомарно-чистой поверхности. Тепловое расширение поверхностных решеток.

3. Электронная структура поверхности твердых тел. Модель желе. Одномерная зонная теория.

4. Основные характеристики области пространственного заряда (ОПЗ). Заряд ОПЗ. Избыток свободных носителей заряда в ОПЗ.

Рекомендуемая литература Теория групп симметрии

1. Поклонский Н.А., Власов А.Т., Вырко С.А. Конечные группы симметрии. Основы и приложения: Учеб. пособие.— Минск: Беларус. Энцыкл. iмя П. Броўкi, 2011.— 464 с.

Инженерная графика

1. Абламейко, С.В. Обработка изображений: технологии, методы, применение / С.В. Абламейко, Д.М. Лагуновский. – Минск: Амалфея, 2000. – С. 94-105.

2. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для вузов /О.В Алексеев [и др.]; под общ. ред. О.В. Алексеева. – М.: Высшая школа, 2000.

3. Абламейко, С.В. Обработка изображений: технологии, методы, применение /С.В. Абламейко, Д.М. Лагуновский. – Минск: Амалфея, 2000. Гл. 6.4; гл. 7.

4. Чекмарев, А.А. Инженерная графика /А.А. Чекмарев. – М.: Высшая школа, 2000. Гл. 11

Основы современных технологических процессов

1. Чистяков, Ю.Д. Физико-химические основы технологии в микроэлектронике / Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова.– М.: Металлургия, 1979.– 526 с.

2. Курносов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем /А.И. Курносов, В.В. Юдин. – М.: Высшая школа, 1986. – 368 с.

3. Технология СБИС: в 2 т./ под ред. С. Зи. - М.: Мир, 1986. – Т.1. – 404 с.; Т.2. – 454 с.

4. Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Основы современных технологических процессов. Курс лекций. – Минск: БГУ, 2011 – 135 с.