- •1. Введение
- •2. Термодинамическое преобразование солнечной энергии. Компоненты термодинамического преобразования солнечного излучения.
- •2.1. Конструкции термопреобразователей
- •2.2. Системы улавливания солнечной радиации
- •2.3. Аккумуляторы энергии
- •2.4. Аккумуляторы тепла
- •2.5. Два типа солнечных установок
- •2.6. Гелиостанция башенного типа
- •2.7. Плоские солнечные коллекторы
- •2.8. Вакуумные коллекторы
- •2.9. Селективные покрытия
- •2.10. Системы солнечного теплоснабжения.
- •3. Концентраторы солнечной энергии
- •4. Гибридные солнечные станции
- •5.Солнечные печи
- •6. Заключение
- •7. Список литературы:
2.7. Плоские солнечные коллекторы
П
лоский
солнечный коллектор представляет собой
теплообменник, предназначенный для
нагрева жидкости или газа за счет
солнечной энергии. Область применения
плоских солнечных коллекторов - системы
отопления жилых и производственных
зданий, горячего водоснабжения, а также
энергетические установки с низкокипящим
рабочим телом. Основными элементами
плоского солнечного коллектора (рис.10)
являются:
поверхность, нагревающаяся за счет поглощения солнечной радиации и передающая теплоту рабочему телу; стекло, подавляющее потери теплоты за счет излучения; тепловая изоляция и корпус. Совершенство коллектора определяется его оптическим и тепловым КПД.
Оптический КПД ηо показывает, какая часть солнечной радиации, достигающая поверхности остекленения коллектора, оказывается поглощенной абсорбирующей излучение черной поверхностью, и учитывает потери энергии, связанные с поглощением в стекле, отражением и отличаем теплового коэффициента теплового излучения абсорбирующей поверхности от единицы.
Кроме этих потерь, в коллекторе любой конструкции присутствуют потери теплоты в окружающую среду QПOT, которые учитываются его тепловым КПД. Тепловой КПД равен отношению количества полезной теплоты Qпол, отведенной от коллектора за определенное время, к количеству энергии, поступающей к нему от Солнца за то же время.
2.8. Вакуумные коллекторы
Плоские солнечные коллекторы имеют при повышенных температурах сравнительно большой полный коэффициент потерь и низкий тепловой КПД. В силу этого обычно их используют в системах, где уровень нагрева теплоносителя не превышает 50 - 80◦С. В том случае, если необходим нагрев до более высоких температур, используют вакуумные коллекторы. В вакуумном коллекторе объем, в котором находится черная поверхность, поглощая солнечное излучение, отделен от окружающей среды вакуумированным пространством, что позволяет практически полностью устранить потери теплоты в окружающую среду за счет теплопроводности и конвекции.
Потери на излучение в значительной степени подавляются за счет применения селективного покрытия. Так как полный коэффициент потерь в вакуумном коллекторе мал, теплоноситель в нем можно нагреть до более высоких температур (120 - 150 ◦С), чем в плоском коллекторе. На рис.11 показаны примеры конструктивного выполнения вакуумных коллекторов.
2.9. Селективные покрытия
Эффективность работы гелиоэнергетических установок во многом зависит от оптических свойств поверхности, поглощающей солнечное излучение. Для сведения к минимуму потерь энергии необходимо, чтобы в видимой и ближней инфракрасных областях солнечного спектра коэффициент поглощения этой поверхности был как можно ближе к единице, а в области длин волн собственного теплового излучения поверхности к единице должен, стремиться коэффициент отражения.
Наибольшее распространение получили двухслойные селективные покрытия. На поверхность, которой необходимо придать селективные свойства, наносится слой с большим коэффициентом отражения в длинноволновой области спектра, например медь, никель, молибден, серебро, алюминий. Поверх этого слоя наносится слой прозрачной длинноволновой области, но имеющий высокий коэффициент поглощения в видимой и ближней ИК-областях спектра. Такими свойствами обладают многие окислы. Простейший пример получения двухслойной селективной поверхности - окисление поверхности металла. Двухслойная селективная поверхность возможна также в «обратном» варианте, когда названные выше слои располагаются в обратном порядке: слой, отражающий длинноволновое излучение, - сверху, а слой, поглощающий видимую и ближнюю ИК-области спектра, - снизу. В этом случае верхний слой для видимой части спектра должен быть прозрачен.
Селективность поверхности может быть обеспечена за счет чисто геометрических факторов: неровности поверхности должны быть больше длины волны света в видимой и ближней ИК- областях спектра и меньше длины волны, соответствующей собственному излучению поверхности. Такая поверхность для первой из указанных областей спектра будет черной, а для второй - зеркальной.
Селективными свойствами обладают поверхности с дендритной или пористой структурой при соответствующих размерах дендритных игл или пор.
Интерференционные селективные поверхности образованы несколькими перемежающимися слоями металла и диэлектрика, в которых коротковолновое излучение гасится за счет интерференции, а длинноволновое - свободно отражается.
