
2-2. Основные формулы
.doc3. Основные формулы
Сила взаимодействия точечных зарядов (закон Кулона) где F
- сила взаимодействия двух точечных
зарядов
|
|
|
||||||
Вектор напряженности электрического поля |
|
|
||||||
Напряженность электрического поля, создаваемого точечным зарядом q на расстоянии r от заряда |
|
|
||||||
Напряженность электрического поля, создаваемого металлической сферой радиусом R с общим зарядом q, на расстоянии r от центра сферы |
|
|
||||||
а) внутри сферы (r<R) |
Е=0; |
|
||||||
б) на поверхности сферы (r=R) |
|
|
||||||
в) вне сферы (r>R) |
|
|
||||||
Напряженность поля, создаваемого бесконечно длинной равномерно заряженной нитью (или цилиндром) на расстоянии r от ее (его) оси где
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
Напряженность поля, создаваемого бесконечной равномерно заряженной плоскостью где
|
|
|
||||||
Напряженность
поля в пространстве между двумя
параллельными бесконечными равномерно
и разноименно заряженными
плоскостями с одинаковой по величине
поверхностной плотностью заряда
|
|
|
||||||
Потенциал электрического поля где
|
|
|
||||||
Потенциал электрического поля, создаваемого точечным зарядом q на расстоянии r от заряда |
|
|
||||||
Потенциал электрического поля, создаваемого металлической сферой радиусом R с общим зарядом q, на расстоянии r от центра сферы |
|
|
||||||
а) внутри сферы (r<R) |
|
|
||||||
б) на поверхности сферы (r=R) |
|
|
||||||
в) вне сферы (r>R) |
|
|
||||||
Связь потенциала с напряженностью электрического поля |
|
|
||||||
Вектор электрического смещения |
|
|
||||||
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
Поток вектора
где Еn
– проекция вектора
|
|
|
||||||
Если поле однородно, поверхность S - плоская, то где
|
|
|
||||||
Теорема Остроградского-Гаусса где
|
|
|
||||||
Энергия WП
взаимодействия системы точечных
зарядов
где
|
|
|
||||||
Работа,
совершаемая электрическим полем
при перемещении точечного заряда q
из одной точки поля, имеющей потенциал
|
А=q( |
|
||||||
Электрическая емкость уединенного проводника
где q- заряд проводника,
|
|
|
||||||
Электрическая емкость конденсатора
где q- заряд конденсатора,
|
|
|
||||||
Электрическая емкость уединенной
проводящей сферы радиусом R,
находящейся в бесконечной среде с
диэлектрической проницаемостью
|
|
|
||||||
Электрическая емкость плоского конденсатора
где S - площадь каждой
из обкладок конденсатора; d
- расстояние между обкладками;
|
|
|
||||||
Электрическая емкость плоского слоистого конденсатора
где di
– толщина i-того слоя
диэлектрика,
|
|
|
||||||
Электрическая емкость сферического
конденсатора (две концентрические
сферы радиусами
|
|
|
||||||
Электрическая емкость цилиндрического
конденсатора (два коаксиальных
цилиндра длиной L и
радиусами
|
|
|
||||||
Электроемкость батареи конденсаторов, соединенных последовательно
|
|
|
||||||
параллельно
где Сi – емкость i-того конденсатора, N – число конденсаторов. |
|
|
||||||
Энергия электрического поля заряженного проводника
где q - заряд,
|
|
|
||||||
Энергия электрического поля заряженного конденсатора где С - электрическая емкость конденсатора; U - разность потенциалов на его обкладках. |
|
|
||||||
Объемная плотность энергии электрического поля
где Е - напряженность электрического
поля в среде с диэлектрической
проницаемостью
|
|
|
||||||
Сила тока |
|
|
||||||
Плотность тока |
|
|
||||||
Сопротивление однородного проводника
где
|
|
|
||||||
Сопротивление при последовательном и параллельном соединении проводников где Ri – сопротивление i – того проводника, N – число проводников. |
|
|
||||||
Закон Ома в дифференциальной форме
где
|
|
|
||||||
Закон Ома для однородного участка цепи где I - сила тока, текущего по однородному проводнику, U - напряжение на его концах, R - электрическое сопротивление проводника. |
|
|
||||||
Закон Ома для неоднородного участка цепи в интегральной форме
где
|
|
|
||||||
Закон Ома для замкнутой цепи |
|
|
||||||
Закон Джоуля-Ленца в дифференциальной форме
где w – тепловая мощность
тока,
|
|
|
||||||
Закон Джоуля - Ленца в интегральной форме где dQ- количество теплоты, выделяющейся в неподвижном и химически не изменяющемся проводнике при протекании через него тока силой I в течение времени dt. |
|
|
||||||
Мощность в цепи постоянного тока |
|
|
||||||
полная (выделяющаяся во всей замкнутой цепи) |
|
|
||||||
полезная (выделяющаяся на внешнем сопротивлении R) |
|
|
||||||
К.П.Д. источника тока
|
|
|
||||||
Правила Кирхгофа Первое. Алгебраическая сумма сил токов, сходящихся в узле, равна нулю
|
|
|
||||||
Второе. В любом замкнутом контуре,
произвольно выбранном в разветвленной
электрической цепи, алгебраическая
сумма произведений сил токов
|
|
|
||||||
Сила Ампера в векторной форме: |
|
|
||||||
в скалярной форме:
где
|
|
|
||||||
Магнитный момент замкнутого контура площадью S с током I
где
|
|
|
||||||
Механический момент сил, действующих
на контур с током, помещенный в
магнитное поле с индукцией
в векторной форме: |
|
|
||||||
в скалярной форме:
где
|
|
|
||||||
Сила Лоренца в векторной форме: |
|
|
||||||
в скалярной форме:
где q – заряд частицы,
|
|
|
||||||
Закон Био-Савара-Лапласа в векторной форме:
где
|
|
|
||||||
в скалярной форме:
где
|
|
|
||||||
Индукция магнитного поля в центре кругового проводника (витка) с током I где r - радиус витка. |
|
|
||||||
Индукция магнитного поля, создаваемого бесконечно длинным прямым проводником с током I в точке, находящейся на расстоянии r от оси проводника |
|
|
||||||
Индукция магнитного поля, создаваемого отрезком проводника с током |
|
|
||||||
Индукция магнитного поля, создаваемого соленоидом с током I в средней его части (или тороидом на его оси) где n - число витков, приходящихся на единицу длины соленоида. |
|
|
||||||
Связь
индукции
|
|
|
||||||
Элементарный поток вектора индукции магнитного поля (магнитный поток) через площадку dS
где
|
|
|
||||||
Поток вектора индукции магнитного поля через произвольную поверхность S |
|
|
||||||
Потокосцепление
|
|
|
||||||
Элементарная работа по перемещению контура с током I в магнитном поле где dФ - изменение магнитного потока, пронизывающего поверхность, ограниченную контуром. |
|
|
||||||
Работа при произвольном перемещении контура в магнитном поле |
|
|
||||||
Магнитный поток, сцепленный с соленоидом (катушкой содержащей N витков) где L – индуктивность контура (коэффициент самоиндукции). |
|
|
||||||
Закон электромагнитной индукции (закон Фарадея - Максвелла)
где
|
|
|
||||||
Электродвижущая сила самоиндукции |
|
|
||||||
Индуктивность соленоида
где
|
|
|
||||||
Энергия магнитного поля соленоида (катушки) с индуктивностью L при силе тока I |
|
|
||||||
Объемная плотность энергии магнитного поля |
|
|
||||||
Скорость распространения электромагнитных волн (света) в среде где
с – скорость света в вакууме,
|
|
|
||||||
Длина волны света в среде где
|
|
|
||||||
Оптическая разность хода двух световых волн где
|
|
|
||||||
Связь
разности фаз двух волн ( |
|
|
||||||
Оптическая
разность хода волн
( |
|
|
||||||
а) в отраженном свете: |
или
|
|
||||||
б) в проходящем свете: где
d
- толщина пластинки (пленки),
|
или
|
|
||||||
Условие максимума интенсивности при интерференции двух когерентных волн где
|
k= 0, 1, 2, 3...
|
|
||||||
Условие минимума интенсивности при интерференции двух когерентных волн |
|
|
||||||
Положение максимумов и минимумов интенсивности света при интерференции волн от двух когерентных источников (метод Юнга) где d - расстояние между двумя когерентными источниками (отверстиями в методе Юнга), находящимися на расстоянии L от экрана, параллельного обоим источникам, при условии L >> d. |
k= 0, 1, 2, 3...,
|
|
||||||
Ширина интерференционной полосы при интерференции волн от двух когерентных источников |
|
|
||||||
Радиусы светлых колец Ньютона в отраженном свете (или темных в проходящем) где k - номер кольца, R - радиус кривизны линзы. |
k = 1, 2, 3 ... |
|||||||
Радиусы темных колец Ньютона в отраженном свете (или светлых в проходящем) |
k = 1, 2, 3 ... |
|
||||||
Радиусы зон Френеля |
|
|
||||||
для сферической волны
|
|
|
||||||
для плоской волны где a - расстояние от диафрагмы с отверстием (щелью) до точечного источника света, b - расстояние от диафрагмы до точки наблюдения (экрана), k - номер зоны Френеля. |
|
|
||||||
При дифракции Френеля на круглом отверстии в центре экрана будет наблюдаться а) максимум интенсивности (светлое пятно), если в отверстие укладывается нечетное число зон Френеля; б) минимум интенсивности (темное пятно), если в отверстие укладывается четное число зон Френеля. |
|
|
||||||
Дифракция Фраунгофера на одной щели при нормальном падении лучей |
|
|
||||||
Условие минимума интенсивности света
|
k = 1, 2, 3, . . . |
|
||||||
Условие максимума интенсивности света где
а - ширина щели,
|
|
|
||||||
|
|
|
||||||
Положение главных максимумов при дифракции света на дифракционной решетке при нормальном падении лучей
где
d - период (постоянная) решетки, k - номер
главного максимума (порядок спектра),
|
k = 0, 1, 2, . . .,
|
|
||||||
Разрешающая способность дифракционной решетки где
|
R
=
|
|
||||||
Угловая дисперсия дифракционной решетки где
|
|
|
||||||
Формула Вульфа – Брэггов
где
d
–расстояние между атомными плоскостями
кристалла,
|
k = 1, 2, 3, . .
|
|
||||||
Закон Брюстера где
|
|
|
||||||
Закон Малюса
где
I - интенсивность света, прошедшего
через анализатор, I0
- интенсивность плоскополяризованного
света, падающего на анализатор,
|
|
|
||||||
Степень поляризации света
где
|
|
|