Литература

1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.— М.: Наука, 1990.— 688 с.

2. Киреев П.С. Физика полупроводников.— М.: Высш. шк., 1975.— 584 с.

3. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках.— М.: Мир, 1986.— 304 с.

4. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Поденок С.Л. Статистическая физика полупроводников. Курс лекций.— М.: Эдиториал УРСС, 2005.— 268 с.

5. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния.— М.: Физматлит, 2005.— 632 с.

6. Боровик Е.С., Еременко В.В., Мильнер А.С. Лекции по магнетизму.— М.: Физматлит, 2005.— 512 с.

7. Аморфные и поликристаллические полупроводники / Под ред. В. Хейванга.— М.: Мир, 1987.— 160 с.

8. Оджаев В.Б., Попок В.Н., Азарко И.И. Физика электропроводящих полимеров.— Мн.: БГУ, 2000.— 82 с.

9. Щука А.А. Наноэлектроника.— М.: Физматкнига, 2007.— 464 с.

10. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. —М.: Техносфера, 2004.— 328 с.

1-31 04 01-04 17 «Новые материалы и технологии»

(Направление: 1-31 04 01-04 – управленческая деятельность)

1. Типы химических связей атомов в кристаллах. Точечная и пространственная симметрия кристаллических решеток. Решетки Браве.

2. Уравнение Шредингера для кристалла. Адиабатическое и одноэлектронное приближения.

3. Теория квазисвободного и квазисвязанного электрона в кристалле. Модель Кронига-Пенни.

4. Трансляционная симметрия поля решетки. Квазиимпульс электрона проводимости; приближение эффективной массы. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна.

5. Плотность состояний делокализованных электронов и электронных вакансий (дырок) в кристаллическом полупроводнике. Эффективная масса плотности состояний. Легкие и тяжелые дырки.

6. Уровень Ферми электронов. Концентрация делокализованных электронов и дырок в собственном и легированном полупроводниках.

7. Колебания кристаллической решетки. Акустические и оптические фононы. Статистика фононов. Теплоемкость решетки.

8. Зонная электропроводность кристаллических полупроводников на постоянном токе. Рассеяние носителей заряда. подвижность электронов и дырок.

9. Классический эффект Холла. Магниторезистивный эффект. Термоэлектрические и термомагнитные явления в полупроводниках.

10. Неравновесные электроны и дырки в полупроводниках. Уравнение непрерывности. диффузия и дрейф носителей заряда. Квазиуровень Ферми для электронов и дырок.

11. Поглощение света в кристаллических полупроводниках. Прямые и непрямые межзонные переходы. Решеточное поглощение. Примесное и межпримесное поглощение света. Фотопроводимость.

12. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. Излучательная рекомбинация в кристаллических полупроводниках. Ударная рекомбинация (рекомбинация Оже). Рекомбинация электронов и дырок через локальные центры (примесные атомы).

13. Перенос электронов (дырок) по локализованным состояниям (прыжковая и поляронная электропроводность кристаллов).

14. Низкоразмерные полупроводниковые системы. Квантовые точки, нити, ямы. Полупроводниковые сверхрешетки.

15. Решетка алмаза. Аллотропные формы углерода. Фуллерены. Графен. Углеродные нанотрубки.

16. Аморфные полупроводники. Органические полупроводники.

17. Молекулярная микроэлектроника. Пленки Лэнгмюра-Блоджетт. Молекулярный выпрямитель. Эффекты кулоновской блокады. Транспорт в структурах металл-молекула-металл. Молекулярные транзисторы.

18. Основные достижения полимерной электроники. Перспективы применения полимеров в электронике.

19. Развитие микроэлектронных технологий. Элементная база наноэлектроники.

20. Мировой рынок электронной промышленности.