- •«Электроника»
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •Isbn 5-7723-0086-5 Севмашвтуз, 2008 введение
- •Техника безопасности при проведении лабораторных работ
- •Лабораторная работа № 1 «исследование полупроводниковых диодов»
- •1. Теоретические положения
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчёта
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчёта
- •Основными параметрами пт являются:
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •Основные параметры тиристора:
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •1.1. Фоторезистор
- •1.2. Фотодиод
- •1.3. Фототранзистор
- •1.4. Светоизлучающие диоды
- •1.5. Оптрон
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Содержание
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •164500, Г. Северодвинск, ул. Воронина, 6
2. Описание лабораторного стенда
2.1. Приборы, используемые в работе:
источник питания, содержащий генератор тока ГТ и генератор напряжения ГН2 с регуляторами «грубо» и «точно»;
цифровой вольтметр В7-27А или В7-16А;
микроамперметр Ф195;
миллиамперметр М2015 или аналогичный.
Испытательный стенд с мнемосхемой, показан на рис. 1.2, а и б.
2.3. Перед измерениями собрать схему, подключив к соответствующим гнездам измерительные приборы и источники питания ГТ или ГН2.

3. Порядок выполнения работы
3.1. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.
Прямая ветвь ВАХ диода, т.е. зависимость прямого тока IПР от напряжения UПР снимается с помощью схемы, расположенной в левой верхней части лабораторного стенда (рис. 1.2, а).
3.1.1. Собрать схему для снятия ВАХ диодов, включив измерительные приборы и генератор тока в соответствующие гнезда стенда, соблюдая полярность: миллиамперметр Ф195, переключатель пределов измерений которого должен быть предварительно установлен в положение «10 мА», включается в гнезда Х3 и Х4; цифровой вольтметр, предел измерения которого должен быть установлен в положение «1 В» постоянного напряжения, включается в гнезда Х5 и Х6; с помощью соединительных проводов, расположенных в верхней части лабораторной панели, подключить генератора тока ГТ к соответствующим клеммам источника питания лабораторной установки.
Внимание: строго соблюдать полярность подключения ГТ; регуляторы ГТ «грубо» и «точно» установить в крайнее левое положение.
3.1.2. Включить источник питания.
3.1.3. Регулируя ручками «грубо» и «точно», расположенными на корпусе источника питания лабораторной установки, величину выходного тока ГТ в диапазоне от 0 до 10 мА снять 1012 точек прямой ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов.
Диод выбирается с помощью переключателя S, расположенного на стенде. В положении переключателя, помеченном буквой «К», подключается кремниевый диод, в положении «Г» - германиевый диод.
3.1.4. Результаты измерений занести в табл. 1.1.
Таблица 1.1
|
IПР, мА |
0 |
0,02 |
0,05 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,5 |
1,0 |
|
10 | |
|
UПР, В |
Германиевый диод |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кремниевый диод |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.2. Исследование обратной ветви вольт-амперной характеристики диода.
Обратная ВАХ диода, т.е. зависимость обратного тока IОБР от обратного напряжения UОБР снимается с помощью схемы, расположенной в правой части лабораторного стенда (см. рис. 1.2, б).
3.2.1. Собрать схему для снятия обратной ВАХ диода, включив измерительные приборы и генератор напряжения ГН2 в соответствующие гнезда стенда, соблюдая полярность:
- предел измерения микроамперметра Ф195 установить в положение «10 мкА» при исследовании кремниевого диода. Затем подключить его к гнездам Х9 и Х10;
- предел измерения цифрового вольтметра переключить в положение «10 В» и подключить его к гнездам Х10 и Х11;
- регуляторы источника напряжения ГН2 «грубо» и «точно» установить в минимальное положение (крайнее левое) и с помощью соединительных проводов подключить источник ГН2 к испытательному стенду.
Регулируя ручками «грубо» и «точно» величину выходного напряжения ГН2 в диапазоне от 0 до 15 В снять 1012 точек обратной ветви ВАХ германиевого и кремниевого диодов. Шаг измерения UОБР можно выбирать произвольно. Результаты измерений занести в табл. 1.2.
Таблица 1.2
|
UОБР, B |
0 |
1 |
2 |
4 |
6 |
|
15 | |
|
IОБР, мкА |
Германиевый диод |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кремниевый диод |
|
|
|
|
|
|
|
3.3. Построить графики зависимостей IПР = f(UПР) и IОБР = f(UОБР) в одних координатных осях (аналогично рис. 1.1): положительная полуось абсцисс - UПР, положительная полуось ординат IПР; отрицательная полуось абсцисс - UОБР, отрицательная полуось ординат - IОБР. Шкалы на полуосях (положительной и отрицательной) выбираются не одинаковыми.
3.4. По полученным экспериментальным данным определить основные эксплуатационные параметры исследованных диодов: IН; UПР; RОТП, RЗАП; UВКЛ, IО для германиевых и кремниевых диодов.
3.5. Сопоставить полученные данные и сделать выводы.
