Литература

1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.— М.: Наука, 1990.— 688 с.

2. Киреев П.С. Физика полупроводников.— М.: Высш. шк., 1975.— 584 с.

3. Шалимова К.В. Физика полупроводников.—СПб.: Издательство «Лань», 2010.— 400 с.

4. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников.— М.: Наука, 1978.— 616 с.

5. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела.— М., 1978.— 791 с.

6. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках.— М.: Мир, 1986.— 304 с.

7. Поклонский Н.А., Вырко С.А., Поденок С.Л. Статистическая физика полупроводников. Курс лекций.— М.: Эдиториал УРСС, 2005.— 268 с.

8. Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния.— М.: Физматлит, 2005.— 632 с.

9. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников.— М.: Физматлит, 2002.— 560 с.

10. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.— СПб.: Издательство «Лань», 2009.— 480 с.

1-31 04 01-02 17 «Новые материалы и технологии»

(Направление: 1-31 04 01-02 – производственная деятельность)

1. Типы химических связей атомов в кристаллах. Точечная и пространственная симметрия кристаллических решеток. Решетки Браве. Индексы Миллера.

2. Уравнение Шредингера для кристалла. Адиабатическое и одноэлектронное приближения.

3. Теория квазисвободного и квазисвязанного электрона в кристалле. Модель Кронига-Пенни.

4. Трансляционная симметрия поля решетки. Квазиимпульс электрона проводимости; приближение эффективной массы. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна.

5. Плотность состояний делокализованных электронов и электронных вакансий (дырок) в кристаллическом полупроводнике. Эффективная масса плотности состояний. Легкие и тяжелые дырки.

6. Уровень Ферми электронов. Концентрация делокализованных электронов и дырок в нелегированном металле, полуметалле, бесщелевом и собственном полупроводниках.

7. Колебания кристаллической решетки. Акустические и оптические фононы. Статистика фононов. Теплоемкость решетки.

8. Водородоподобные атомы примеси в кристалле. Фактор вырождения энергетического уровня. Температурная зависимость уровня Ферми и концентрации делокализованных электронов (дырок) в слаболегированном кристаллическом полупроводнике.

9. Зонная электропроводность кристаллических полупроводников на постоянном токе. Рассеяние носителей заряда. подвижность электронов и дырок.

10. Классический эффект Холла. Магниторезистивный эффект. Термоэлектрические и термомагнитные явления в полупроводниках.

11. Неравновесные электроны и дырки в полупроводниках. Уравнение непрерывности. диффузия и дрейф носителей заряда. Квазиуровень Ферми для электронов и дырок.

12. Поглощение света в кристаллических полупроводниках. Прямые и непрямые межзонные переходы. Решеточное поглощение. Примесное и межпримесное поглощение света. Фотопроводимость.

13. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. Излучательная рекомбинация в кристаллических полупроводниках. Ударная рекомбинация (рекомбинация Оже). Особенности рекомбинации на поверхности.

14. Дефекты кристаллической решетки. Механизмы миграции атомов (ионов) в кристаллах. Ассоциаты примесей и собственных дефектов решетки.

15. Перенос электронов (дырок) по локализованным состояниям (прыжковая и поляронная электропроводность кристаллов)

16. Рекомбинация электронов и дырок через локальные центры (примесные атомы). Механизм выполнения законов сохранения энергии и квазиимпульса при рекомбинации через локальные центры. Статистика рекомбинации Шокли-Рида-Холла.

17. Низкоразмерные полупроводниковые системы. Квантовые точки, нити, ямы. Полупроводниковые сверхрешетки.

18. Решетка алмаза. Аллотропные формы углерода. Фуллерены. Графен. Углеродные нанотрубки.

19. Аморфные, стеклообразные и жидкие полупроводники (расплавы). Органические (молекулярные) полупроводники. Твердые электролиты.

20. Типы магнитного упорядочения в твердых телах. Намагничивание материалов. Измерение индукции магнитного поля.