- •«Электроника»
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •Isbn 5-7723-0086-5 Севмашвтуз, 2008 введение
- •Техника безопасности при проведении лабораторных работ
- •Лабораторная работа № 1 «исследование полупроводниковых диодов»
- •1. Теоретические положения
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчёта
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчёта
- •Основными параметрами пт являются:
- •2. Описание лабораторной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •Основные параметры тиристора:
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •1.1. Фоторезистор
- •1.2. Фотодиод
- •1.3. Фототранзистор
- •1.4. Светоизлучающие диоды
- •1.5. Оптрон
- •2. Описание лабораторного стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Содержание
- •Раздел I. «Элементная база электроники»
- •164500, Г. Северодвинск, ул. Воронина, 6
2. Описание лабораторного стенда
Принципиальная схема лабораторного стенда показана на рис. 6.9. В работе исследуются два светоизлучающих диода (видимого спектра излучения и невидимого инфракрасного спектра), а также два типа фотоприёмников (фоторезистор и фотодиод).
При выполнении работы используются следующие приборы, которые подключаются к соответствующим гнездам X1X11стенда:
- цифровой вольтметр типа В7-27 или B7-16A;
- миллиамперметр типа M2015 или аналогичный для измерения тока источника излучения (подключается к клеммам X1, X2или X1, X4);
- микроамперметр типа Ф195 - для измерения тока в цепях фотоприемников, подключается к клеммам X7, X8или X10, X11.
Для подвода светового потока к фотоприемникам используется специальный щуп. Питание стенда осуществляется от источника постоянного напряжения +12 В.
3. Порядок выполнения работы
3.1. Исследовать особенности работы светоизлучающих диодов в следующей последовательности.
3.1.1. Собрать схему для исследования СИД видимого излучения. Для чего потенциометр R3установить в крайнее левое положение (Uпр= 0), затем к гнездам X1, X2подключить миллиамперметр М2015 (предел измерения «15 мА») и к гнездам X0, X3цифровой вольтметр (предел измерения «1 В»).
3.1.2. Подать напряжение +12 В на испытательный стенд, включив тумблер питания на лицевой панели лабораторного стенда.
3.1.3. Изменяя потенциометром R3величину токаIс от 0 доIс.номв соответствии с табл. 6.1, контролировать величину падения напряжения на СИДUпр с точностью до 0,01. Результаты измеренийUпрзанести в табл. 6.1.
3.1.4. Повторить пп. 3.1.13.1.3 для светодиода инфракрасного излучения. При этом миллиамперметр подключается в гнёзда X1, X2, а вольтметр в гнёзда X0, X5.
Таблица 6.1
|
IС, мA |
0 |
0,1 |
0,5 |
1,0 |
2,0 |
… |
10 |
IСmax |
|
UПР, B СИД |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UПР, B ИК СИД |
|
|
|
|
|
|
|
|
3.1.5. По результатам измерений построить ВАХ для обоих светодиодов в одних координатных осях.
3.2. Исследовать особенности работы фоторезистора.
3.2.1. В гнездо ввода светового потока к фоторезистору установить светодиод видимого излучения и регулятором R3сделать токIс= 0. В этом случае световой поток, воздействующий на фоторезистор будет темновым Ф = 0, а фоторезистор будет иметь максимальное темновое сопротивлениеRтболее 100 кОм.
3.2.2. Подключить к гнездам Х0, Х6цифровой вольтметр, предварительно установив режим работы «измерениеR» и предел измерения сопротивления «100 кОм». При этом миллиамперметр должен быть отключен и, следовательно, цепь питания фоторезистора должна быть разомкнута.
3.2.3. Снять зависимость изменения сопротивления Rфот величины светового потока Ф =kIс, т.е. зависимостьRф=f(ФIс). Для этого, изменяя дискретно величину токаIСот 0 доICmax, согласно табл. 6.2, контролировать величину сопротивленияRф. Результаты измерений занести в табл. 6.2.
Таблица 6.2
-
Тип
источника
Ic,
мА
0
0,5
1,0
10
Icmax
Светодиод
видимого
излучения
Rф1,
кОм
Rт
ИК
светодиод
Rф2,
кОм
Rт
3.2.4. Сменить тип источника светового потока (заменить светодиод видимого излучения светодиодом ИК диапазона) и повторить п. 3.2.3.
По результатам измерений построить графики зависимостей Rф1=f(Iс) иRф2=f(Iс), сравнить их и сделать соответствующие выводы.
3.2.5. Снять семейство вольт-амперных характеристик фоторезистора, т.е. зависимость Iф=f(Uф) при различных значениях потока, для чего:
а) в качестве источника света использовать СИД видимого излучения и регулятором тока Iс установить световой поток Ф1= 0, а затем Ф2kIсmax;
б) цифровой вольтметр переключить в режим измерения постоянного напряжения (предел измерения «10 В»). К клеммам Х7, Х8подключить микроамперметр (предел измерения «100 мкА»), замкнув тем самым цепь питания фоторезистора;
в) установив световой поток Ф1, изменять с помощью потенциометраR4величину напряженияUфна фоторезисторе с определенным шагом и при этом контролировать фототок Iф1. Результаты измерений занести в табл. 6.3.
г) установить максимальный световой поток Ф2= Фmax=kICmaxи повто-рить п. 3.2.5, в для фототокаIф2. Предел измерения микроамперметра при необходимости переключить на «10 мА»;
Таблица 6.3
|
|
UФ,B |
0 |
1 |
2 |
4 |
|
12 |
|
Ф1 0 |
IФ1, мкA |
0 |
|
|
|
|
|
|
Ф2 kICmax |
IФ2, мA |
0 |
|
|
|
|
|
д) по результатам измерений построить ВАХ фоторезистора и определить его основные параметры.
3.3. Исследовать особенности работы фотодиода в режиме фотогенератора в следующей последовательности.
3.3.1. Собрать схему для исследования фотодиода, для чего установить источник света в гнездо фотодиода, подключить цифровой вольтметр (предел измерения «10 В») и микроамперметр (предел измерения «100 мкА»). Переключатель S1поставить в положение «ФГ» и тем самым отключить источник питания от схемы. ПотенциометрR5поставить в крайнее левое положение.
3.3.2. Установить ток светодиода Iс1= 5 мА и, изменяя потенциометромR5величину фототокаIфminдоIфmax=Iф К.З., контролировать по вольтметру величину фото-ЭДСEф1, генерируемую фотодиодом. Результаты измерений занести в табл. 6.4.
Таблица 6.4
|
Ф IC |
Iф, мкA |
Iфmin |
|
IФ К.З. |
|
Ic1= 5, мA |
Eф1, мB |
|
|
|
|
Ic1=10, мA |
Eф2, мB |
|
|
|
|
Ic1= 20, мA |
Eф3, мB |
|
|
|
Установить ток светодиода Iс2= 10 мА, а затемIc3= 20 мА и повторить п. 3.3.2.
3.4. Исследовать особенности работы фотодиода в режиме фотопреобразователя, для чего переключатель S1 поставить в положение «ФП», при этом к фотодиоду подключается внешний источник напряжения, запирающей полярности.
3.4.1. Изменить полярность подключения вольтметра (предел измере-ния «10В»), и установить темновой поток Ф = Фт = 0, снизив токIс до нуля. РегуляторR5поставить в крайне правое положение, в которомR5= 0.
3.4.2. Снять темновую ВАХ фотодиода, для чего измерять регулятором R6величину обратного напряжения на фотодиодеUоброт 0 доUОБР max12 В и по микроамперметру (предел измерения «10» или «100 мкА») контролировать величину токаIф. Результаты измерений занести в табл. 6.5 в графуIО.
Таблица 6.5
|
Тип источника и величина Ф |
Uобр, B |
0 |
0,5 |
1,0 |
2,0 |
|
Umax |
|
Iсв= 0 |
IО, мA |
|
|
|
|
|
|
|
Iсв= 5 мA |
Iф1, мA |
|
|
|
|
|
|
|
Iсв= 10 мA |
Iф2, мA |
|
|
|
|
|
|
|
Iсв= 20 мA |
Iф3, мA |
|
|
|
|
|
|
|
ИК СД Iсв= 20 мA |
Iф ИК, мA |
|
|
|
|
|
|
3.4.3. Снять семейство ВАХ фотодиода в режиме преобразования, для чего последовательно изменять световой поток Ф = const, устанавливая ток светодиода Iсв= 5 мА; 10 мА и 20 мА в соответствии с табл. 6.5, и при каждом значении токаIсповторить п. 3.4.2. Результаты измерений занести в табл. 6.5.
3.4.4. Исследовать влияние ИК светодиода на чувствительность фотодиода. Сменить источник светового потока, заменив обычный светодиод ИК светодиодом, затем установить ток IсВ= 20 мА и аналогично п. 3.4.2 снять ВАХ фотодиода. Результаты занести в табл. 6.5 в графу ИК СД.
По результатам исследований (табл. 6.4 и 6.5.) построить в одних координатах общее семейство ВАХ фотодиода. По характеристикам определить основные параметры ФД и сделать выводы.
