Сверхрешетки

31

островковом механизме роста вещество с самого начала оседает на поверхности в виде многослойных конгломератов атомов.

3. Промежуточным между этими двумя механизмами является рост Странски-

Крастанова (Stransky-Krastanov, layer-plus-island grows), при котором первый слой полностью покрывает поверхность подложки, а на нем происходит рост трехмерных островков пленки. К этому механизму могут приводить многие факторы, в частности достаточно большое несоответствие между параметрами кристаллических решеток пленки и подложки.

Очевидно, что наиболее совершенные сплошные тонкие пленки будут получаться при послойном механизме их роста. Поэтому при создании эпитаксиальных СР необходимо создавать условия для послойного роста слоев друг на друге.

1.5. Структурный анализ и свойства сверхрешеток

В работах по исследованию СР значительное место занимают вопросы, связанные с изучением профиля сверхрешеточной структуры и совершенства границ гетеропереходов. Из структурных методов наибольшее распространение получили два: определение глубинного профиля концентраций элементов методом электронной оже-спектроскопии (ЭОС) в сочетании с ионным травлением и дифракция рентгеновских лучей.

Сущность метода ЭОС (разрешающая способность которого составляет до 2 нм) заключается в исследовании интенсивности сигнала Оже-спектров алюминия, галлия, мышьяка при стравливании слоев СР ионами аргона с предварительной калибровкой интенсивности Оже-сигналов для каждого элемента. На рис. 1.8 представлен экспериментальный оже-профиль состава сверхрешеточной структуры [7], состоящей из чередующихся слоев GaAs и Al0,25Ga0,75As.

Толщина каждого слоя составляла 5 нм. Точками на рисунке показаны экспериментальные значения величины x в формуле AlxGa1-xAs. Эти значения были вычислены из отношения интенсивностей оже-пиков Al (1390 эВ) и As

32

Рис.1.8. Оже-профиль СР GaAs - AlxGa1-xAs с периодом 10 нм. Точками обозначены результаты измерений, сплошной линией – истинный профиль СР.

(1228 эВ). Профиль концентрации Al получен последовательным стравливанием поверхностнных слоев сверхрешеточной структуры ионами аргона с энергией 1,5 кэВ. Скорость травления составляла 0,3 – 1 нм/мин Постепенное уменьшение амплитуды осцилляций величины x по мере травления связано с пространственным различием скоростей травления по площади сфокусированного пучка ионов аргона. Недостатком данного метода является разрушение образца СР в процессе его исследования.

Наиболее эффективным неразрушающим методом контроля структуры СР является дифракция рентгеновских лучей. Различают рентгеновское рассеяние при больших (брэгговских) углах и при малых (возле первичного пучка). На рентгенограммах многослойных структур в области брэгговских отражений вместо рефлексов от слоев, составляющих СР, появляется интерференционная картина, состоящая из центрального (нулевого) пика и боковых рефлексовсателлитов (рис. 1.9). Расстояние между рефлексами-сателлитами ( СР) определяется периодом СР (d) [17]:

где λ - длина волны рентгеновских лучей; Θ - угол дифракции.

33

Рис.1.9. Экспериментальная (сплошная) и расчетная (пунктир) кривые дифракции рентгеновских волн для СР PbTe/PbEuTe [19]. SL0 – нулевой рефлекс.

При малых углах отражения рентгеновских лучей будет аналогичная картина: вблизи первичного пучка появятся дополнительные рефлексы, обусловленные периодичностью сверхрешетки. Положения этих рефлексов (Θm) связаны с периодом СР (d) [18]:

где δ - величина преломления рентгеновских лучей, которая становится существенной вблизи первичного пучка.

Таким образом, по дифракции рентгеновских лучей можно с высокой точностью (менее 1 Å) определить период СР. Погрешность в определении периода СР будет определяться погрешностью измерения расстояний между сателлитами.

Уникальные физические свойства сверхрешеток определяются особенностями их энергетического спектра. Идея создания СР возникла в результате поиска

34

новых приборов с отрицательной дифференциальной проводимостью. При наложении внешнего электрического поля по оси сверхрешетки электроны, ускоряясь, будут увеличивать абсолютные значения z-компоненты волнового вектора. Если длина свободного пробега электронов намного больше периода СР, то электроны, не успев рассеяться, достигнут границ сверхрешеточной зоны Бриллюэна в точках -π/d и +π/d, где их эффективная масса отрицательная. В этом случае дрейфовая скорость электронов будет падать с ростом приложенного электрического поля, что соответствует отрицательной проводимости. Впервые отрицательную проводимость было обнаружено в сверхрешетке GaAs – GaAlAs [2].

Еще один квантовый эффект наблюдается в СР при условии, что время рассеяния электронов достаточно велико [20]. При наложении к СР внешнего электрического поля E электроны начнут совершать периодическое движение в минизоне, испытывая при этом брэгговское рассеяние на ее обеих границах. Частота осцилляций определяется выражением:

Для электрического поля Е = 103 В/см и постоянной решетки d = 10 нм ν = 250 ГГц.

Оптические измерения в СР являются мощным средством изучения энергетического строения минизон, плотности состояний в них, совершенства гетерограниц и других физических характеристик СР [21-23]. Измерения оптического поглощения и люминесценции в СР предоставляют убедительные доказательства квантования энергетических уровней в этих структурах. В оптических спектрах наблюдается ряд узких экситонных пиков, разделенных горизонтальными участками, что свидетельствует о двумерном характере плотности состояний электронов в СР.

Необычные свойства сверхрешеточных структур дают много интересных возможностей для их приборного применения. Большую группу составляют оптоэлектронные приборы, в частности, фотоприемники, светоизлучающие

35

приборы (инжекционные лазеры и светодиоды), пассивные оптические элементы (волноводы, модуляторы, направленные ответвители и др.) [24-34].

Инжекционные лазеры на гетеропереходах имеют значительные преимущества перед обычными полупроводниковыми лазерами, поскольку инжектированные носители в лазерах на гетеропереходах сосредоточиваются в узкой области. По этой причине состояние инверсной населенности носителей заряда достигается при значительно меньших плотностях тока, чем в лазере на p- n-переходе. Применение вместо одиночных гетеропереходов многослойных сверхрешеточных структур позволяет изготовить лазеры, работающие на нескольких длинах волн.

В качестве примера можно привести многоволновой лазер [35], в структуре которого имеется четыре активных слоя AlxGa1-xAs разного состава (x = x1, x2, x3, x4), благодаря которым лазер одновременно работает на четырех длинах волн λ1,

λ2, λ3 и λ4. Активные слои отделены друг от друга промежуточными слоями AlyGa1-yAs (y > x1, x2, x3, x4). Для создания p-n-переходов в структуре проводилась локальная диффузия Zn. Поскольку в активных слоях мольные доли Al различны, лазерная генерация от каждого p-n-перехода возникает на разных длинах волн.

Большую группу приборов на полупроводниковых сверхрешетках составляют устройства с отрицательным дифференциальным электросопротивлением [36-37]. На основе полупроводниковых сверхрешеток изготавливают также различные транзисторы. Достаточно большая частота квантовых осцилляций электронов в СР значительно расширяет возможности изготовленных на их основе приборов СВЧ [38-39].

Подводя итог обзору литературы, следует отметить, что сверхрешетки представляют собой новый класс искусственных полупроводниковых структур с управляемым зонным спектром носителей заряда. Целенаправленно изменяя состав и структуру СР, можно прогнозировано изменять их энергетическую зонную структуру и получать уникальные физические свойства, недостижимые для обычных кристаллов и пленок.

36

Основными требованиями к материалам при создании эпитаксиальных СР являются: 1) послойный рост используемых материалов друг на друге; 2) различие их запрещенных зон; 3) нулевое несоответствие периодов их решеток. Поэтому, одним из актуальных вопросов для создателей сверхрешеток является поиск материалов, удовлетворяющих этим условиям. За последние десятилетия основные усилия исследователей и, естественно, наиболее заметные успехи достигнуты для СР на основе А3В5 и А2В6, для которых проблему нулевого несоответствия решают при помощи создания многокомпонентных барьерных слоев. Исследованиям многослойных структур с большим несоответствием решеток сопрягаемых слоев уделяли недостаточно внимания, так как полагали, что несоответствие может приводить к напряжениям, деформациям и дефектам, что создает дополнительные и нежелательные центры рассеяния для носителей заряда. Таким образом, проблема создания и исследования физических свойств СР на основе многослойных пленок с ненулевым несоответствием решеток слоев к моменту постановки задачи данной работы оставалась нерешенной, что сильно ограничивало как набор материалов для изготовления СР, так и диапазон свойств, получаемых на них.

Решение этой проблемы позволит существенно расширить круг сверхрешеточных материалов, а несоответствие кристаллических решеток сопрягаемых слоев открывает новые возможности по созданию СР с однородно- и неоднородно-упругодеформированными слоями, с упорядоченными системами дислокаций и решетками совпадающих узлов на межфазных границах. Это значительно расширяет как число структурных состояний, так и, соответственно, диапазоны вариации физических свойств СР. Кроме того, появляется возможность создания трехмерных модулированных структур – квантовых точек, в которых движение носителей заряда ограничено в трех направлениях. В обычных СР имеется только одномерная модуляция зонной структуры. В настоящее время уйти от этого ограничения пытаются созданием так называемых квантовых нитей и квантовых точек [30,40-41], которые открывают еще более

37

широкие перспективы как для фундаментальных исследований в области физики полупроводников и диэлектриков, так и для их практического применения.

Поэтому основным направлением данной роботы было выбрано исследование особенностей формирования структуры и физических свойств эпитаксиальных СР и наноструктур на основе многослойных пленочных композиций с несоответствием решеток слоев в широких пределах.

38

РАЗДЕЛ 2 МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ И ФИЗИЧЕСКИХ

СВОЙСТВ СВЕРХРЕШЕТОК

2.1. Методики изготовления и исследования структуры пленок и СР

Образцы для исследований изготавливались в высоковакуумной установке с безмасляной системой откачки (Рост = 10-4 - 10-7 Па) с использованием термического испарения халькогенидов свинца и олова из вольфрамовых лодочек и электронно-лучевого испарения халькогенидов РЗМ (см. рис. 2.1). Многослойные структуры создавались путем попеременного осаждения халькогенидов на свежесколотые подложки (001)KCl и (111)BaF2 при температуре 523 К. Давление остаточных газов в камере контролировалось при помощи ионизационного и термопарного датчиков. Подложки нагревались излучением вольфрамовых нагревателей, а их температура контролировалась хромельалюмелевой термопарой. Толщина слоев и скорость конденсации контролировались при помощи откалиброванного кварцевого резонатора, расположенного рядом с подложками. Скорость осаждения соединений составляла 0,1 - 1,0 нм/с. Калибровка резонатора осуществлялась по данным измерений толщины однослойных пленок (интерферометр Линника) и СР (рентгеновская дифрактометрия).

Для электронно-микроскопического исследования пленок на просвет они отделялись от подложек BaF2 при помощи желатины или растворением подложек KCl в дистиллированной воде. После отделения от подложек образцы вылавливались на объектные сеточки и изучались на электронном микроскопе ЭМВ-100 АК при ускоряющем напряжении 100 кВ. Разрешение микроскопа 1 нм, диапазон использовавшихся увеличений от 10 до 90 тыс. крат. Субструктура пленок изучалась с помощью метода дифракционного контраста с использованием светло- и темнопольной микроскопии. Для определения фазового состава образцов проводились съемки в режимах общей и микродифракции.

39

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

Рис. 2.1. Схема установки для получения тонких пленок и сверхрешеток (СР) EuS-PbS: 1) высоковакуумная камера; 2) подложкодержатель-печь для нагрева подложек; 3) вольфрамовый нагреватель; 4) термопара; 5) подложка; 6) кварцевый резонатор; 7) заслонки; 8) испаряемые вещества; 9) электронная пушка; 10) перегородка; 11) вольфрамовая лодочка.

Рентгеновские съемки для определения фазового состава образцов, толщины однослойных пленок, величины периода и толщин слоев СР проводились на отражение, используя схему двойного кристалл-спектрометра в Cu-Kα1 (λ = 0,154051 нм) излучении при Θ - 2Θ сканировании (рис. 2.2). При съемках использовалось отражение (400) от кремниевого кристалла-монохроматора. Запись интенсивности дифрагированного пучка велась автоматически с применением ЭВМ. Для данных съемок использовались горизонтальные щели 0,5 мм и 0,25 мм и вертикальная щель 2 мм.

40

2.2. Методика диффузионных отжигов

Серия диффузионных отжигов СР, выращенных на подложках KCl, была проведена в вакууме (10-3 Па) при температурах 543 - 733 К. Чтобы избавиться от рефлексов подложки при рентгеновской съемке и возможного диффузионного взаимодействия с ней, сверхрешетки отделялись от KCl растворением его в дистиллированной воде и вылавливались на аморфные кварцевые пластины.

Для отжигов использовалась специальная камера, позволяющая создавать однородное температурное поле вокруг образцов. Кассета с образцами помещалась в данную камеру, где нагрев осуществлялся с помощью двух галогенных ламп мощностью 500 Вт каждая. Температура контролировалась при помощи хромель-алюмелевой термопары, находящейся рядом с образцом. Нагрев образцов до температур отжига занимал 10 минут, а остывание около получаса. Длительность отжигов варьировалась в зависимости от температур отжига от 15 минут до 80 часов.

После каждого отжига производились рентгеновские съемки образцов.

2.3. Методика исследования фотолюминесценции

Спектры фотолюминесценции (ФЛ) были получены при помощи установки, схема которой показана на рис. 2.2. В качестве источника излучения для возбуждения ФЛ использовался импульсный YAG:Nd лазер ЛТИ-502 с длиной волны 1.06 мкм. Длительность импульса (на уровне 0.5 от максимума) составляла 95 нс с мощностью в импульсе до 6 кВт. Излучение лазера через фильтры, диафрагму и зеркала попадало на образец в криостате с окном из BaF2. Излучение ФЛ фокусировалось зеркалами на входную щель монохроматора ИКС-12 с призмой из NaCl, а из его выходной щели на фотоприемник (фоторезистор на основе сплава Cd1-xHgxTe). Сигнал с фотоприемника записывался на компьютер. Использовались два типа криостатов с охлаждением образцов до жидкого азота

(77 К) и гелия (5 К).