1 Теоретична схема базування для обробки поверхні 1:

1) задача: обробити поверхню 1, витримуючи розмір 9мм, =2,5 мкм.

2) в комплект баз достатньо мати одну поверхню (неповна схема базування), цією поверхнею повинна бути поверхня Н (рисунок 7.1) (за принципом суміщення баз).

3) ця база повинна бути установчою. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічної задачі 1.2.

Ескіз теоретичної схеми базування (ТСБ).

За цією схемою за одне встановлення можна також обробити поверхню 5.

ТСБ №1

2 Теоретична схема базування для обробки отворів 10н7:

1) задача – обробити отвір 10Н7, R_а=2,5 мкм, забезпечуючи при цьому його відстань від контуру полички 25/2, розмір (63+49) мм як довідковий і кут 60 від площини Б-Б те ж як довідковий (розміри – дивись рисунок 7.1)

2) в комплект баз треба взяти: поверхню 1 (до неї треба забезпечити перпендикулярність осі отвору 10Н7); вісь отвору 47Н7 від неї треба витримати розміри (49+63)мм, (47+12,5)мм, контур полички розміром 25мм;

3) поверхня 1 повинна бути установчою (забезпечується перпендикулярність осі отвору 10Н7 до цієї поверхні); вісь отвору 47Н7 повинна бути напрямною (вона позбавляє заготовку двох ступенів свободи); контур полички позбавляє заготовку обертання навколо осі отвору 47Н7 і позбавляє її одного ступеня свободи.

Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує часткове виконання технологічної задачі 2.3.

ТСБ 2

3 Теоретична схема базування для обробки поверхонь 2 і 4.

1) задача – при обробці поверхні 2 витримати розмір 54мм, R_a = 20 мкм; при обробці поверхні 4 витримати розмір 29 мм, R_a = 40 мкм;

2) в комплект баз достатньо взяти одну поверхню – 1 , яка буде установчою технологічною базою;

3) поверхня 1 – установча база. Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічної задачі 2.2 і частково 2.4.

ТСБ №3

4 Теоретична схема базування для обробки поверхонь 6 і 7

1) задачі – обробити отвори 45мм, 52мм. R_a = 40мкм, поверхню 8, розмір =10 мм,R_a = 80 мкм, (дивись рисунок 7.1).

2) в комплект баз треба взяти три поверхні щоб позбавити заготовку шести ступенів свободи: поверхня 1 – 3 ступеня свободи, установча технологічна база; отвір 10Н7 на циліндричний короткий палець – напрямна технологічна база, два ступеня свободи; отвір 10Н7 на урізаний циліндричний короткий палець, один ступень свободи.

Ця схема базування реалізується за принципом суміщення і забезпечує виконання технологічних задач 1.1; 2.1; 2.3; 2.4.

5 Теоретична схема базується для обробки поверхонь 9, 10. 11, 12

1) задачі – обробити 7 отворів 10 мм, 2 отвори 6 мм, отвір під нарізку та нарізати нарізку М161,5 витримуючи при цьому координацію отворів. Що задана кресленням та шорсткість обробки (дивись рисунок 6.1).

2) для забезпечення координації семи отворів 10 мм. треба застосувати накладний кондуктор з базуванням згідно ТСБ №4, теж саме треба зробити при виконанні двох отворів 6 мм і отвору під нарізку М161,5.

Ескіз ТСБ№4

3) установчі технологічні бази – площини Д (для отворів 10 мм) і К (для отворів 6 мм). Напрямна й опорна для отворів 10 мм – два отвори 10Н7, напрямна – отвір 47, опорна – контур малого фланця – для отворів 6 мм.

На етапах Е4, Е6, Е9 обробляються поверхні 6 і 7, для них використовується ТСБ №4.